"DS" 검색결과 441-460 / 7,166건

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  바이러스학 바이러스 종류 구분

  유전체 구성 및 과명 속명 종명의 예ds DNA, linear (선형 2가닥 DNA)Herpesviridae Simplexvirus Human alphaherpesvirus 1,2

  시험자료 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.30

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  방통대 농학과 환경친화형농업 중간과제물 자료

  /m)로 2ds/m이하일 때 비염류성으로 대부분의 작물 재배가 가능하며, 2.0~4.0ds/m. ... 음이온으로 염소 이온과 향산 이온, 질산태질소가 많다.이들은 모두 식물의 양분 원소로서 과다한 시비에 의하여 집적된 것이다(류수노,2021:55).토양의 염류도 기준은 전기전도도(EC, ds

  방송통신대 | 6페이지 | 4,500원 | 등록일 2024.03.17

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  벡터 해석학 13-1 과제

  즉, dS = n dS.(Hint : 곡면의 xy ? ... 평면 위에 있는 부분이고,(∇ × F) = curl(F)이고, n은 곡면에서의 (단위) 법벡터 (Normal vector)이고,dS는 곡면 성분 벡터 dS의 크기이다. ... 2xz, -xy)일 때,dint _{S} ^{} {LEFT ( NABLA ` TIMES `F RIGHT ) ` BULLET `n``dS} `=`0이다.

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.08.23

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  부정맥의 종류

  (-) : amiodarone,2. structural heart ds(-) : type 1c,flecainide)ECG* AF에서의 항응고 요법CHADS2CHF(1)NTN(1)Age ... 울컥거리는 증상심질환이 있으면 PSVT, AF, Af유발가능Sx(-) : no Tx.Sx(+) : 유발인자 제coagulant: 4주이상* 재발방지1. structural heart ds ... 불안정 : DC cardioversion안정 : IV amiodarone, procainamideverapamil, adenosine은 금기: Px - underlying Ht ds에

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.09

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  반도체실험 MOSFET 보고서

  이 이유는V _{DS}가 증가하면서 NMOS가 pinch off 상태가 되고 그 값 이상으로V _{DS}가 증가하게 되면 Drain고 Source 사이의 channel의 길이가 줄어드는 ... Saturation region과는 달리V_DS가 증가함에 따라 수 있다. ... 확인하였다.하지만 Saturation region에서도V_DS가 증가함에 따라I _{D}가 미세하게 증가하였다.

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.12.10

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  8. MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]

  _{DS`2}2.334VI _{REF}10.07mAI _{O}10.08mA(F) 전류원의 출력 저항R _{O}을 구하려고 한다. ... (on)} =0.14V(Typical value)를 선택한다.V _{DS(on)} =0.14V 가 1V보다 훨씬 낮기 때문에 Drain과 Source가 거의 short 되었다고 볼 ... 수 있고, Triode 영역에서i` _{D} ``=`k _{n} `(V _{GS} `-`V _{t} ) TIMESV _{DS} ` 이며,k _{n} `=` {75`mA} over {

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.15

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  2020년 시립대 편입물리

  면적속도 dS/dt를 m과 태양에 대한 행성의 각운동량 L로 나타내시오. ... 행성궤도 상에서 어떤 시각에 태양과 행성 사이를 잇는 선분과 시간 t가 지난 후 태양과 행성 사이를 잇는 선분으로 둘러싸인 넓이 S(t)를 를 시간에 대해서 미분한 값인 면적속도 dS

  시험자료 | 2페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.01.05 | 수정일 2021.01.06

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  일반물리학실험 앙페르 법칙 예레

  원리1) 도선에서의 자기장그림 1(a)의 미소변위 ds에 전류 I가 흐르고 있다면 이 미소변위에서 거리 r만큼 떨어진 지점의 자기장의 세기를 비오-사바르의 법칙을 이용하여 아래와 같이 ... 나타낼 수 있다.dB```=`` {u _{0}} over {4 pi } {I} over {r ^{2}} ds TIMES {r} over {r}u _{0} =`4 pi BULLET ... ``=B oint _{} ^{} {ds} `=`B(2 pi r)`=`u _{0} N`I}B``=` {u _{0} NI} over {2 pi r}흐르는 도선 주위에 생기는 자기장?

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.11.09

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  [항공역학] 수치적 용출 패널 기법 보고서

  ^{2}} ds} 를±y에 대하여 살펴보면lim _{x` -> `l/2,`y` -> `±0} { int _{0} ^{l} {{y} over {(x-s) ^{2} +y ^{2}} ds ... `= int _{l/2- epsilon } ^{l/2+ epsilon } {{y} over {(x-s) ^{2} +y ^{2}} ds} `}} (식19)이 된다. ... 나타내므로 이를 (식8)에 적용시키면phi _{} = {lambda _{}} over {2 pi } int _{} ^{l} {ln( sqrt {(x-s) ^{2} +y ^{2}} ds

  리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.11.05 | 수정일 2023.06.08

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  [일반물리학실험] 등전위선 결과보고서

  _{} ^{} {E BULLET ds} (Eㆍds=0) 이므로 ? ... 또한dV`=`-E BULLET ds에서 등전위선 이므로 dV는 0이 된다. 즉 E와 ds는 수직이므로 E는 등전위선에 수직이다.질문5. ... 대전된 도체 표면상의 두 점 A와 B를 잡으면, 두 점을 연결하는 경로상의 모든 점에서 전기장 E는 항상 변위 ds에 수직이므로, Eㆍds=0이다.여기서TRIANGLE V`=`- int

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.01.28

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  전류고리가 만드는 자기장과 Biot-Savart법칙의 적용

