"NAND Flash" 검색결과 481-500 / 535건

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  [경영경제]삼성전자의 경영전략

  9.4613261206146레네사스외25.71,673676557440도시바해 외 (35.32)15.61,017419330268하이닉스49.23,2001,3771,013810삼성전자국 내 (64.8)NAND ... 워크스테이션50.21,7351,4171,2291,196데스크탑․노트북PC점유비(4Q)4Q06E3Q06E2Q061Q06구 분자료 : Datarequest, 삼성증권 자료'06년 세계 제품별 낸드플래시 ... 플래시 (512Mb)31.32,516930828758난냐외615.91,280480430370인피네온13.01,043385338320마이크론해 외 (60.2)15.41,239466405368하이닉스24.31,954780620554삼성전자국

  리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.07.15

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  [반도체업계] 삼성반도체

  플래시메모리 시생산에 성공했다고 발표했다.삼성전자는 반도체 공정기술에서 마의 벽으로 인식돼온 0.10㎛(미크론)을 뛰어넘는 90나노 기술로 NAND 플래시 시생산 성공과 D램 양산 ... 기술을 확보함으로써 메모리 산업에서 나노기술의 상용화에 대한 새로운 이정표를 세웠다고 밝혔다.삼성전자가 발표한 2기가 NAND 플래시메모리는 엄지손가락만한 크기의 4기가바이트 메모리카드의 ... 삼성전자는 9월 16일 서울 호텔신라에서 메모리 사업관련 내외신 기자간담회를 갖고 꿈의 기술로 평가되는 90나노 D램 양산기술을 확보하고 업계 최초로 2기가 NAND(데이터저장용)

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.30

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  [경영]삼성전자 반도체 사업 전략

  메모리 세계 최초 개발2003. 09 : 세계 최초 70나노 4G NAND 플래시 개발삼성 256 Mega , 1Giga 주력 생산2005. 05 : 70나노 4GB 낸드 플래시 ... 최초 64메가 D램 개발1994 : 삼성전자 반도체 메모리 세계1위.1994. 08 : 256메가 D램 세계 첫 개발1996. 10 : 1기가 D램 개발1999. 10 : 1기가 플래시

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.01.31

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  [경영관리]경영혁신과 그에 따른 변화관리의 필요성에 관한 연구 (사례-오토기기)

  Flash 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 크게 NOR형 (Code저장형)과 NAND형 (Data저장형)으로 나눌 수 있다. ... NOR형은 휴대폰 등에 주로 쓰이고 있으며, NAND형은 주로 Card로 만들어져 디지털 가전의 저장 장치로 많이 쓰이고 있다. 1980년대 중반 Flash Memory가 소개된 이후

  리포트 | 48페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.11.24 | 수정일 2014.01.28

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  [경영]아이리버 마케팅 분석

  flash memory개발 ... 소송을 걸고 있다KPAC 등과 같이 업체들이 협력하여 공동 대처, 기술과 관련된 원천 기술 획득에 많은 노력을 기울여야 한다공급자의 위험에 관한 전략MP3 player 의 핵심부품인 NAND

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.08

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  [기업발전] 삼성전자의 발전과정

  세계 최초 70나노 4G NAND 플래시 개발?세계 최초 DAB 방송수신用 홈시어터 출시?세계반도체 표준기구(JEDEC) 최우수상 수상?46˝LCD TV 세계최초 시판? ... 16메가 플래쉬 메모리 개발, 샘플 출하?제조업계 최초로 매출 8조원 달성?세계최초 Bio TV 개발 성공,국내 최초 수출50억불탑 수상? ... 세계 최고속 낸드플래시 양산?60나노 8기가 낸드 플래시 개발?80나도 2기가 DDR2 D램개발?

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.01

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  21세기 반도체 산업의 미래

  메모리는 현재 D램의 약 절반정도의 시장으로 성장하여NAND형 성장이 기대됨- 2000년 플래시 메모리 시장규모는 106억불로 DRAM의 1/3 시장이었으나 2001년에는 휴대전화 ... 약 1,400엔임- 현재 시장에서 견인차 역할을 하고 있는 것은 휴대전화용 NOR형이고, 앞으로는 Data file용 (NAND/AND형)이 중심이 될 것으로 전망되며, 현재는 플래시 ... 생산 금액기준으로 36%의 마이너스 성장이 예상됨 (DQ는 50% 이상 하락할 것이라는 대담한 예측을 함)- 기대가 되고 있는 휴대전화용 반도체도 재고조정이 계속되고 있고 DSP와Flash

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.29

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  [공학]우리나라의 세계 10대 제품들

  플래시 메모리는 노어(NOR) 제품과 낸드(NAND) 제품으로 구분되는데, 노어형은 코드 저장형으로 쓰기 속도는 느리지만 읽기 속도가 빨라 휴대폰의 부팅용으로 널리 사용되며, 낸드형은 ... 삼성전자는 2004년 플래시 메모리 시장에서 2위와의 격차를 크게 벌리며 부동의 1위임을 다시 한번 확인했다. ... 이처럼 삼성전자와 하이닉스반도체는 메모리 부분 D램 시장에서 우위를 지속적으로 유지해 나가면서 플래시 메모리 시장에서도 점유율을 더욱 높일 예정이다.

