"이온질화" 검색결과 521-540 / 711건

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  [공학]반도체 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

  고분자의 표면에 치수성이나 소수성을 줄 수 있거나 제전성, 염색성, 심색성 등을 향상시킬 수 있으며, 금속재료를 질소나 메탄가스 플라즈마와 접촉을 시키며 바이아스를 가하면 표면에 질화나 ... )와 중성입자의 집합체로 이온의 밀도 ni 와 전자의 밀도 ne 가 ni ? ... .■ 실험 내용- 가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.15

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  [공학]전자재료

  있는데, 처리품의 형상, 재질에 제어가 있기도 하고, 온도정도에 문제가 있기 때문에 실험실단계나 특수한 경우에 한정된다.탄화물로는 탄소원에 CH, CH, CH, CH 등의 가스, 질화물로는 ... 이용하지 않는 진공증착(evaporation), ② 이온을 이용하는 스퍼터링(sputtering), 이온플레이팅(ion plating), 이온주입(ion implantation), ... 최근에 이온이 갖는 (클러스터)의 일부를 이온화하여 기판에 충돌시키는 클러스터법(cluster법)⑥ 저전압대전류의 특수전자총(HCD 전자총)을 사용하여 플라즈마 전자빔에 의해 물질을

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10 | 수정일 2024.01.14

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  [공학]evaporation증착

  가능하다.target 냉각이 가능, 큰 target 사용 가능하다.기판의 sputter etching으로 pre-cleaning이 가능하다.O2, N2등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 ... 이에 반해 sputtering에서는 이온을 생성하기 위해 플라즈마를 사용하는데, 플라즈마 내에서 생성된다. ... (primary) = Ar+ + e-(primary) + e-(secondary)Ar 이 흥분되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이 때 gas discharge가 발생하여 이온과

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.11

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  박막재료의 표면처리 및 PR실험

  그 위에 질화실리콘을 낮은 압력의 발생기를 사용하여 제조되며, 그의 원리도를 그림 1.4.3에 나타내었다. ... 사용하기에 앞서 웨이퍼 표면의 입자 문제뿐만 아니라 유기물, 이온, 금속 불순물의 오염을 막기 위해 화학적으로 세척을 한다. ... DI water는 이온, 입자, 박테리아 같은 오염물질을 제거한 매우 순수한 물이다. 이론적으로 순수한 물의 저항은 25℃에서 18.3Mohm-cm이다.

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24

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  [반도체][ppt 자료] 박막 증착 방법

  Wire basket물리 기상 증착법: 증발 증착법증발 증착법의 종류: 열 증발 증착법(유도열 이용) 순수 저항에 의한 방법의 대체로써 내화성 산화물(refractory oxide)와 질화물 ... 전압을 증가시키면, 전자는 가스 원자를 더욱 이온화 시킴. ... 전자는 가스 원자에 충돌함으로써 가스 원자를 이온화 함.가스 원자 이온화 과정물리 기상 증착법: Sputtering 증착법Sputtering 원리 및 특성 원자 A와 B의 충돌은 다시

  리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.10.24

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  [정밀]슈퍼캐패시터

  Au, H on Pt)증착금속계고가, 고난도 고급기술, 현재는 제한적용도 실용화 상태 비축전용량: 약750F/gRuO2/IrO2/Co3O4/MoO2/WO3/NiO/Mo2N산화(탄화/질화 ... 방전 효율 매우 높음 폭발의 우려가 거의 없는 안전한 장치 충•방전 반복수명이 반영구적 기술집약형 고부가가치 제품전해질에 따른 Supercapacitor수용액계 슈퍼캐패시터 높은 이온전도도를 ... 류Models of the Double LayerBasic principle of EDLCEDLC의 전극반응Es : 탄소전극표면, // : 전기이중층 C+ , A- :전해질에서의 양이온

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.11.30

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  세라믹 나노복합재료의 제조 및 응용-학사논문

  이 이외에도 AIST에서는 질화규소를 기지상으로 한 다공질 세라믹스에 대해서도 연구 중이다.Ⅲ. 7 Bio-세라믹스생체세라믹스는 세라믹스의 Bio-inert, 또는 Bio-active ... 나노 복합체의 또 다른 응용가능성은 세라믹스가 가지고 있는 특성 중에 하나인 고강도를 유지하거나 개선하면서 다른 기능을 복합화 하는 “기능 단상에 비해 2배 정도의 고온고강도이면서 이온전도성이

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.28

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  [전자재료]텅스텐(W)과 구리(Cu)의 비저항 및 MEMS

