"duv" 검색결과 41-60 / 78건

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  EUV 기술 개요

  DUV (deep UV, =172nm) radiation (simple and efficient).{nameOfApplication=Show}

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.03.03

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  음성장애 진단평가

  변인- NHR, VTI와 SPI부분 : 잡음과 관련된 변인- FTRI와 ATRI부분 : 진전 관련 변인- DVB : 음성 일탈 관련 변인- DSH : Subharmonics 변인- DUV

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.01.13 | 수정일 2018.04.05

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  이미징기술학(포토레지스트)[1]

  [그림 1.1-6-1] Novolak resist의 구성(2) KrF (248nm) 레지스트상기 I-선의 주종을 이루던 노볼락 레진의 경우 DUV (248nm) 영역에서는 흡광도가

  리포트 | 33페이지 | 무료 | 등록일 2015.01.28

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  Photolithography

  110±10 0.882 1.550 ＜ 0.2% ＜ 15PPM ＜ 8 P PM ＜ 10PPM ＜ 10PPM ＜ 2% 1.560 1.045 23csfer ) 자외광원 사용 자외광원 및 DUV

  리포트 | 75페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  감광성 폴리머의 제조기술 소개

  )193≤ 0.25KrF excimer laser Hg arc lampDeep UV(DUV)248≤ 0.35Hg arc lampi-line356≤ 0.4Hg arc lamph-line405 ... CARChemical Amplified Resist, CAR≤ 0.15F2 excimer laserVacuum UV(VUV)157≤ 0.18ArF excimer laserDeep UV(DUV ... 0.5Hg arc lampg-line436Resolution(㎛)UV sourceDescriptorWavelength(nm)g, i -line용의 novolak-DNQ resist : DUV영역에서

  리포트 | 24페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.03.18

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  EUVL (Extreme Ultraviolet Lithography) for semiconductor processing

  unpractical→ Reduce DOF (Depth of Focus) and cause fabrication difficulties▶ Reduce wavelength→ UV to DUV

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.06.26

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  positive pr

  주쇄 절단형 Positive Photoresist: PMMA는 최초로 전자선, DUV 레지스트로 사용되었으며, 주쇄 절단에 의하여분자량이 저하하고, 용해성이 증가하여 Positive

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.06

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  Photo Lithography

  이상과 같은 패턴 형성에 있어서 중요한 적 반응을 촉진시켜주기 때문에 이 과정은 필수적이다.① DUV post-exposure bake (PEB)PEB동안에 DUV resist의 빛에 ... 이 두 종류의 resist모두 phenolic-based resin 이다. conventional i-line resist는 novolak resin으로 구성되어 있고,CA DUV ... microlithography에서 많이 사용되는 두 종류의 positive resist는 conventional DNQ i-line resist(~0.35μm) 와 chemically amplified(CA) DUV

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.07

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  일본에서 보는 한국기업의 강점

  입사 3년째 20대 사원이 유럽, 미국의 신규시장을 개척한 공로로 성공보수를 받아 사장보다 급여가 많은 사례도 발생· 신제품이 10억엔의 매출을 올릴 경우 해당 개발와 심자외선(DUV

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.17

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  반도체 솔라셀 기말발표

  (DUV(150~180 나노미터 ), EUV)8.

  리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.23

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  [직접회로] 생기교육자료 ETCH 사진1

  Filter)Materiali-lineDUV(KrF & ArF)ARC(Bottom & Top)*In-line화*DUV 대응⇒Chemical Filter*DUV PR*ARC 사용1995 ... 징*고해상력⇒단파장 SOURCE⇒High NA⇒PSM / OPC*대구경화 및 고집적화⇒FIELD SIZE 확대⇒SCANNER 사용 필연적DUV (Chamber & Chemical ... 社 & DEVICE별 THRU-PUT 비교CONTENTS1..PAGE:3MACHINE TRENDDRAM(bits)Design RuleExposureTracki-line(365nm)DUV

  리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.22

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  반도체공정 (Photolithography)

  steps for chemically amplified DUV resist1. ... DUV에서 가장 많이 변화한 것은 chemical amplification(CA)에 기초한 새로운 타입의 PR이다. ... sensitizer : photoacid generator (PAG)Figure 1.12 Chemically amplified (CA) DUV resistTable 1.3 Exposure

  리포트 | 31페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  photolithography introduction and process details

  temperatures 100 to 110°C on a hot plate Immediately after exposure Has become a virtual standard for DUV

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.11.17

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  Photoresist 및 Photolithography

  용해 억제력을 잃고, 알칼리 현상액에의하여 Positive Photoresist 패턴이 얻어진다.2) 주쇄 절단형 Positive Photoresist: PMMA는 최초로 전자선, DUV ... 아니고용해특성의 향상에 의한 것이다. poly(trifluoroethyl a-chloro arcylate)(EBR-9)은고감도이고, FBM은 전자선에 의한 마스크 제작에 사용되고 있으며 DUV에도

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.28

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  카이스트 전자공학실험2 실험8 Co-Simulation & Co-Emulation using FPGA 결과보고서

  //A+B={CO,Z} 출lator로 모델링한다면 이는 694일의 시간을 필요로 한다.2) Co-emulation- FPGA는 (호스트PC안의) 타겟 디자인 소프트웨어 모델에서의 DUV를

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.11.06

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  SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

  최근 연구 활동은 50㎚의 선 폭을 인쇄하기 위해서 248㎚DUB광원, 화학 증폭 DUV 레지스트, 그리고 위상시프트 마스크를 사용한다.① Extreme UV(EUV)광학 리소그래피의 ... nm 이하로 줄어들어, 플라스마 손상은 디바이스의 신뢰성을 저하시키는 패터닝이 갈수록 앏아지기 때문이다.Photo-Lithography공정 개념도(1) Lithography의 종류DUV

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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  IC회로 제작공정

  현재 노광장비에는 i라인 빛이 많이 사용되고 있으나 패턴이 미세화되면서 고집적 반도체 제조를 위한 DUV(Deep Ultra Violet)용 노광공정 도입이 최근 본격화 되면서 이의 ... 필수 장비인 스테퍼에 대한 개발이 활발한데, DUV용 스테퍼는 기존의 i라인 광원 대신 KrF(불화크립톤) 엑시머 레이저를 사용, 미세 패턴을 형성할 수 있도록 하는 첨단노광 장비이다

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.26

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  향후 각광받는 LED산업의 주도주가 될 기업 - (주)서울반도체 분석

  비즈니스위크지 선정2006.10 포브스誌 선정2006.09 ISO/TS 16949 인증 획득 (기간: 2006년 9월 - 2009년 9월)2006.07 서울옵토디바이스, 세계 첫 DUV

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.28

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  photolithography

  재료의 구성에 따라 2성분계 및 3성분계로 분류되며 DUV, VUV resist가 이 경우에 해당된다. ... 그대신 극자외선 (DUV: Deep Ultra Violet)인 KrF (248 nm), ArF (193 nm) 레이저를 이용한 노광기가 현재 주류를 이루고 있고 이들은 각각 ~80-

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.24

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  유기화학실험 PMMA 제조실험 예비Report

  예를 들어 0.1mm 크기의 형상을 만들기 위해서는 50kV의 에너지가 필요하다.(3) DUV (deep UV) : 낮은 sensitivity, 파장이 248nm인 경우 선량이 500이상이어야

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.25

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