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.26

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  [반도체] 반도체 메모리의 종류별 특성과 기술발전, 향후추이

  NOR형 플래시 메모리는 미국 인텔과 일본 샤프 그리고 미국 AMD와 일본 후지쯔의 제휴가 대표적이며 NAND형 플래시 메모리는 일본 도시바와 삼성 전자가 제휴해 기술개발을 하고 있다.인텔-샤프와 ... Meeting)에 게재된 TOSHIBA의 논문(F.Masuoka et al., "A new Flash EEPROM cell using triple polysilicon technology ... 플래시 메모리의 정의플래시 메모리의「플래시」는 사전에 「일순간」또는 「빛난다」라는 의미로 되어 있다. 플래시 메모리의 「플래시」는 「일순간」의 의미와 일치한다.

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.23

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  [사업계획서]신기술 사업계획서

  시장분석(USB 플래시 메모리 시장 )플래시 메모리 세계시장 동향 및 전망Dell을 비롯한 HP, IBM은 최근 USB 플래시 드라이브의 사용을 정식으로 승인 Flash USB DRIVE는 ... 플래시 메모리 분야의 매출은 증가 SRAM, NOR Flash, EPROM, EEPROM, mask ROM 그리고 기타 메모리 분야 하향 추세1. ... 급락하거나 급등하는 성격 Gartner에 따르면 2002년도 전세계 메모리 판매액은 총 284억 달러였으며, 단지 2개 분야에서만 매출 성장이 일어났다고 보고 DRAM과 NAND

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.06.08

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  [메모리] DDR메모리란?

  현재 시장은 NOR형이 NAND형보다 훨 씬 크지만 최근 NAND형 수요가 매년 60% 이상씩 급성장하는 추세다. ... 전원을 끄면 기억하고 있던 정보가 모두 사라지는 기존 메모리와 달리 플래시메모리는 전원이 꺼져도 정보를 기억하는 비휘발성 메모리로 각광을 받기 시작했다. ... 처리속도가 빨라 휴대전화 기에 주로 쓰이는 코드 저장형(NOR)과 저장 용량면에서 뛰어난 데이 터저장형(NAND) 두 가지가 있다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.08

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  [마케팅]다국적기업 애플의 아이팟(i-Pod) 마케팅 성공전략

  플래쉬 메모리 가격 상승SWOT 분석- 전자기계에 관심이 있는 사람이라면 기능에 관심 높음 - 반면 관심을 가지지 않고 필요성을 느끼지 못 하는 사람도 많음 - 가격에 비탄력적 - ... 편리한 조작 뛰어난 디자인 세계시장 선점SW낮은 인지도 유통력 빈약 짧은 배터리 수명 비싼 수리비용O소비패턴의 변화 디지털 음악시장의 확대 국내 불경기TMP3폰 및 복합기기의 등장 NAND

  리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.12

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  [경영사례분석] 삼성반도체산업

  S램 개발 ㆍI90㎚기술 적용, 세계 最小 사이즈의 셀 구현 ㆍ기존 KrF공정을 이용한 집적도 향상으로 가격경쟁력 확보 ㆍ초고속 S램 시장에서도 마켓 리더쉽 지속 유지2Gbit NAND ... Flash memory ㆍ업계 최초 최첨단 90나노 공정 적용, 0.05㎛² 미만 셀 구현 ㆍ소용량 하드 디스크 대체 및 캠코더용 테이프 대체 가능 ㆍD램 공정과 호환성 확보로 추가 ... 특히, 메인 메모리에 널리 사용되고 있는 D램과 이동통신기기에 사용되는 S램 제품이 세계시장 점유율 1위를 차지하고 있으며, MP3용인 FLASH메모리 제품 또한 전체적으로 그 품질의

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.18

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  메모리 반도체 & 비메모리 반도체 산업분석 및 삼성전자의 향후대책

