"실리콘 음극" 검색결과 481-500 / 909건

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  탄소나노튜브

  반응기체로서 CH4 또는 C2H2를 사용함4.열 화학기상증착실리콘 기판 산화막을 성장시키고 촉매금속( Fe, Co, Ni)등을 증착한 후 촉매 금속막을 식각시켜 미세한 크기의 나노입자로 ... 이루고 있는 물질이며, 튜브의 직경이 나노미터수준으로 극히 작은 영역의 물질이다.발전 단계1985:Fullerene(C60)을 처음으로 발견 1991:전기방전법을 사용하여 흑연 음극상에 ... 형성시킨 탄소덩어리에서 가늘고 긴 탄소나노튜브를 발견 1992:합성때 헬륨압력을 높일 경우 흑연 음극상에서 탄소나노튜브의 합성수율이 증가함을 발표 1993:단중벽 나노튜브(single

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.14

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  접합 다이오드의 특성 예비 레포트

  실험 방법(1) 다이오드에 순.역방향 바이어스 전압 인가1. 1N4154 실리콘 다이오드의 음극과 양극을 구별하여 다이오드가 순방향 바이어스가 되도록 그림 5와 같이 회로를 구성하라 ... 만일 다이오드가 극성에 상관없이 낮은 또는 높은 저항값을 나타낸다면 이는 다이오드가 손상되었음을 의미한다.4) 다이오드의 음극과 양극의 구별보통 다이오드의 음극 쪽은 원형 띠로 표시된다 ... 이 때의 다이오드는 큰 역방향 저항을 가진다.그림 2는 역방향 바이어스로써, 전지의 (+)극은 N형 실리콘 내의 자유 전자를 (-)극은 PGUD 실리콘 내외 정공을 끌어당기므로 접합부에서

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.03.24 | 수정일 2020.11.01

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  고분자

  폴리염화바이닐에 유사한 수지⑦ 아크릴 고무⑧ 실리콘 고무? 우수한 내열성, 내후성, 화학적 안정성, 특이한 계면활성⑨ 플루오르 고무? ... 미개척 분야인 biomedical에서의 응용은 상당한 가능성을 지니고 있다.3) 유기태양전지의 구조유기태양전지 소자는 양극과 음극사이에 광 활성층 재료가 어떻게 존재하느냐에 따라 크게 ... 정량적으로 일어나는데 반해 분리된 전자와 정공은 ~10-3s의 긴 시간 동안 각각 플러렌 유도체와 고분자에서 비편재화된 상태로 존재하게 되고, 분리된 전하의 긴 수명은 전자와 정공의 음극과

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.20

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  디스플레이 발전방향(OLED)

  OLED의 원리 및 구조발광과정을 단계별로 살펴보면 처음으로 양극과 음극전극에서 유기 층의로의 캐리어(전자와 정공)주입되고, 주입된 캐리어의 양극과 음극으로의 이동하게 되면 캐리어의 ... 동영상이나 DMB 등을 휴대폰에서도 크게 볼 수 있는 새로운 솔루션이 될 것이다.4) DOD(Dual plate Oled Display) 기술- LG디스플레이는 아몰포스실리콘(a-Si ... 이 DOD기술로 아몰포스실리콘 방식의 AM OLED TV가 대형화하기 어렵다는 단점을 극복했고, XGA급 해상도에 80% 색재현율, 상하좌우 170도의 시야각을 구현했다.5) 이 외에도

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.11

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  바이오 모방공학

  또한 최근에는 실리콘기판에 압전 물질을 인쇄하여 마이크로 액츄에이터로 사용하고자 하는 POS(Piezo on Silicon) 액츄에이터에 대한 연구도 진행되고 있다.적층형 액츄에이터 ... 본 탄소나노튜브 작동기는 두 층이 동시에 인장되지만 음극으로 대전된 층이 양극으로 대전된 층보다 더 많이 인장됨으로써 굽힘이 발생한다. ... 전기화학적으로 한 층에서는 양극 나트륨 이온들이 존재하며 음전하로 대전되었고, 그 반대층에서는 음극 염화물을 보유하며 양전하로 대전되어 있다.그러므로 전체적으로는 중성이지만 전압의

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.03.22

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  [트랜지스터][전자관][반도체][집적회로]트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호, 트랜지스터의 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법

  세 부분의 반도체는 각각 이미터(emitter) E, 베이스 (base) B, 컬렉터 (collector) C로 명명되며, 각각 진공관의 음극(cathode) K, 그리드(grid) ... 표면에 얇은 실리콘 산화막(SiO2)을 만들어 실리콘의 발열을 막고 나서, 수소가스 속에서 갈륨(Ga)을 역확산하여 P형 실리콘 층을 만든다.② 여기서 표면에 ? ... 예를 들면, 메사형의 실리콘에서는 어떻게 만드는가를 보면,① 먼저 N형의 실리콘(Si) 기판을 수증기 속에서 가열한다.