  기판 위에 기계적으로움직이는 구조, 또는 경첩으로 서 있는 구조를 만드는 기술로 이전의 LSI 처리에적용하기 쉬운 특징▶ 몸체 미세가공(bulk micromachining)반응성 이온 ... 기계부품에는 적당하지 않으며,이런 경우에는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ni(니켈) 및 Cu(구리) 등과 같은 금속계재료 들이 사용된다.▶ 내마모성이 요구되는 경우에는 Si3N4(질화실리콘

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.14

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  직업병예방및관리방법

  불충분한 것)우리나라의 경우 산업안전보건법에 유기용제 54종, 특정화학물질 42종, 금속 및 중금속 11종, 분진 3종, 물리적 인자 8종, 기타 유해인자 1종 등 유해인자별로 직업성 질화 ... 이들이 간섭을 받을 때에 전자파 방사선이 생기게 된다.② 특징 : 물질을 이온화하는 성질을 가지고 있고 종류는 X선, α선, β선, γ선, 중성자, 우주선 등이 있다.③ 증상 : 생체에

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.13

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  [전자재료, 반도체, 반도체공정]pvd와 cvd의 조사

  PVD기술에서는 금속막 외에 산화막, 질화막 등의 형성도 가능하고, 일부 실용화도 되고 있다.1>진공증발기술 : 진공증발 기술은 스퍼터링 기술과 더불어 박막형성의 기본기술이다. ... 최근에는 이온 어시스트 증착 등, 진공 증박 기술과 이온 공학 기술을 복합화한 기술도 탄생했다. 여기서 기술하는 진공증발일나, 진공중에서 증착원을 열적으로 증발? ... 광CVD기술의 장점 및 단점은 아래와 같다.① 플라즈마 CVD기술에 비교해서 여기 에너지가 적고, 반응 과정에서 고에너지의 이온이나 전자는 거의 생성하지 않기 때문에 이온을 조사함으로서

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.01.08

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  [미생물학 실험] 대장균군의 측정

  질화세균(nitrifying bacteria)의 계수에 있어서는 배지에탄산 암모늄 - 칼슘(ammonium calcium carbonate)을 첨가하여 산소분압이 낮은곳에서 배양하고 ... 이때의 모든배양 온도는 35~37 ℃로 한다.라우릴 트리프토스부이온 또는 유당 부이온에서 가스가 발생하고 보통 한천사면배지에서 그람음성 무아포성 간균이 증명되면 완전시험은 양성 즉 ... 또는 유당부이온 발효관과 보통한천배지 사면에 이식한다.부이온 발효관은 48±3 시간 배양하여 가스 발생여부를 관찰하고, 보통 한천사면배지는 20±2 시간 배양한 후 그 집락에 대하여

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.10.08

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  mosfet

  실리콘 산화 질화물 : 우수한 계면성질을 갖는 한편 SiO2보다 약간 더 높은 εi와 Ci를 갖는다. ... 데 가장 유익한 도구는 이온주입이다. ... Ta2O5, ZrO2나 강유전체와 같은 다른 높은 유전율을 가지는 물질은 게이트 유전체로서 SiO2를 대신할 물질로서 연구되고 있다.이온주입에 의한 문턱전압 조정 문턱전압을 제어하는

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.26

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  유목국가에 대한 고찰

  질소는 질화(nitriding))에 의한 표면의 안정화 처리를 하는데 적용되었다. 최종적인 표면안정화는 약 15시간 동안 가열된 왁스에 유물을 침적시킴으로써 처리되었다. ... 아르곤 가스의 혼합은 주로 폭발위험을 최소로 하기 위해서 사용되어지나 이온화된 아르곤 가스에서 준안정 상태의 존재는 일반적으로 다른 가스를 활성화하는데 기여할 수 있다. ... 다수가 모여 전체적으로 전기적인 중성을 갖으며 이렇게 구성된 입자들의 상호작용에 의해서 독특한 빛을 방출하며 입자들의 활발한 운동 때문에 높은 반응성을 갖게되는데 이러한 상태를 흔히 이온화한

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.21

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  [정성분석]3족 양이온의 정성분석

  물 속에서 안정인 무색의 2가의 양이온이 된다. 물·산소의 반응하는데, 그 반응은 알칼리금속처럼 격렬하지 않다. 질소와는 고온에서 질화물을 만든다. ... [complex ion]어떤 금속원자나 이온에 따른 분자나 이온이 결합하여 생긴 복잡한 구조의 새로운 이온.콜로이드 [colloid]교질(膠質)이라고도 한다. ... PO43-을 제거할 필요가 있다.이온 분족시약 침전물Fe2+ → (산화) → Fe3+철(Ⅱ)이온(연한녹색) 철(Ⅲ)이온(연한황갈색)Fe3+ + 3(NH3+H2O) → Fe(OH)3

