"InGaN" 검색결과 41-60 / 153건

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  반도체 레이저 다이오드 (대학원 발표자료)

  MOCVD, strained QW, Surface emitting 1995- 1 µm InGaAsP 0.5 µm InGaN Wavelength tuning Integration Nano ... 1990 0.78µm GaAlAs 1µm band InGaAsP Low noise High coherence 1990-1995 0.6 µm AlGaInP 0.4 µm UV/blue InGaN

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.08

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  LED 보고서

  .6 조 LED 의 재료 재료 - 비소화갈륨 : GaAs - 알루미늄 비소 인 : AlGaAs - 빨간색 인화 갈륨 : GaP - 빨간색 , 노란색 , 녹색 인듐 질화 갈륨 : InGaN

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.04.12

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  LED의 구조와 기본 원리, LED산업의 전망

  청색에서 적색에 이르는 모든 파장과 백색을 생산하는 LED는 높은 휘도를 얻기 위해서 두 가지 화합물(ALGaInP, InGaN)이 널리 사용된다(산업교육연구소, 2008 ; 정재열 ... 소자재료파장제조기술재료파장제조기술적색AlGaAs660LPEAlGaInP644MOCVD주황색GaAsP610VPEAlGaInP612황색GaAsP585VPEAlGaInP590녹색GaP570LPEAlGaInP562,574GaP555LPEInGaN525청색InGaN450자외선InGaAlN

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.23

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  LED 와 white LED의 비교

  특히 InGaN계 LED를 청색 및 녹색광원에 사용하면 디스플레이로서 사용할 때의 색 재현영역은 )NTSC 규격을 충분히 커버 할 수 있다. ... 이러한 원인은 InGaN계 LED의 장파장에서의 발광효율이 낮기 때문이고, 이 영역에서의 발광효율이 Blue계열로 올라가면 대단히 효율이 좋은 소형 White LED가 실현가능하게 ... InGaN LED의 색도 재현범위 RGB LED의 최적조합2 골드와이어를 이용하여 전극을 형성시켜주고, 청색칩의 상층부의 사출 반사판 내부에 YAG(Yttirium Aluminum

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.22

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  전압인가시 LED에 흐르는 전류와 발광시점 측정

  사용하여 다양한 색의 발광 다이오드를 만들 수 있다.알루미늄 갈륨 비소 (AlGaAs) - 적외선, 빨간색갈륨 비소 인 (GaAsP) - 빨간색, 오렌지색, 노란색인듐 질화 갈륨 (InGaN

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16

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  LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

  GaN은 In의 조성비에 다라 적색에서 near UV까지 발광할 수 있는 InGaN의 박막 성장이 가능함에 따라 고휘도 청색 및 녹색 LED의 출현이 가능하게 되었다.4. ... 사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명이 시작되었다고 볼 수가 있다. 1993년 말에는 일본의 니치아 화학에서 InGaN 고휘도 청색 LED가 개발되었고, 1995년에는 ... 또한 순 녹색의 발광도 얻어지지 않았으나 추후 InGaN의 박막 성장이 성공하게 됨에 따라 고휘도 녹색 LED의 구현이 가능하게 되었다.청색 LED는 가장 실현하기 어려웠던 색으로

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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  아주대 기계설계 분야별 실험3

  제조 공정을 청색 LED를 예를 들어 설명하면, 청색을 내는 반도체 재료로는 GaN가 있으며, Sapphire (Al2O3)나 SiC 기판 상에 N형 반도체(N-GaN)와 활성층(InGaN

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.07.22

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  LED (Light Emitting Diode)의 이해국내 LED산업의 문제점&발전 전략

  III-V 족 , III-III-V 족 , III-III-III-V 족 또는 III-III-V-V 족 결합 LED 재료 적색 LED : AlGaAs, InGaAlP 녹색 LED : InGaN ... 청색 LED : InGaN UV LED : GaN, InAlGaN IR LED : GaAs, InGaAs, InGaAsNLattice constant a o (Angstoms) Bandgap

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.01 | 수정일 2017.09.25

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  White led의 정의

  /GaN) Blue (InGaN/GaN) UV (InGaAlN/GaN) 고온- 고전압 등의 악조건에서 내구성이 양호LEDLED(Light Emitting Diode)란? ... Ⅲ- Nitride Semi conductors)넓은 범위의 밴드갭 조절 가능 : 적외선 가시광선, 자외선 총 천연색 발광소자 가능 Red (InGaAlP/GaAs) Green (InGaN

  리포트 | 19페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.01.02

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  세미나발표염

  – V 족 II – IV 족 IV - IV 족LED 발광파장영역 - 발광재료 Ga 1-x Al x As GaAs 1-x P x InGAlP GaAs 1-x P x AlP GaP InGaN