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.07.17

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  신재생에너지의 종류 및 특성

  태양전지(solar cell, solar battery) : 재료에 따라 결정질 실리콘, 비정질실리콘, 화합물반도체 등으로 분류? ... hydropower100kW 미만100∼ 1,000kW1,000∼ 10,000kW국내의 경우 소수력발전 전해질층을 통해 공기극으로 이동하고 전자는외부회로를 통해 공기극으로 이동 →③ 공기극(음극 ... 태양전지는 실리콘으로 대표되는 반도체이며 반도체기술의 발달과 반도체 특성에 의해 자연스럽게 개발됨?

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.03.16

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  발광 다이오드 LED

  전기적 특성다른 일반적인 다이오드와 동일하게 극성을 가지고 있으며, 캐소드(음극)에서 애노드(양극)로 정전압을 가해서 사용한다. ... 일반적으로 발광 다이오드에는 발광재결합 확률이 높은 직접 천이형의 반도체가 적합하고, 일반적인 반도체 재료인 규소(실리콘)나 게르마늄과 같은 간접 천이형 반도체에서는 전자나 정공이

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.20

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  다이오드 소자의 작동원리및 종류

  특히 근래에 와서는 다결정(多結晶) 실리콘이나 비정질(非晶質) 실리콘을 이용한 태양전지의 개발과 실용화가 크게 각광을 받고 있다.3.다이오드 소자의 작동원리1) 아래의 그림처럼 홀이 ... 음극에서 방출되는 전자의 수에 따라서 음극온도에 의하여 결정된다. ... 이 전위차를 전위장벽이라 하면 실리콘의 경우 0.7V, 게르마늄의 경우0.3V이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.21

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  고분자전해질 연료전지

  또한 NOx와 CO2의 배출량이 석탄 화력 발전의 1/38과 1/3 정도해질을 통해 음극으로 이동하고 그곳에서 공기와 반응해 물을 만든다. ... 전자가 이동하는 과정에서 우리가 얻고자 하는 전기에너지가 발생한다.우리가 실재 사용하는 수소연료전지는 양극, 음극, 전해질로 구성된 하나의 단위전지가 여러 개 겹쳐진 적충구조를 이루고 ... PN접합에 의한 발전원리- 태양전지는 실리콘으로 대표되는 반도체이며 반도체기술의 발달과 반 도체 특성에 의해 자연스럽게 개발됨- 태양전지는 전기적 성질이 다른 N(negative)형의

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.10

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  박막 에칭

  / O2 플라즈마 식각이 널리 사용되기 시작 -이때 쯤에 산소 플라즈마를 이용하여 PR stripping을 수행하는 장비들이 반도체 제조 라인에 널리 퍼지기 시작 -이후로 다결정 실리콘 ... (poly silicon)과 그밖의 주요 금속 재료에 관한 플라즈마 식각이 개발 -하지만 이러한 초기의 플라즈마를 이용한 건식 식각 장비들은 플라즈마의 화학적 성질만을 이용한 공정장비로 ... 가진다.이온빔 식각장치● RF 스파터 식각 - RF 전계에서 진동하는 전자들이 충분히 큰 에너지를 얻어 가스 원자들과 충돌하여 이들이 이온화되고 고에너지를 가지는 입자를 기판 물질과(음극

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.13

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  방사선측정의 원리와 검출기의 종류 및 원리에 대해서

  양이온이 음극으로 향해 움직이기 시작하면 신호 펄스가 올라가는 비례계수관의 경우와 같고 양이온이 중심선으로부터 충분히 멀리 떨어지기까지는 입사선에 의해 1차 전리가 일어나도 정규 펄스를 ... -현재 X선 검출 측정에 사용되고있으며 실리콘, 게르마늄 단결정으로 되어 있으며,SSD(solid state detector)라고도 한다. ... 다른 검출기보다 에너지 분해능이 높고, W값이 작은 사실에 유래하고 실리콘이나 게르마늄 결정중에 한 쌍의 전자와 정공을 만드는 에너지는 약 3eV이며 기체의 W값이나 신틸레이터의 W값보다

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.26

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  박막재료의 표면처리 및 식각실험(예비)

  실험내용가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE) ... 이들 중 CF3+등의 양이온은 음극의 부전압에 의해 가속되어 수직으로 음극 위의 반도체 기판을 충격한다. ... (Si) 용액을 주물에 넣어 회전시키면서 실리콘 기둥(봉)을 만든다.ⓑ 실리콘 봉 절단 : 규소 기둥을 똑같은 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.28

