"DRAM" 검색결과 41-60 / 2,603건

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  [전자소자] DRAM capacitor의 전하 누설 원인

  DRAM Cell Capacitor의 Charge가 소멸되는 원인인 Leakage의 3가지 path를 기술하고 각 path의 원인을 기술하시오DRAM에서 정보(“0” 또는 “1”)의 ... 마지막으로 Off Leakage는 DRAM의 전체적인 구동전압이 낮아짐에 따라, MOS gate의 작동전압, threshold voltage도 같이 낮아지게 된다. ... 따라서 DRAM의 동작속도를 높이고, 전력소모를 줄이기 위해서는 Capacitor charge의 leakage 원인을 파악하여 최소한으로 줄이는 것이 필수적이다.이러한 Leakage의

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.31

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  [경영전략]삼성의 DRAM 산업 진출과 산업의 Dynamics

  과연 어떤 방식이 DRAM 산업에 더 적합한 모델일까? ... 이런 면에서 DRAM 생산라인에 대한 대규모 투자를 동결하는 것이 적절할 것으로 보인다. ... 군소 DRAM 업체들이 인수합병과 전략적 제휴를 활발하게 시도하면서 산업을 재구성하고 있는 것이다.

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.01.27

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  [컴퓨터] DRAM과 SRAM정의및 차이점

  DRAM ( Dynamic RAM )DRAM은 단일 포트를 가지고 한번 처리에 단 하나의 작업만을 할 수가 있는 RAM입니다. ... 전자컴퓨터 공학부 2반2004038850 김 영 승※DRAM과 SRAM이란?1. ... ※DRAM과 SRAM의 차이점DRAM(DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY)는 SRAM과 다른점은 정적램이 반도체에 데이터를 저장하기 때문에 속도가 빠르고 다이나믹램과

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.31

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  [컴퓨터] 삼성반도체(Dram)시장분석

  ..FILE:2003년도삼성반도체(Dram)시장분석1.ppt..PAGE:1..PAGE:2◆연구의 목적과 의의◇한국 경제의 견인차 역할을 하고 있는 삼성의 반도체.삼성의 반도체 가격과 ... 가시적인 움직임이 변화하고 그에 따라 국가경제와 신용도에도 막대한 영향력을 보이고 있다.이에 삼성반도체의 추위변화는 중요한 사회적, 경제적 이슈이며 특히 삼성반도체의 세계1위인 dram ... 부분의 적정생산량과 최대평균이익을 구하는 것은 의미가 있다 하겠다..PAGE:3◆연구의 절차▷1.2002년 자료의 분석을 통한 2003년도의 삼성반도체(dram)의 자료 예측(단위원가

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.25

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  DRAM의 기본적인 작동원리

  실험 예비보고서99420 160 김재일DRAM의 기본적인 작동원리DRAM 메모리의 구조는 스프레드시트를 연상하면 된다. ... 하지만 근래에 와서는 FPM DRAM을 거의 사용하지 않는다. ... Asynchronous 방식을 개선한 DRAM으로는 EDO RAM과 BEDO RAM도 있다.Synchronous OperationSynchronous interface에서는 DRAM의

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.10.12

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  반도체 Packaging의 신뢰성문제, Bilayer passivation in DRAM device (PPT자료)

  The Effect of Modifying the Bilayer Passivation Structure Reliability in DRAM Device시립 인천 대학교 신소재공학과 ... Stress-related Reliability Problems of Passivation-layer Materials in DRAM device written by Seong-Min ... No.4 1998 P.527~530 -The effect of Modifying the Bilayer Passivation Structure Reliability in DRAM Device

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.22 | 수정일 2017.11.04

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  [A+] 인텔 인사이드 경영전략 분석 / Intel 마케팅 / DRAM 사업 / 마이크로프로세서 사업 / 외부환경 분석 / 경쟁사 분석 / SWOT / 성공요인 / 실패요인

  사례 분석1) DRAM- 외부환경 분석 - 일본 경쟁사들의 SWOT분석- DRAM S W O T 분석- 성공요인 / 실패요인2) 마이크로프로세서- 산업구조분석- S W O T 분석- ... DRAM 산업에서 Intel의 뛰어난 경쟁 역량 (distinctive competencies)7. 1980년대 초반 DRAM 산업의 중요 성공 요인(key success factors ... 사례 요약1) DRAM 사업에서의 인텔2) 마이크로프로세서 사업에서의 인텔3.