  (51.0)(33.3)(19.0)(8.1)(3.9)(-12.2)(4.1)(-4.3)(31.2)-NAND4.7-6.510.611.58.42.43.25.62.8--(63.9)(8.7)( ... 9.3)(7.0)D램13.616.726.825.633.822.59.67.617.25.3(9.4)(60.9)(-4.7)(32.0)(13.7)(45.2)(-0.1)(21.1)(-5.2)플레시메모리8.111.715.618.620.113.34.45.09.43.9

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.13

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  [기업사례] 기업성공사례 - (주)레인콤(아이리버) 분석

  자재수급과 생산, 품질관리, 품질보증 등 철저한 관리- 매우 낮은 불량률(미국의 경우 A/S건 모두 교환해도 무리없음)약점(Weaknesses)부품의존도 높 음- 중소기업체들은 NAND ... 산업의 경쟁력2002년 중반 이후 저장매체를 CD대신 플래시메모리로 대체한 플래시메모리형 MP3 플레이어가 시장의 주류로 자리잡게 되었다. ... (주)레인콤의 경우 플래시메모리가 전체 원재료 매입비에서 차지하는 비중은 37.4%로 가장 중요한 부품이라고 할 수 있다. 플래시메모리시장은 삼성전자가 세계시장을 주도하고 있다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.10

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  [경영학원론] i-River와 ipod의 성공요인 & MP3플레이어 시장분석보고서

  또한 난드(NAND) 플래쉬 메모리의 가격이 상승하면 제품의 원가에 영향을 끼쳐서 내수 뿐 아니라 수출에도 커다란 영향을 미칠 수 있어 공급자의 위협이 강하다고 할 수 있다. ... 현재 아이리버의 주력 상품인 iFP 시리즈의 경우 핵심부품인 난드(NAND) 플래쉬 메모리 반도체를 공급하는 업체가 소수이고 반도체 업계사이의 전략적 제휴가 빈번하게 이루어지고 있다 ... 기술과 스피드를 앞세운 시장 선점아이리버가 기술을 걸면 세계 최강이 됩니다. 512MB 플래쉬 타입 메모리, Xtreme EQ, 144시간 보이스 레코딩, 다이렉트 엔코딩 기능 등

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.07

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  [전자제품] `USB 메모리 저장장치`의 특징과 향후발전방안

  메모리(NOR형)셀을 수평으로 배열.읽기 속도가 빠름.휴대폰, 롬바이오스, 워크스테이션/서버, 네트워크장비, 셋톱박스 등 프로그램 저장용-데이터플래시 메모리(NAND형)저장단위인 ... USB 드라이브에 사용되는 컨트롤러에는 Oti 칩과 3s 칩이 주로 채용되고 있다.1-1-1.1 Flash memory①장점: D램이나 S램과는 달리 전원이 끊어져도 정보가 기억됨.②분류-코드플래시 ... DRIVE 시장에 진입하였거나 현재도 진입을 시도하고 있다.- 2003년 말부터 삼성전자와 MS사를 위시하여 전세계의 많은 Chip 및 Module 등의 관련 업체가 UFDA(USB Flash

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.16

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  [국제경영학] 하이닉스 반도체의 해외진출사례

  Flash 메모리 개발 및 양산 ST마이크로 중국정부 합자투자 성립연혁1. ... 2001.3) Blue chip Project 완료 그래픽 메모리용 초고속 256M DDR 출시 GC 생산개시(0.11㎛) DDR 500 및 1G DDR2 세계 최초 출시 512M NAND

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.08

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  [디지털문화]6T현황과 문제점 및 글로벌화 전략

  ) 플래시메모리'를 개발 8Gb 낸느 플래시메모리는 머리카락 두께 1/2천 정도인 회로를 이용해 손톱만한 크기에 트랜지터 81옥 9천만개가 들어감 8Gb플래시메모리는 종전 테이프, ... Technology)1.삼성전자 2.시스코IT (Information Technology)삼성전자에서 80나노 기술 공정으로 만든 'DDR 2 SD램' 과 '8Gb(기가비트) 낸드(NAND

  리포트 | 65페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.11.24

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  [경영과 인사 정보](주)하이닉스 반도체

  또, Flash Memory라는 휴대용 전장장치인 CF CARD 혹은 USB 등에 이용되는 고용량 NAND FLASH MEMORY 설계하는 곳이다.설계팀에 지원하기 위해 서는 기본적으로 ... 인터넷을 통한 거래를 하겠다는 등록을 신청하여야 한다.등록은 반드시 당사자와 거래가 있을 경우만 가능하며, 였고, 12월 臺 프로모스사와 전략적 제휴를 하였다.2004년 2월에는 낸드 플래시메모리

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.11.11

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