"MESFET" 검색결과 41-48 / 48건

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  각종 반도체의 종류와 특성 및 제조에 관한 정리

  금속-반도체 전계효과 트랜지스터{그림7. 1) MESFET의 개략도2) MESFET의 전류-전압 특성3) MESFET의 전기기호 표시(S는 소스, G는 게이트, D는 드레인)금속-반도체 ... MESFET는 단극성 소자이기 때문에 소수 운반자 효과에 의해 영향을 받지 않으며, 따라서 쌍극성 트랜지스터보다 스위칭 속도가 더 빠르고 작동 주파수가 더 높다.MESFET의 개략도는 ... MESFET는 아날로그 회로와 디지털 회로 양쪽에 응용될 수 있는 많은 특성을 가지고 있다.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2001.04.06

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  [무선통신, 회로설계, 전력증폭기] 전력증폭기 설계 ( power amplifier design)

  RFIC Center/ KWU2.능동회로..PAGE:2- 능동회로 설계 및 제작 과정개발 규격소자의 선택능동소자 분석회로의 Topology결정Simulation레이아웃제작측정개발 완료MESFET ... 소자 선택Active Device-족 화합물 소자 (GaAs)MESFET / HEMTHigh Efficiency / high Linearity , Temperature stabilityNegative

  리포트 | 53페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.06.05

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  [초고주파] [초고주파 보고서]

  MESFET을 이용하여 Mixer를 구현하면 높은 변환 이득을 얻을 수 있고, 또 그 구조를 적절하게 변형하면 일반적인 수동 다이오드 Mixer에 사용되던 중간 주파수 증폭기를 생략할 ... 특성에서 비선형성을 갖는 Schottky 다이오드를 이용하여 구현되나, 다이오드를 이용하여 구현된 Mixer는 특성이 수동적이므로 변환 손실을 갖게된다.최근에 들어서는 GaAs MESFET을

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.10

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  [공과대] 기술동향과 재료 중심의 IT란 무엇인가?

  GaAs IC 증폭기의 경우 HBT(Hetero Junction Bipolar Transistor)가 전체 GaAs 전력 증폭기 시장의 30%를 차지하고 있고, MESFET (Metal

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.14

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  [Hspice] hspice

  .ENDS : end of subcircuit .MODEL : model descriptionSemiconductors D : diode Q : bipolar J : jfet, mesfet

  리포트 | 170페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.16

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  초고주파정리

  주입된다.이에 따라 접합부의 에너지 대역은 공핍층이 되거나 휘게 된다.헤테로정션 트랜지스터는 1951년부터 연구가 되어왔고 많은 광소자 에 응용이 된다.이 트랜지스터는 GaAs MESFETs와

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.10.20

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  [전기전자] 반도체제작법

  그러니 MESFET구조를 위한 GaAs를 성장시키는 데에는 높은 생산성을 보이고 있다.

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.13

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  [전자, 전파] 증폭기의 개념과 동작원리

  트랜지스터-n채널형 이용고주파일수록 전자의 속도는 빨라져야 한다.전자흐름-이미터 걸렉터5GHz이하 주파수 Si사용한TR (BJT)5GHz이상 주파수 GaAs사용한 TR(HEMT,HBT,MESFET

  리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.10

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