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 (25%↓) 1875원 | 등록일 2012.12.03

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  DRAM,ASIC,ROM,EPROM and MISFET

  DRAM이나 SRAM과는 달리 EPROM 칩은 데이터를 보존하는데 전력이 공급될 필요가 없다. ... - DRAM (Dynamic Random Access Memory, 동적 램) -컴퓨터의 주기억장치에 사용되는 기억소자의 일종이다. 정보를 읽고 쓸 수 있는 장치. ... DRAM은 콘덴서의 전하 충전 기능을 이용하여 데이터를 기록하므로 전원을 끄지 않아도 일정한 시간이 경과하면 콘덴서에 충전된 전하가 서서히 방전되어 RAM에 기억된 내용이 소멸된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.08.06

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  [전자회로] ADC DAC SRAM DRAM Mosfet pspice simulation

  1. DAC and ADC circuits operations왼쪽의 그림은 pdf파일의 첫 번째 그림으로 DAC의 대략도를 나타낸 것이다. 이는 Text의 Fig. 10.32와를 제외하고 같은 4bit DAC이다. 80k에 입력되는 전압이 MSB이고 10k에 입력되는 ..

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.05.03

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  RC회로의 과도 응답과 DRAM동작원리, 오실로스코프의 AC커플링과 신호의 왜곡, RC회로의 주파수 응답과 필터, RL회로의 과도 응답과 주파수 응답 결과보고서

  실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM 동작원리(1)RC회로의 과도 응답1. 1kΩ저항과 0.1μF capacitor로 다음의 회로 6-1을 구한다.2. ... 그러나 주파수를 높이면 C의 임피던스는 급격히 낮아지게 되고 따라서 도통하게 되는 것으로 보이게 된다.(2)DRAM의 동작원리1. 다음의 회로 6-2를 구성한다.2. ... 그러나 LED를 통과하며 전하가 방전이 되면 다시 충전해야만 1이라는 데이터를 기억할 수 있는데, 이러한 문제를 해결하기 위해서 DRAM에서는 Refresh를 하게 되어 있다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.16

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  작업기억용량과 부화, 용량처리능력에 따른 컴퓨터분류, DRAM(디램)의 용량과 발전, 공유캐시에 따른 버스사용량연구, 용량측정기구의 사용 방법 분석(작업기억용량, 용량처리능력, 버스사용량, 용량측정기구, 용량)

  (Dynamic Random Access Memory), 64M DRAM과 256M DRAM을 거쳐 현재에는 한글로 작성된 200자 원고지 96만장이나 신문지 약 24,000페이지 ... 이상의 정보를 넣을 수 있는 3G DRAM까지 집적도가 향상되었다. ... 작업기억용량과 부화, 용량처리능력에 따른 컴퓨터분류, DRAM(디램)의 용량과 발전, 공유캐시에 따른 버스사용량연구, 용량측정기구의 사용 방법 분석Ⅰ. 작업기억용량과 부화Ⅱ.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.11.08

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  Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND

  DRAM Burst EDO DRAM SDRAM(Synchronous DRAM) ROM(Read Only Memory) 종류 Memory Cell 의 동작 Data Write(Program ... RAM (Random Access Memory) 2) DRAM( Dynamic RAM )_ 구조CPU 는 Row Address 를 Address 라인으로 출력 CPU 는 이를 DRAM ... DRAM 에 access 시 마다 Row/Column 을 보내야 하기 때문에 성능이 낮다 .

