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"Etch rate" 검색결과 41-60 / 139건

  • [A+ 보고서]패터닝 결과보고서
    mode)로 설정한 후 가스 밸브를 열고 flow rate controller에서 Ar을 10sccm으로 C2F6을 20sccm으로 설정한다.main chamber 밑의 진공 펌프를 ... .3번 시료와 가 들어있는 상태로 다시 main chamber 내부의 압력을 진공으로 만들다.chamber 왼쪽 위의 밸브를 PR 제거 모드로 설정한 후 가스 밸브를 열고 flow rate ... Etching을 하기 전보다 후가 약간 더 증가함을 알 수가 있는데, 이는 Etching에서는 PR보다 SiO2가 더 잘 Etching 된다는 것을 알 수 있다.다음은 2번과 3번시료를
    리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.02.24
  • VLSI공정 7장 문제정리
    그림과 같이 화학적 식각과 물리적 식각만 사용하면 etch rate가 낮기 때문에 두 구지 메카니즘을 동시에 사용하여 식각률을 높인다.b) RIE에 비교하여 ICP와 ECR의 특징- ... 또한 etch rate의 control이 좋다는 장점이 있으며, 마지막으로 gas를 사용하는데 있어서 낭비되는 양이 적기 때문에 환경적으로도 좋다는 장점이 있다.c) Cathod dark ... 실리콘 기판의 표면을 화학용액으로 처리하여 전위밀도(dislocation density)를 측정하는 방법을 (2종 이상) 설명하라.1) EPD(etching-pit-density):
    리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03
  • PECVD 공정
    fusion - ICF) - Plasma-based weaponry Ion implantation Ion thruster Plasma ashing Plasma CVD Plasma etching ... frequently cleaningLPCVD reactor (low pressure CVD) : utilizes vacuum ( 10 Pa) to increase deposition rate ... Chemical reactions are involved in the process, which occur after creation of a plasma of the reacting rate
    리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.06.15
  • 3-5족 박막형 태양전지 제조공정 및 실습결과
    [ELO 순서 ] AlAs layer( 희생층 ) 을 HF 로 제거 * Etch selectivity = 10 7 : 1 ( AlAs : GaAs) * GaAs substrate ... ocm-group-university-of-michigan/ http://www.nature.com/articles/ncomms2583 http://spie.org/newsroom/5726-separation-rate-improvement-of-epitaxial-lift-off-for-iii-v-solar-cells
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.09.15
  • 매틀랩을 이용한 공정제어프로젝트
    두 제어변수는 궁극적으로 etch rate을 결정한다. ... 일반적으로 etch 속도는 쉽게 측정되지 않는다. 그래서 다른 변수들을 측정하고 제어함으로써 etch rate을 잘 제어 할 수 있다고 가정한다. ... 에칭은 반도체소자의 제조 공정에서 반응성 이온은 웨이퍼(wafer)표면에 회로의 배선 패턴을 형성하여 고체 필름 층을 선택적으로 제거(etch)하기위해 사용된다.그림 1 플라즈마 에칭
    리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.12.02
  • 표면처리 및 설계 (논문해석 : 포토에칭)
    Experimental results and discussion Nd:YAG laser diameter : 0.9cm λ : 1064 nm Pulse width : 6 ns Repetition rate ... fabrication of double-layered metal thin film pattern for the electrodes of electronic device Photo etching ... Application field Photo etching Abstract Introduction They still cannot replace lithography due to the
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.11.25 | 수정일 2015.11.26
  • [OLED, LED] (Sputtering) 금속 박막 특성 평가
