이미터-베이스 접합이 순방향으로 바이어스되고 컬렉터-베이스 접합이 역방향으로 바이어스 될 때, n형 물질의 이미터에서 나가는 전자는 np접합에서 낮은 전위 장벽을 만나게 될 것이다. ... 따라서 순방향 및 역방향 바이어스 되어진 일반 다이오드와 같은 방법으로 접합 사이의 저항을 계산할 수 있다.다이오드가 순방향 바이어스 되었을 때 저항은 이론적으로{ r}_{j}=26mV ... 다이오드는 p형 물질과 n형 물질로 구성되어 있고, 트랜지스터는 2개의 n형 물질이 있다(pnp트랜지스터), 그림 1-2(a)는 트랜지스터의 구조를 나타낸 것이다. 3개의 층은 각각
항복 다이오드(breakdown diode)순방향 또는 역방향 바이어스에 따른 접합 포텐셜 변화에 따라 천이영역의 폭도 크게 변한다. ... DC 동작정상 동작 영역에서 에미터 전류 IE는 np접합으로 흐르는 전자와 베이스로 주입되는 홀로 이루어져 있다. ... 다이오드의 일반적인 특성pn접합 다이오드 전류는 보통 천이 영역의 끝부분에서의 소수 캐리어 농도의 변화율에서부터 계산한다.
개발대면적 증착,np doping 가능1979a-Si의 AMLCD 적용 제안LeCombera-Si TFT개발1970말-1981Poly-SiTFT 발전 계기Geis et al,Rief ... 전면으로부터 입사시킨 빛을 패널뒷면에 부착되어 있는 반사판에 반사시켜 표시하는 형이며, 투과형은 배면으로부터 주위광 또는 형광을 입사시켜 상을 나타내는 형이다.TFT-LCD 는 LED(발광다이오드 ... LeComber1973Pioneering work,TFT-LCD image 시연PeterBrody, WestinghouseFather of TFT active Matrix, Cds TFT1975a-Si의 p-i-n diode