  `sin` theta } over {r ^{2}} ``=` {mu _{0}} over {4 pi } ㆍ {i`ds} over {r ^{2}} ``ㆍㆍㆍii) here)d {vec{s ... 4 pi } ㆍ {i`d {vec{s}} ` TIMES {hat{r}}} over {r ^{2}} ````→`````dB``=` {mu _{0}} over {4 pi } ㆍ {i`ds ... dB` _{vert vert } `=`dB`cos` alpha ````ㆍㆍㆍiii)ㆍii)식에iii)식 대입,{dB} over {cos` alpha } `=` {mu _{0} `i`ds

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.01

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  삼성전자 SW직군 합격 자기소개서

  "삼성전자 SW직군 합격 자기소개서"에 대한 내용입니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.04.08 | 수정일 2024.04.18

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  아주대학교 물리학실험2 실험 14. 등전위선

  답:전위TRIANGLE V`=`- int _{} ^{} {E BULLET ds}이다. 도체상에서 변위ds와 전기장E는 수직이다. ... 하지만 전위차는dV=-E BULLET ds이므로 전기장 값은 전위차에 음의 값을 붙인 값이다. ... 따라서TRIANGLE V`=`- int _{} ^{} {E BULLET ds}에서 내적은 0이므로 전위차는 0이다.TRIANGLE V=V _{A} -V _{B} =0이므로V _{A}

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.28 | 수정일 2022.11.26

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  아동간호학, 비인두염, 급성후두기관기관지염 간호과정

  ds_id=21&menuCode=1359급성 후두기관기관지염 질환 아동 간호과정질환개요*급성 후두기관기관지염(acute laryngotrachobronchitis: LTB)은 성대와

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.06.17

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  [A+] 유체역학 유체공학실험 보고서 벤츄리미터

  _1 = rho_2 ``dA_2 ``ds_2}⇒{rho_1 dA {ds_1}over {dt} = rho_2 dA_2 {ds_2}over{dt}}(1.1)여기서 비압축성 유체에서는 밀도rho가 ... 유입되는 쪽과 유출되는 쪽의 압력은 pdA와 -(p+dp)dA이고, 중력의 흐름방향 성분은rm{-rho g ds cdot dA(dz/ds)}이 된다. ... 일정하기 때문에rho_1 = rho_2가 되고,rm ds_1 /dt와rm ds_2/ dt는 단면 1과 2에서의 평균유속V_1과V_2이므로 위 식은 다음과 같이 된다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.11.28

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  물리학실험2 등전위선 최종보고서

  대전된 도체 표면 상의 임의의 두 점 A와 B를잡아 연결하면 경로상의 모든 점에서 전기장 E는 항상 변위 ds 에 수직이므로, E∙ds=0이다. ... V_B-V_A=-∫_A^B▒E∙ds=0 이 결과는 도체 표면 상의 임의의 두 점 사이에 적용할 수 있으므로, 대전된 도체 표면의 모든 점에서 전위 V는 일정하다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.25 | 수정일 2023.10.05

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  [전자회로]실험10 FET의 특성

  드레인전류I _{d}에 대한V _{ds}와V _{gs}의 영향을 조사하고2. ... pinch-off)되었다고 하는데 채널을 통해서 흐르는 전류는 거의 0에 가깝다.그림 12-3과 같은 공통 소스회로에 대해rm V _{gs}를 매개변수로 하여 드레인 전압rmV _{ ds ... 이때V _{EE}와V _{CC}의 극성은 그림 6-4와 6-5에 표시된 극성과는 반대이다.● 실험 결과표 12-1rmV _{ ds}rm I _{d} [㎃]rm V _{gs} [V]0

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

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  [중앙대 전자회로설계실습]설계실습 5(BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로) 예비보고서

  /V ^{2} (5V-2.1V)V _{DS} =20`mA#THEREFORE V _{DS} =30.9`mV` ... MOSFET이 TRIODE영역에서 구동하고V _{DS}가 매우 작은 값이라고 가정하면 다음과 같다.I _{D} =k _{n} (V _{GS} -V _{t} )V _{DS} =223.2mA ... {DS(ON)}} = {75mA} over {(4.5V-2.1V)0.14V} SIMEQ 223`mA/V ^{2}(C)I _{D} =I _{F} =20mA이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.01.02

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  이륜로봇의 경로 트래킹 제어

  곡선의 곡률 구하기-{ds} over {d theta } 구하기ds= sqrt {LEFT ( dx RIGHT ) ^{2} + LEFT ( dy RIGHT ) ^{2}}{ds} over ... theta } cos theta -rsin theta ,``` {dy} over {d theta } = {dr} over {d theta } sin theta +rcos theta {ds ... `= sqrt {r ^{2} + LEFT ( {dot{r}} RIGHT ) ^{2}}-{d phi } over {d theta } 구하기-kappa = {d phi } over {ds

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.11.07

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  예비레포트 전자회로 설계 및 실습 Mosfet 소자 특성 측정 (만점 보고서)

  sheet을 이용)(B)의 simulation에서v _{GS}를 0 V부터 5 V까지 증가시키므로, 비슷한 조건인v _{GS} =4.5`V,`I _{D} =75`mA 일 때v _{DS ... (ON)} =0.14``V (Typical value)를 선택했다.V _{t} =2.1`V (Typical value)로 하자.v _{DS}가 매우 작을 때 Triode영역의i _{ ... D}식i _{D} =k _{n} (v _{GS} -V _{t} )v _{DS}에 위의 조건의 값들을 대입하여k _{n}을 구하면 다음과 같다.k _{n} = {i _{D}} over

  리포트 | 3페이지 | 3,800원 | 등록일 2020.04.13

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