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.19

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  나노입자 제조방법

  용액에서 침전을 생성시키는데 있어서 용액 중에 용해되어 있는 이온이나 분자로부터 핵이 생성되게 되는데 이 핵형성이 침전의 크기, 모양, 구조 등 원료분말의 특성에 크게 영향을 미친다 ... Skandan 등은 무응집 금속, 산화물, 탄화물, 질화물 나노분말을 고효율로 제조할 수 있는 CVC(Chemical Vapor Condensation)법을 개발하였다.CVC법은 감압 ... 가스와 고에너지/고밀도 레이저에 의해 형성된 플라즈마 내에 precursor/carrier가스를 통과시켜 나노크기의 Si3N4, SiC 등의 산화물, 질화물, 붕화물 분말들을 제조하였으며

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.31

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  [기술기계]전기용접

  특히 교류 아크 용접에서는 재점호 전압이 낮을수록 좋으므로, 이온화 전압이 낮은 물질이 좋다. ... (나) 슬래그 생성제 : 용융점이 낮은 가벼운 슬래그를 만들어 용융 금속의 표면을 덮어서 산화 질화를 방지한다. ... (다) 가스 발생제 : 이 물질은 중성 또는 환원성 가스를 발생하여 아크 분위기를 대기로부터 차단하여 보호하고 용융 금속의 산화나 질화를 방지하는 작용을 한다.가스 발생제에는 녹말,

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.09

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  미생물 관찰

  수소이온농도(pH)-. 용존산소(DO)-. 탁도-. 현미경 관찰4. 결과5. 고찰1. ... 슬러지 체류시간이 길고 질화가 진행되고 있을 때 또는 용존산소 농도가 높을때 다량으로 출현한다.22-Poteriodendron (식물성 편모충류) : 낚시방울모양의 각을 가지며 군체를 ... 용존가스, 환원성 물질, 휘발성 유기물질, 유류 및 수소이온 등을 측정하기 위한 시료는 운반중 공기와의 접속이 없도록 가득 채워져야 한다.-.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.23

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  셀룰로오스의 공업적 응용

  인조섬유의 제조는 인조견사에서 비롯되었는데, 이온 제조에 가장 많이 쓰이고 있다. ... 소화, 흡수되지 않으면서 장을 자극하여 장의 운동을 도와 변비예방에 도움을 주므로 이러한 특징을 이용하여 식품산업에도 이용되고 있다.화학적으로 처리된 셀룰로오스는 니트로셀룰로오스(질화면

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.05

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  [재료공학실험] 진공과 pvd, cvd

  진공용 기재료(초고진공용 재료라고도 한다)로는 스 테인리스강(鋼)계통이 많이 사용되며, 질화티타늄을 피복한 알루미늄합금도 쓰인다. ... 코팅막종으로써는 주로 질화티탄 (TiN)막인데 최근 새로운 피막의 개발이 활발해지고 TiCN, TiC, ZrN, CrN, HfN, TiIN 등의 공업적 응용 단계에 들어가고 있다. ... PVD법은 진공용기중에서 금속을 증발시켜 증발입자가 피증착물에 도달하기까지 어떠 한 방법으로 이온화시켜 피복해야할 물체에 이온, 여기입자, 중성입자 등을 부착시키는 방법이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15

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  [취성] 취성(embrittlment)

  650-790℃사이에서 소려함으로써 연화시킬 수 있다.2 Temper Embrittlement ( TE ): 템퍼링 ( 375∼575℃ )후 수시간 경과 ( 707∼1070° )→천이온도상승 ... 순도가 낮은 P와 N등의 불순물이 많을수록 심하게 나타난다◎ 고온 뜨임 취성(500℃ 취성)500℃전후 뜨임 열처리시 충격치가 급감하게 되는데이것을 결정 입계에 탄화물, 인화물, 질화물 ... 나타난다.◎ 제2차 뜨임 취성(2차 경화)합금강에서 600℃ 전후의 뜨임에 의하여 현저하게 경화하는 현상이다.이를 방지하기 위해서는 P, Sb, N등 감소, 고온 뜨임 후급냉(탄화물, 질화물

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.29

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