"a-Si" 검색결과 41-60 / 5,904건

• 

  3장문제

  동위원소 동위원소의 질량 (amu) 존재비 %28Si 27.976927 92.2329Si 28.976495 4.6730Si 29.973770 3.10(1) 27.9801 amu (1 ... ( )1) 1amu 2) 12amu 3) 6.022×1023 amu 4) 1.993×10-23 amu 5) 8.333×10-2amu2. ... (a)100.0 g의 Pb (b)5.00 g의 He (c)1.5 mol의 Ar (d) 2.0×1023개의 O2(1) a< b< c < d (2) d < c < b < a (3) a

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.10

  다운로드 장바구니
• 

  Microfabricated Silicon Solid Immersion Lens 발표자료

  (A)(B)PyrexsilicontipMicrofabricated Si solid immersion lens with a view of the tip inset(B) One-dimensional ... It is difficult to maintain uniform contact over a 30-μm-diameter field of view typical of a conventional ... Lens is shaped from photoresist reflowed in acetone vapor and transferred into single-crystal Si by reactive

  리포트 | 18페이지 | 10,000원 | 등록일 2022.08.23

  다운로드 장바구니
• 

  신소재공학 대학원 (카이스트) 면접 기출 및 예상문제

  다이아와 그래핀 결합 세기 차이, 사파이어와 순수 Si 결합 세기 차이 설명6. particle in a box, quantum dot에서 quantum confinement effect ... Si Au 혼합 시 그래프 상 온도 (eutectic)2. 플라즈마, 사용 기체 설명3. 유전6. 순수 H2O에 전압 가할 시, 내부 에너지 변화7. ... Phonon과 열용량 관계 설명.2. p-type과 n-type 반도체의 원리 및 밴드 구조, junction 형성 원리 등3.

  자기소개서 | 2페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.05.03 | 수정일 2023.05.10

  다운로드 장바구니
• 

  라틴어자기소개서

  articuli dicunt homines 1/3 suae diei in opere degere.Vere difficilis esset si locus ubi diei 1/3 consumo a ... non poteris exire, et solum de pessimo cogitando.Hoc est quod volo vivere vita fruentem challenges-> ... ->요약: 신중하게 선택하는 편인데 내꿈과 가장 부합하다.3. 앞으로의 포부Spero te multum libros legere et meditatio mentis exerce.

  자기소개서 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.27

  다운로드 장바구니
• 

  [기계공학실험]SI엔진의 정적연소에서 부연소실 노즐직경에 따른 엔진성능평가

  SI엔진의 정적연소에서 부연소실노즐직경에 따른 엔진성능평가Estimate performance of SI-Engine according to an auxiliary combustion ... Accordingly we experiment about element of effect an SI-engine. ... At last, we present method of improvement effiency SI-engine .다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.05.11

  다운로드 장바구니
• 

  주조 실험 레포트

  계 합금 + 소량의 Mg 을 첨가 ( 아공정합금 ) Al-Si 계 주조용 합금인 A356 (Al-7Si0.4Mg) 합금으로 가공성 및 유동성 , 주조성이 우수한 합금 Mg2Si 상의 ... 공정상 정출 Si : 얇고 폭이 좁은 판상 과공정 조성 초정 Si : 괴상으로 조대하게 정출해 성장 따라서 공정점에서 조금 벗어나는 아공정 조성 ( 보통 Al-Si 7% 의 a356 ... Silumin (10~13% Si) 이라 불리는 Al-Si 합금은 공정형 - Al 에 대한 Si 의 용해도가 적어 열처리 , 시효에 의한 강도 상승 효과를 기대할 수 없다 .

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.08

  다운로드 장바구니
• 

  울산대학교 전자실험결과레포트 1장 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

  1-6의V _{R} =2.34mV```````````I _{S} =2.34nA가 된다오실로스코프를 이용한 다이오드의 특성곡선 측정(a)공통접지(b) 별도접지1)임계전압실험이론에서 ... 다시 그림 1-4회로를 구성하고 Si 다이오드의 전압을 측정한다V _{D} (Si1)=0.631V? ... 바이어스Si4.827k4.827kGe4.839k4.839k.표 1-3 Si 다이오드의 Vd와 Id0.10.20.30.40.50.60.70.8Id(mA)0.1070.1980.30.4010.4960.5960.7080.811VD

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

  다운로드 장바구니
• 

  금오공과대학교 전자공학기초 과제(SI 단위계)

