식각이 끝난 다음에는 보호막으로 사용되었던 PR을 제거한다Gate MaskSource/Drain Doping(N+)N(+,-), p(+,-) :indcate very heavy and ... OxidationField Oxidation과정에서 질화막 위에 아주 얇게 형성된 산화막을 제거한 후, 질화막을 약 170[℃]의 H₃PO₄용액에서 습식 식각으로 제거한다(Nitride Removal ... 건식 식각 한 다음 PR을 벗긴다.Metal MaskMetal Definition금속과 실리콘간의 접촉 특성how}