"GaN의 식각" 검색결과 41-45 / 45건

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  LED-발광다이오드

  일부분까지 식각한다. ... 절연 시키기 위하여 단위 소자와 단위 소자 사이를 기판까지 식각한다. ... 우선 기판 위에 약 20-30nm 정도의 버퍼를 성장하고 그 위에 2-4μm 정도의 n형 GaN (n-GaN)를 성장한다. n-GaN 성장시 도너로서 Si을 도핑한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.21

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  [재료공학과] 유도결합형 플라즈마를 이용한 사파이어 식각

  또한 사파이어는 높은 화학적 안정성으로 인하여 적절한 식각액이 없는 등 그 습식식각이 매우 어렵다는 문제점이있기 때문에 다른 방법의 식각이 필요하다.[3] GaN계파이어 식각 속도 ... 특히 코랜덤 구조를 지닌 α-Al2O3인 사파이어(알루미나(Al2O3)가 2300℃이상에서 단결정으로 성장된 결정체)는 GaN계의 Ⅲ-Nitride과 같은 광전소자의 제조시 애피택셜 ... 광전소자의 제조시 사파이어 웨이퍼를 사용함에 있어 발생되는 문제점의하나는 사파이어의 벽개(cleavage)면과 GaN의 벽개면이 일치하지 않고 사파이어가 지니는 강도로 인하여 소자제조

  리포트 | 49페이지 | 3,000원 | 등록일 2002.12.07

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  태양전지용 ZnO계 투명전극층의 표면거칠기의 평가 및 결정성 분석

  .○ 반도체 소자로 응용하기 위해서는 몇 가지 장애가 있는데, 예를들어 p형 반도체 도핑이 GaN보다 어렵고, Zn과 O의 조성에 따라 전자의 농도가 변화하는 등, 반도체의 극성을 ... 60nm) → 상대적으로 flat(80~100nm)◈ 200nm의 두께에 따른 strain 발생 → 결정성 저하▣ 개선방안◈ Light trapping 위한 거칠기 증가 → 선택적 식각

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.13

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  [디스플레이]디스플레이 - LED

  그 후, 단위 발광 소자를 전기적으로 절연시키기 위하여 단위 소자와 단위 소자 사이를 기판까지 식각한다. ... LED를 발표하였다. 1994년에는 니치아 화학공업주식회사의 나카무라 슈지가 저온 성장된 GaN 버퍼를 사용하여 양질의 질화갈륨 박막을 성장하고, 고효율의 GaN p-n 접합 LED ... 그 후 LED는 양질의 InGaN/GaN 양자 우물 구조를 활성층으로 고휘도 청색 LED가 개발되면서 LED 연구가 급속도로 활성화 되었다. 1995년에는 고휘도 녹색 LED가 개발됨에

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.03.25

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  [화학실험]ALD공정의 기본원리를 이용한 박막제조 및 특성평가(final)

  Gecompound SemiconductorⅡ-Ⅳ compoundZnS, ZnTe, CdTe, HgTeⅢ-Ⅴ compoundGaAs, AlAs, InP, GaPNitrideAlN, GaN ... .· 부식에 대한 저항성이 크고, 쉽게 식각되어야 한다.라)ALD의 응용분야Si SemiconductorDiffusion BarrierTiN, TaN, WN, TiSiN, TiAlNPassivation

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.02

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