"DC GAN" 검색결과 41-47 / 47건

• 

  L.E.D. 란?

  Light Emitting Diode(발광 다이오드)의 머리 글자를 딴 것으로 직류(DC) 가 흐르면 발광하는 반도체이며, 다이오드의 하나이다. ... White Light 만드는 공정L.E.D.의 재료질화물 반도체(Nitride Semiconductor)■ Bandgap and lattice constants of GaN-based

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.15

  다운로드 장바구니
• 

  [박막증착]박막증착

  기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... (CVD)APCVD, LPCVD, PECVD, EPITAXY, MOCVDSOL_GELDIPPING물리적 박막 형성진공증착법 (Evaporation)SputteringDC, RF, DC ... 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.20

  다운로드 장바구니
• 

  [일반물리학]오실로스코프 사용법

  출력 신호를 프로브의 교정 트리머로 조절하여 교정할 수 있다.오실로스코프의 기본 측정(1) 직류 전압 측정1) 입력 신호를 수직 입력 단자에 접속하고, 수직 입력 절환 스위치를 GAN에 ... AC-DC를 모두 볼 때 사용한다.입력전압의 크기가 GND 상태의 기준위치에 대한 높이로서 나타난다.㉢ AC 상태 : 파형중에서 DC성분을 제외한 나머지 AC성분만을 따로 보고자 할 ... 스위치를 이 상태에 놓으면 수평선이 나타나고 그 위치가 기준 위치, 즉 0[V]의 상태이다.㉡ DC 상태 : 일반적인 측정에서는 항상 이 상태로 놓고 측정한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.08

  다운로드 장바구니
• 

  [led-ld-lcd-pdp] led-ld-lcd-pdp

  DC Plasma Display전극이 방전공간에 노출되어 직류전압으로 구동하는 것이다. ... 광통신시스템의 경우 긴 파장이 요구됨.GaAs, GaP, GaAsP, SiC, InSb, PbS, GaN, AlGaAs, InGaP※GaAs diode : 실온에서 1.4eV, 8900Å ... DC형은 Refresh방식에 의한 구동이기 때문에 구동회로는 간단하지만 가짜 발광을 막기위해 방전셀간에 분리하는 장벽(Barrier)을 설치하여 판넬구조가 약간 복잡하다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

  다운로드 장바구니
• 

  오실로스코프의 특성

  오실로스코프의 기본 측정(1) 직류 전압 측정1) 입력 신호를 수직 입력 단자에 접속하고, 수직 입력 절환 스위치를 GAN에 놓는다.2) 입력 신호가 양(+) 극성이면 그림Ⅴ-70처럼 ... 입력 절환 스위치로 직류 전압을 측정할 때에는 DC, 교류 전압을 측정할 때에는 AC로 스위치를 조정하여 측정한다.(5) 전압 감쇄 조절기스크린상에 나타나는 수직 입력 신호 파형을 ... 있다.(2) 초점 조절기강도 조절기와 스크린상에 가장 예리한 트레이스를 제공한다.(3) 수평/수직 위치 조절기트레이스의 수평/수직 위치를 조정하는데 사용된다.(4) AC-GND-DC수직

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.13

  다운로드 장바구니
• 

  [일반물리학실험(II)] 물리학실험-전자측정연습 결과보고서

  .⊙ 직류 전압 측정1) 입력 신호를 수직 입력 단자에 접속하고, 수직 입력 절환 스위치를 GAN에 놓는다.2) 입력 신호가 양(+) 극성이면 아래 부분에, 음(-) 극성이면 윗 부분에 ... 휘선을 놓는다.3) 전압 감쇄 조절기를 조정한다.4) 수직 입력 절환 스위치를 DC로 한다.5) 입력 신호가 양(+) 극성이면 휘선이 위로 올라가고, 음(-) 극성이면 아래로 내려간다

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.02

  다운로드 장바구니
• 

  LED 기술의 현재동향과 발전가능성

  질화물계 LED 성장을 위한 MOCVD 반응 매커니즘11[그림 2-7] LED 패키지 및 모듈의 기본구조13[그림 2-8] 사용분야에 따른 LED 패키지 분류13[그림 2-9] LED DC ... 있고 열일 수도 있다.LED를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN

  논문 | 36페이지 | 3,300원 | 등록일 2010.03.23

  다운로드 장바구니