    rate 측정① Etch rate를 측정하기 위해 먼저 etchant용액을 제조한다.Etch rate 측정② etchant용액은 etch를 하기 위한 용액으로 Teflon Beaker에 ... Sheet Resistance, Resistivity, Etch rate의 개념을 익히고 four probe measurement의 사용법을 익힌다.2. ... Rate를 측정하기 위해 우리는 3개의 금속 박막 샘플을 준비하여 각각 2분 30초, 5분, 7분 30초동안 etchant용액에 넣어 Etch
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.05
  • [2015 년도 A+] 패터닝 결과레포트
    Rate (식각속도)Etching 시 깎인 두께를 시간에 대해 나눠주면 식각속도를 구할수 있다. ... 다르게 하여야한다.Etching시에는 레버를 앞쪽으로, Ashing시에는 레버를 뒤쪽으로 놓고 진행한다.⑤ Etching과 Ashing 과정이 끝난 1, 2, 3, 4번 웨이퍼를 ... Etching만을 진행한 1번과 3번 / 그리고 Ashing까지 진행한 2번과 4번의 평균두께를 출력값에 따른 그래프로 나타내면 아래와 같다.2) Data를 이용한 결과도출(1) Etch
    리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.11
  • 반도체 제조 공정 (P-N Junction) 반도체 공학
    식각 속도는 패턴의 집적도와 형태와 크기에 관여하기때문이다 . - 식각 속도 (Etch Rate) - 예제 1 Etch Rate 는 낮을 수록 효율이 높다 . ... ) 용액을 도 포 . ※ BOE 용액은 Metal 과 SiO ₂모두 녹이지만 Etch Rate 를 조절 Metal 만을 식각한다 . ... 균일도 결과 값이 낮다는것은 Wafer 의 모든 식각면이 비슷한 Rate 로 식각이 되었다는것을 증명한다 .반도체 제작 공정 3-1 선택적 식각 (Selective etching)-
    리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.18 | 수정일 2013.11.21
  • 반도체공정실험 Final Report
    또한 Etching Selectivity는 어떠한 두 물질의 Etching rate의 비로 여기서 우리의 Etching 대상은 Oxide이므로 Oxide의 Selectivity를 기준으로 ... 그림 12에서 Exposu와 같이 5분간의 etching 과정을 거친다.6) etching 과정을 마친 후, FE-SEM을 이용하여 etching된 Oxide 두께를 측정한다.7) ... Discussion이번 실험에서 우리 조는 Etching time을 5분으로 고정시키고 Source Power를 변화시키면서 Etching Depth 및 패턴을 알아보았다.
    리포트 | 13페이지 | 8,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11
  • DRY ETCHING
    플라즈마 ETCH 의 반응 원리 건식 식각의 분류 PLASMA 의 이해 건식 식각의 활용 방법 PLASMA 를 이용한 건식 식각의 용도 식각률 (Etch Rate) 균일성 (Uniformity ... Rate) 식각률은 그림에서와 같이 식각이 진행되는 동안 재료가 웨이퍼 표면으로부터 제거되는 속도를 의미 . ... 05.21 R E P O R T목 차 Dry Etch 란 ?
    리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.21
  • [고려대 재료공학실험IV 결과보고서] 분무건조 장치를 통한 난황구조를 갖는 리튬이온 전지 음극소재 합성
    따라서 이 C-rate 그래프를 통해 얼마나 많은 용량을 가질 수 있는지, 처음보다 용량이 얼마나 떨어지는지를 측정할 수 있다. ... ) YSNs with multiple shells, and (D) YSNs with a raspberry-like core일반적으로 액상에서의 난황구조의 합성은 Selective etching ... 따라서 이것이 리튬의 삽입-탈삽입 과정에서 부피 변화 버퍼의 역할을 하여 충전 용량 유지를 효과적으로 향상 시킬 수 있다.2) C- rate 그래프처음 수평 구간이 1A 전류를 걸어준
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.17
  • 건식식각공정
    Rate) : Plasma Etch에 의하여 식각된 막질의 두께량을 말하며 보통 1분간 식각 되어 진 양으로 환산 표시한다. ... (Metal)사이, 또한 Metal과 Metal사이에 들어가는 산화막 Etch인 Contact Etch와 Via Etch, 제조 공정 마지막 단계에 해당하는 Pad Etch 등이 있다 ... DAMAGE가 발생하며, POLYMER 찌꺼기등이 발생하고, 현재 대부분의 식각 공정에 사용한다.건식식각의 원리플라즈마 ETCH흔히 DRY ETCH라고 하면 플라즈마 ETCH를 의미한다
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21