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.22

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  LED 제조공정 및 개요

  LED 를 예를 들어 설명하면 , 청색을 내는 반도체 재료로는 GaN 가 있으며 , Sapphire (Al2O3) 나 SiC 기판 상에 N 형 반도체 (N- GaN ) 와 활성층 ( InGaN

  리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  LED 개요 및 제조 공정

  전압 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하고 에너지 Gap에 해당하는 만큼의 전기에너지가 빛 에너지로 방출되는 원리 저전력 소모 , 반영구적 수명, 친환경 특성LED 재료 : InGaN ... -.MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) (유기금속화학기상증착법) 장비로 GaAs나 InP와 같은 2원계 화합물뿐만 아니라 3원계(InGaN ... (UV-Blue-Green), AlGaInP (Orange-Red)□ InGaN : UV~Blue~Green - Direct bandgap emission over entire visible

  리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.07.24 | 수정일 2016.11.16

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  LED에 대하여

  빛을 발하는 정전기 방지용 초소형 칩 LED는 용도 및 취향에 따라 사용자가 색깔을 변경 할 수 있어 이동형 정보단말기에 널리 사용되고 있다.기존 블루 LED는 인듐갈륨나이트라이드(InGaN ... 양자효율 을 향상시키는 효과가 제공된다.일본의 니치아 화학의 나카무라는 1992년 새로운 Two-Flow 유기금 속 화학 증착법(MOCVD)이라는 독창 적인 방법을 이용해 고품질의 InGaN박 ... 시키는 제1공정과, 상기 클래딩층위에 n형 GaN 오믹접촉층을 성장시키는 제2공정과, 상 기 오믹접촉층 위에 n형 AlGaN 클래딩층을 성장시키는 제3공정과, 상기 클래딩층 위에 InGaN활성층을

  리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.16

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  LED의 개요와 원리, 산업구조에대한 설명입니다

  InGaN를 통해 고휘도LED -청색 LED : SiC, ZnSe, GaN 경합. 차후 InGaN 을 통해 고휘도LED발광반도체에 사용되는 재료고성장이 예상되는 LED시장1.

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.10 | 수정일 2023.02.06

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  고효율, 저비용 청색 LED 제작설계

  이 때, 원료로 (Ga+In) 혼합물을 사용함으로써 소스의 온도 조절이 용이해지고 성장되는 InGaN 결정의 In과 Ga의 조성비를 간단하게 조절할 수 있다. ... 활성층 재료로써 자외선 영역에서부터 UV영역에 걸치는 넓은 파장 영역을 가지고 광소자나 전자소자의 활성층으로 많이 사용되고 있는 InGaN를 선택하였다.Epitaxial growth를

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.04

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  LED 발광다이오드

  또한 순 녹색의 발광도 얻어지지 않았으나 추후 InGaN의 박막 성장이 성공하게 됨에 따라 고휘도 녹색 LED의 구현이 가능하게 되었다.청색 LED는 가장 실현하기 어려웠던 색으로 ... 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작하였다.사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명이 시작되었다고 볼 수가 있다. 1993년 말에는 일본의 니치아 화학에서 InGaN

  리포트 | 19페이지 | 3,700원 | 등록일 2011.04.04

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  포토 루미네센스법

  .■ Mapping of the area of the PL peak 샘플 (4) –Image mapping InGaN MQW/GaN/ Sapphire base 2 inch wafer

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.09.12

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  LED 조명 효율 향상을 위한 방법

  Thin GaN는 사파이어 기판 위에 결정 성장 시킨 InGaN와 Ge 등의 캐리어 재료를 접합하여 사파이어 기판을 레이저 광 조사법으로 리프트 오프하여 제작한다.

  리포트 | 7페이지 | 7,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  LINGUISTICS FOR EVERYONE Chapter 11

  Strong and weak verbs Tense is expressed by an internal vowel change in strong verbs . singan ‘to sing

  리포트 | 37페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.17

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  LED 에 대한 모든 것

  .< LED 의 구동 원리 >◎ LED 의 종류그림에서 알 수 있듯이 1990년도중반에 접어들면서 적색 LED 뿐만아니라, 질화물 반도체 InGaN를이용한 녹색 및 청색 LED의 조명효율 ... 응용이본격화 되었다.1962년부터 시작된 적색 LED의 발전사와 비교해 볼 때, 질화물 반도체 LED의 이러한 급성장은 혁명에 가까운 발전이라고 해도 과언이 아닐 수 없으며, 1996년 InGaN

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.12

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