  , 전압볼트VW/A = m2 kg s-3 A-1전기용량패럿FC/V = m-2 kg-1 s4 A2전기저항옴ΩV/A = m2 kg s-3 A-2컨덕턴스지멘스SA/V = m-2 kg-1 ... s3 A2자기선속웨버WbV s = m2 kg s-2 A-자기선속밀도테슬라TWb/m-2 = kg s-2 A-1인덕턴스헨리HWb/A = m2 kg s-2 A-2섭씨온도섭씨도℃K - 273.15광선속루멘lmcd ... SI 유도단위SI 유도단위는 대수관계에 따라 여러 SI 기본 단위들의 조합으로 형성되는 단위이다.유도량이름기호SI 기본단위로 나타낸 값주파수헤르츠Hzs-1힘뉴턴Nkg m s-2압력,

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.11.16 | 수정일 2020.11.18

  다운로드 장바구니
• 

  초급 프랑스어 1부 Lecon3 연습문제 해설 및 정답

  (e).Non, je ne suis pas chinois(e).Si, elle prend le petit-dejeuner.Non, elle ne prend pas le petit-dejeuner.Si ... (e).Non, je ne suis pas chinois(e).Si, elle prend le petit-dejeuner.Non, elle ne prend pas le petit-dejeuner.Si ... [연습문제 4]au , a l’auxdesde la, du[연습문제 5]Si, j’aime le cafe.Non, je n’aime pas le cafe.Oui, je suis chinois

  시험자료 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.07.13

  다운로드 장바구니
• 

  기초전자실험 실험2 다이오드 특성 결과보고서

  다이오드에 대해서 I(D) = 9mA에서 AC 저항을 계산하라.rd(계산값) = 2.9ΩSi 다이오드에 대해서 I(D) = 2mA에서 a를 반복하라.rd(계산값) = 27ΩSi 다이오드에 ... 저항값을 측정하고 기록하라.검사SiGe순방향512mV227mV역방향--V®이 0.1V가 되도록 전원 전압 E를 증가시켜라. V(D)를 측정하고 그 값을 표에 기입하라. ... (DC)0.2323mV1615Ω1517mV517Ω5603mV109Ω10642mV120.6ΩGe에 대하여 a를 반복하여 표 2.6을 완성하라.I(D)(mA)V(D)R(DC)0.267mV335Ω1162mV162Ω5335mV67Ω10390mV39Ω다이오드

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

  다운로드 장바구니
• 

  2023년 2학기 방송통신대 봉쥬르프랑스 중간과제물)다음에 제시된 동사원형이 활용된 문장을 봉쥬르프랑스 교재 1~6과(본문 및 설명 예문 읽기자료 모두 포함)에서 모두 찾아 적고 우리말 번역을 제시 등

  mes cours, j’ai entendu parler de beaucoup de lieux touristiques, les chateaux de la Loire, le Mont-Saint-Michel ... (Etape 1, p.15)(내가 열 살만 덜 먹었다면 당신을 동행할 터인데.)Si vous le voulez, vous pouvez nous accompagner. ... (Etape 5, p.82)(나는 비가 오지나 않을까 두렵다.)6) accompagneraccompagnerais accompagner의 1인칭 단수 조건Si j’avais dix

  방송통신대 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.13 | 수정일 2023.10.09

  다운로드 장바구니
• 

  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)

  Si 다이오드 -> LED로 대체한 시뮬레이션 결과VR(V)0.10정값) = 8.0776mVIs(측정값) = 8.0770nA(3) - A. ... 실험 내용 및 절차A. 실험할 회로도B. P-SPICE 모의 실험 결과 및 분석C. 예상되는 실험 절차(2) 순방향 바이어스의 다이오드 특성 곡선(2) - A. ... Si 다이오드 -> LED로 대체p-spice에서 led/discrete소자, LS_5435-typ모델로 시뮬레이션 시도를 했으나, 오류 메시지가 반복적으로 뜨고 프로그램 동작 속도가

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18

  다운로드 장바구니
• 

  조선대 내연기관 레포트

  기술 이론(1) 높은 A/F ratio, 초희박 연소, 낮은 출력(SI-IDI)(2) 수소 연료 사용으로 COx 배출 제로, NOx 저감 필요 (참고자료: 4,5)(3) 낮은 출력을 ... 사용SI+DI방식액화수소 사용SI+DI방식디젤,LNG,수소 혼합연료 선택적 사용25년까지 개발예정(참고자료3:한국기계연구원 소형수소엔진 흐름도)3. ... 과목: 내연기관-01학과: 기계공학과학번:이름:담당교수:1.기술 배경1-(1) 환경오염 문제와 탄소중립에 있어서 기존 내연기관 차량의 배기가스 저감을 위한 규제는 더욱더 심화되고 있고

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.05 | 수정일 2024.01.19

  다운로드 장바구니
• 

  LG디스플레이 공정 엔지니어 최종합격자 면접준비 자료, 면접 질문 [2021 상반기]

  이 위에 채널이 되는 a-Si, LTPS, Ox다. ... TFT 종류3-5-1. a-Si(Amorphous Silicon) TFT : 비정질 실리콘 TFT- a-Si TFT는 공정 자체도 복잡하지 않고, 수율도 높아 초기 LCD에 많이 활용됨 ... 공정할 때, 가장 중요한 요소- 대표적인 활성층 물질로 a-Si, LTPS, Oxide가 있음1-3-3.