  리포트 | 42페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.01.16

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  반도체공정 Report-3

  이후 1970년 Intel에 의해 1Kb MOS DRAM이 개발된 이래 삼성전자에 의한 1992년 64Mb DRAM 개발, 1994년 256Mb DRAM 개발, 그리고 현재에 이르기까지 ... Commodity DRAM 및 embedded DRAM 소자의 집적화를 위해서는 여러 소자 공정 요소 기술의 개발이 중요하지만 그 중에서도 data의 저장 역할을 수행하는 capacitor ... 이에 차세대 DRAM capacitor에 적용되는 유전막의 후보 물질이 몇 가지 존재하며 이 중 특히 활발히 연구되는 종류가 있다.다음 그래프는 DRAM capacitor의 변천을

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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  삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료

  , NAND보다 공정 비용이 낮을것으로 예상되는 신개념 소자 도입.DRAM은 STT-MRAM, NAND는 RRAM, 3D-XPOINT가 있음. ... DRAM?28. NAND FLASH MEMORY?29. 3D NAND FLASH MEMRY?30. SRAM?31. GAA와 MBCFET?32. EUV공정 원리, 사용하는 이유? ... 커패시터의 형상비(Aspect ratio)가 50:1~100:1 수준으로 증가하면서 공정이 어려워 짐③NAND의 셀 간 간섭에 의해 20nm 이하로 더 이상 미세화 하기 힘들어짐>DRAM

  자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07

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  [특허청] 배치설계설명서

  ProcessorOthersProcessor & Micro-controller4MemoryCache Memory, CAM, FIFO / LIFO, PSRAM,Asynchronous DRAM ... , Synchronous DRAM,Graphic Memory, Asynchronous SRAM,Synchronous SRAM, Mask ROM,Flash Memory, Others5Physical

  서식 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2023.03.13

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  동일 기업에 대한 애널리스트 분석 보고서를 찾아 두 보고서의 차이점을 정리 자신의 의견을 정리하시오. 재무관리

  NAND 부문의 영업 적자 폭이 확대되며, DRAM의 수익성 개선 효과를 상쇄시켰기 때문으로 파악된다. ... DRAM은 HBM과 DDR5 등 고부가 제품 판매가 집중되면서, 영업이익률이 1Q23 -50%에서 2Q23 -9%로 크게 개선된 것으로 추정된다. ... 동시에 HBM에서의 리더쉽을 확보하지 못한 것이 다소 아쉬운 일이나, DRAM 가격 상승기에는 하락기에 비해 HBM 프리미엄 효과가 상대적으로 약화할 수 있다.

  리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.01.16 | 수정일 2024.02.20

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  반도체공정 레포트 - High-k

  이러한 RAM에는 DRAM과 SRAM이 존재한다.2. ... DRAM (Dynamic RAM)DRAM은 앞서 소개했듯이 Volatile memory에 속하며, 아래의 그림과 같이 기본적으로 Transistor 1개와 Capacitor 1개로

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.11 | 수정일 2024.06.19

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  삼성전자, SK하이닉스 메모리 지원자들이 꼭 봐야할 핵심 요약 자료

  메모리 반도체는 데이터를 저장하고 읽어오는데 사용되는 반도체 로, 대표적인 종류로는 DRAM, NAND Flash, NOR Flash 등이 있 습니다.

  자기소개서 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.03.07

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  High-k report

  이와 같이 높은 정전 용량을 확보할 수 있어 STO 및 BST는 향후 20nm 이하 급의 DRAM 소자의 유전재료로써 연구가 진행되고 있다. ... 클수록 capacitance가 증가한다.C= ĸɛ0s/d (ĸ: 유전상수, ɛ0: 진공의 유전율, d: 전극간 거리, s: 표면적)------(1)현재 많이 사용되고 있는 소자들인 DRAM과 ... Transistor의 문제는 뒤에서 다루기로 한다.Fig.1 Major advancement in DRAM cell innovation초기에 이용되었던 SiO2에서 HfO2, Ta2O5

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  [사진5] Dram 구조여기서 Dram은 capacitor에 의해 누설전류가 생기게 되고 이를 보안하기 위해 refresh과정이 필요하게 된다. ... Capacitor와 MOSFET의 gate oxide 2개로 볼 수 있다.Dram capacitorDram의 구조는 다음과 같이 하나의 트랜지스터와 하나의 capacitor로 구성 ... 이 refresh time이 길수록 Dram의 성능은 좋아지게 되는데 이문제의 핵심은 바로 capacitor이다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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