  • 습식식각공정
    OXIDE에 대한 ETCH RATE이 떨어집니다. ... 특성WET ETCH의 가장 대표적인 특성은 PATTERN의 식각 형태가 등방성(ISOTROPIC ETCH)을 나타내는 것입니다.Pattern을 깍을때 WET ETCH는 등방성 식각 ... 식각 후 설계상의 PATTERN 크기보다 커지거나 작아지게 되어 미세한 PATTERN의 가공이 어려워 WET ETCH 자체로는 공정 적용이 되지않고 DRY ETCH와 동시에 적용되며
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21
  • 성대 고체역학실험 (A+) - Metallurgical Microscope Test 결과레포트
    Metallurgical Microscope, Mounting Press, Polisher, Emery Paper, Furnace, Etching Solution is used for ... polish the surface of the test specimen, a corrosive is made of many chemical solutions from the fixed rate
    리포트 | 9페이지 | 3,500원 | 등록일 2017.01.06
  • TCO
    (뿌옇다) [ ~4% 가량](3) 공정 중에 Coverage rate가 42.25%를 넘어가면 투과도가 80% 아래로 떨어진다.3.6 CNT, Graphene1) 장점(1) Flexible이 ... 이런 방식의Etching 방식에는 Dry Etching과 Wet Etching이 있다.이 외에 Etching 방법으로는 Roll-to-Roll 공정에서 ITO Etching Paste가 ... Etching Resist, Etching Paste3가지 방식으로 나눠진다.
    리포트 | 41페이지 | 6,000원 | 등록일 2013.07.14
  • ETCHING
    Reactive Ion Etch (RIE) • High etching rate requires high plasma densities • Higher pressures (more gas ... Etching 1 Contents 1. Introduction to the etch process 2. Dry etching 3 . ... Dry etching Application 4. Wet etching 2 Introduction to the etch process 3 What is the etching?
    리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
  • 메모리 반도체 제작 과정 및 이론 설명 ppt
    Dry etching식각 (etching) 식각모드 그림반응성 이온식각 (RIE) Company Logo식각 (etching)- 반응성 이온식각식각 (etching) 감광막 제거 ( ... DATA DDR (DUBLE DATA RATE) (CL=3 인경우 )DRAM 동작 원리DRAM 제조 www.themegallery.com Company LogoDRAM www.themegallery.com ... ashing )식각 (etching) Dry 플라즈마 고주파 자외선 오존 Wet 솔벤트 비용매용액 Wet 솔벤트 ashing식각 (etching) 저진공 Working pressure
    리포트 | 72페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24
  • F6 리튬이차전지용 비탄소계 음극활 물질
    표준전극 전위에 근접한 전위를 가져야 하고,2) 부피당, 무게 당 에너지 밀도가 높아야 하며,3) 뛰어난 사이클 안정성 (높은 쿨롱 효율) 을 보여야 하고,4) 고속 충방전 ( Rate ... Nanoporous SiO- 관련 문헌: DOI 10.1002/anie.201108915- Synthesis of nanoporous SiO by metal-assisted catalytic etching
    리포트 | 14페이지 | 20,000원 | 등록일 2017.10.15
  • 포토 공정과 에치공정
    식각 공정이 일어나는 비율을 etch rate라 하며 같은 비율로 모든 방향에 공정이 진행될 때 등방성 식각(isotropic) 이라 부른다. ... Etching 공정의 개요Etching 공정은 현상공정 후 photoresist에 의해 표시된 부분을 제거하는 공정이다. ... 화학물질을 사용하는 Wet etching 은 일반적으로 등방성 식각이 되고 플라즈마 반응을 이용하는 dry etching 은 이방성 식각이 된다.
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.10
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2024년 09월 15일 일요일
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방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대