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  6장 반파 및 전파정류기

  정류정류의 방법에는 여러 가지가 있는데① 진공관 또는 방전관은 관내에서 양극에서 음극으로 향하는 전류밖에 흐르지 않는 성질을 이용하는 방법. ... 방전에 의해 정류하는 수은정류기가 있다.② 완전히 기계적으로 교류의 주기에 보조를 맞추어서 개폐하는 스위치에 의한 방법.③ 전류의 방향에 따라 전기저항이 매우 다른 반도체, 이를테면 실리콘

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.02

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  나노로드 및 나노튜브 정렬에 대한 제조

  (a) 실리콘 기판 위 (b) 구리 기판 위. (두 개의 영상에 사용된 단위막대는 각각 10과 1 mm이다.)그림2. 실리콘 기판 위에 형성된 ZnO 나노튜브의 SEM 영상. ... 음극과 양극에 차례로 연결 용액 중 80ml를 비커에 옮겨, 90℃로 유지 전극 사이에 30V 전압을 흘려 보내고, 14h 유지 탈 이온화 된 물을 이용, 투명한 막을 씻은 후 건조시킴3 ... 실 험 방 법질산아연(0.945g) + HMT(500ml) 용액준비 Silicon wafers 2개 초음파로 세정 120 ml 비커에 평행하게 고정 후, DH1720A-2 정전압원의

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.04

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  OLED

  전압이 가해지면, 음극과 양극에서 각각 전자와 정공이 유기층 내로 주입되고 유기층 내에서 전자-정공의 재결합 과정을 거쳐 광이 생성된다. ... .- AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)는 낮은 전류로 구동이 가능하여 소비전력 및 표시해상도 측면에서 유리하나, 폴리 실리콘 ... TFT의 불균일성에 의한 휘도 불균일성이 문제점으로 대두, 앞으로 균일한 대면적 폴리실리콘 박막을 형성시키는 공정을 개발해야 한다.- OLED의 구조 단층(a) 및 다층(b) 구조를

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.10

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  HVDC의 역사

  3개면 3상전압, 6개면 6상 전압)"합작회사로 체제전환1904년o 운전요건 ; 항상 적정 진공도를 유지하기 위하여(한미전기) 진공펌프가 필요함o 전기적 문제점 ; 역발호현상으로 음극에서 ... 양극으로전류가 흐르는 현상등 보수상 어려움"06월 인천전기㈜설립,"o 발전(發展)된 정류설비 ; 실리콘 반도체 사용최초의 수력발전소준oabit 간 100kV15MW급 송전계통이 시험적으로

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.02.21 | 수정일 2016.02.24

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  [전자전기]반도체,다이오드,트랜지스터,MOSFET,BJT,FET에관한 정리

  이와 같이, 실리콘 이외의 다른 물질의 혼입이 없고 안정된 상태에 있는 반도체를 진성 반도체라 한다.는 누설전류 영역이다. Ⅲ은 음극으로부터 방출되는 열전자들이 초속도(初速度)를 갖고 ... 실리콘을 반도체로 사용하기 위해서 모 래를 화학 처리하여 실리콘만을 뽑아 정제 과정을 거쳐 순도를 높게 한 것 을 다결정 실리콘이라고 한다. ... V는 양극전압 Vp가 충분히 커서 음극에서 방출된 전자가 음극 앞에서 머뭇거리지 않고 모두 양극을 향해 진행하여 포착되는 영역으로서, 양극전류Ip는 음극에서 방출되는 전자의 수에 따라서

  리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.07.16

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  PN접합 시 반도체 내에서 일어나는 현상

  그래서 p형 반도체부분을 양극, n형 반도체부분을 음극으로 정의한다.이렇게 p-n접합면에 형성되는 전기적 에너지는 전압으로 측정되고 반도체를 실리콘물질을 기반으로 사용하였을 경우는

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.03

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  다이오드

  예전에는 진공관 다이오드만이 있었는데, 그 원리는 진공으로된 유리구 안에 음극과 양극이 있어서 전압을 양극에서 음극방향으로 걸어주면 음극방향에 쌓인 자유전자들이 양극으로 끌려오는 방식 ... 순수한 실리콘이나 게르마늄에 다른 물질을 약간 넣어 정공이 생기게 한 것을 p형 반도체라고 하며, 순수한 실리콘이나 게르마늄에 어떤 물질을 약간 넣어 여분의 전자(자유전자)가 생기게 ... 게르마늄 다이오드는 n형 반도체에 텅스텐선을 접속하여 접속부체 p형 반도체의 층이 생기게 한 것이며, 실리콘 다이오드는 게르마늄 다이오드의 n형 반도체 대신 실리콘을 사용한 것이다.다이오드는

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.08

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