  자기소개서 | 13페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.08.03

  다운로드 장바구니
• 

  X선결정학 보고서 dspacing 을 이용한 XRD data 보정 후 격자상수 구하기 신소재공학과

  XRD data of Si doped InSe alloys(a) XRD data InSe & InSe_Si 1% doped(a) XRD data of InSe2Θ10.5.1˚21.22 ... 2) ^{2}} + {0 ^{2}} over {16.68 ANGSTROM ^{2}}}} ````````` THEREFORE `a=`4.02 ANGSTROM 이다.InSe-Si doped ... 측정조건- Target : Cu Kα (λ=1.54A)- 2θ : 10° ~ 50°- Scan speed : 3- Increment : 0.01- Tube current : 40mA

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.29

  다운로드 장바구니
• 

  전북대 무기화학기초 실험보고서

  아레니우스 식을 보자.k=A*exp(-E_a/(R*T)) (k: 반응속도상수,T: 절대온도,R: 기체상수,A는 빈도계수 또는빈도인자)이다. ... (OR) _{3} Si-O-Si(OR) _{3} ```]```+```H _{2} O#(OR) _{3} -Si-OR```+``HO-Si-(OR) _{3} ``` REL rarrow{k ... ```HO-Si(OR) _{3} ```+```R-OH#(OR) _{3} -Si-OH````+``HO-Si-(OR) _{3} ``` REL rarrow{k _{CA}} {} ```[

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 (10%↓) 1800원 | 등록일 2022.07.18

  다운로드 장바구니
• 

  Semiconductor Device and Design - 13~14__

  Appropriate to implement a digital system. ▶ Disadvantage : The die cost is higher because Si area is ... Semi custom 2) Standard Cell ▶ Store Standard Cell, implemented as a Full- Cusomized Layout Design, in ... Semi custom 2) Standard Cell ▶ Advantage : Si area is used more efficiently than Gate Array method and

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22 | 수정일 2023.06.25

  다운로드 장바구니
• 

  [경희대 A+] 실험 3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서

  그림 3-4에서 Si 다이오드를 반대로 연결하고V _{D},V _{o},I _{D}의 이론적인 값을 계산하라.Si 다이오드를 반대로 연결하게 되면 개방회로처럼 작동하게 되어 모든 전압이 ... 이 역방됩니다.출력이 Low레벨일 때는V _{A} ,`V _{B} 둘 모두 Low레벨일 때 뿐이다.V _{A} ,`V _{B} 둘 다 Low레벨일 때 오른쪽 회로처럼 GND와 전압차이가 ... 순서 2. (5)의 결과와 비교하라.(7) 그림 3-4에서 Si 다이오드를 반대로 연결하고V _{D},V _{O},I _{D}의 이론적인 값을 계산하라.(8) 순서 2.(7)의 상태에서V

  리포트 | 32페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.08

  다운로드 장바구니
• 

  [전자회로실험2]보고서5주차- MOSFET CS Amplifier

  2}#v _{gs} =( {R _{i}} over {R _{i} +R _{Si}} )v _{i}#A _{v CONG} {v _{o}} over {v _{i}} =-g _{m} (r ... _{o} ||R _{D)}( {R _{i}} over {R _{i} +R _{Si}} )[실험방법]실험과정※실험. ... 또한 실험에 제시된 회로는R _{Si}가 존재하지 않는다. 따라서v _{gs}= ({R_i} over {R_{i}+Z_C})v_i이므로, 따라서 f가 커질수록v_gs가 커진다.

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.26

  다운로드 장바구니
• 

  전류와 저항에 대해서

  전류의 정의ㆍ전류 : 단위 시간 동안 흐르는 전하량ㆍ전류의 SI 단위 : 단위시간(s) 당 쿨롱(C) 혹은 암페어(A)- 암페어(A)는 SI 단위계의 기초 단위ㆍ전류는 스칼라양인 시간과 ... 전류밀도ㆍ전류밀도(J) : 단위 면적(A) 당 흐르는 전류의 양(i)J``=` {i} over {A} ````ㆍㆍㆍi)[그림 1] 전류가 흐르는 도선의 모식도ㆍ전류밀도의 SI 단위 ... `ㆍㆍㆍi)ㆍ저항의 SI 단위 :V/A`,````` OMEGA ``(옴)1 OMEGA ``=`1V/A```ㆍㆍㆍii)ㆍ비저항( rho ) : 저항 물질 내 한 점에서의 전기장( {vec

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.03

  다운로드 장바구니