"vt" 검색결과 41-60 / 3,537건

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  방송통신대학교 응급간호학 기본심폐소생술 과정 만점 자료

  심정지시 VF, Pulesless VT 가 3차례 제세동에도 지속될 때 3~5분간 bolus로 IV를 시행한다. 최초 300mg, 두 번째는 150mg 까지 사용한다.

  방송통신대 | 6페이지 | 3,500원 | 등록일 2021.11.21 | 수정일 2021.11.24

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  전자회로설계실습 4번 예비보고서

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... +0.5V, End value→VT+0.7V, Increment→0.1V][문서 제목]- PAGE \* MERGEFORMAT2 - ... 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.16

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  [2022년 서울성모병원 인적성 검사] 최종 합격자의 인적성 검사 기출 문제 & 자세한 후기 & 각 종 tip 정리

  2. 인성검사(=CCVT 역량 및 가치검사)1) 인성검사 관련 정보 199문항으로 구성되어 있으며, 약 30분 정도 시간이 소요된다고 하였으나, 시간 제한은 따로 없었습니 다. 그리고 인성검사는 예를 들면 “나는 한 번도 살면서 거짓말을 한적이 없다.” 이런 질문이 주..

  자기소개서 | 13페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.09.02 | 수정일 2022.06.18

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  홈벤트 mode 정리

  , Ti, PEEP, RR설정 ,설정값에 맞게 기계가 통제-V-SIMV :Vt,RR,PIP,PS,PEEP설정설정된RR에 맞춰 매 첫 호흡(60분 나누기RR)마다 설정된Vt만큼의 기계가 ... , 중간에 호기밸브 끼워져 있음(공기새어나옴)=단일라인room air만 가능 , 흡기만 컨트롤 가능Active circuitvolume control mede-(A)CV=CMV :Vt

  리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.04.30

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  High-k 물질을 포함한 MOS Capacitor 설계 과정- 서론- Body Substrate Doping Conc 적절한 VT window가 필요하다고 생각됩니다. ... 위 표에서 각각의 positive/negative oxide charge가 oxide trap으로 작용할 때 VT와 VFB의 변화는 모두 HfO2가 p-type Si과 맞닿아 있을 ... -21.320V를 얻을 수 있었습니다.-0.0001C/cm2 oxide charge가 같은 위치에 삽입된 경우 VFB는 21.107V, VT는 22.117V로 나타났습니다.2) TiN

  리포트 | 50페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.07 | 수정일 2024.06.12

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  [A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 ... Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ VT

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23

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  Lorentz 변환과 유도

  → x’ = x – vt t = t’ → t’ = t 가정 1) v 가 c 에 비해 매우 작을 때 성립 가정 2) t = t’ 임을 가정 y y ’ x ’ x x x ’ vt2. ... (frame) 관측자 S 를 기준으로 한 사건의 시공간 좌표 : x, y, z, t 관측자 S’ 을 기준으로 한 사건의 시공간 좌표 : x’, y’, z’, t’ x = x’ + vt ... 측정한 ( 막대기 고유길이 ) ㅡ ① 막대가 움직이는 좌표계 S 에 놓이면 , 일 때 , ㅡ ② 로렌츠 변환식 , ㅡ ③ ③식에 ①식과 ②식 대입 → y y ’ x ’ x x x ’ vt

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.07.25

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  엔클렉스 핵심정리 (유월드 번역 포함)

  ventricular tachycardia 추가 평가 또는 치료를 시작하기 전에 VT의 클라이언트에서 펄스의 유무를 평가해야 합니다.펄스가 있는 VT의 불안정한(저혈압) 클라이언트는 ... 펄스가 있는 VT의 불안정한 클라이언트는 동기화된 심장 버전으로 처리됩니다. ... 맥박이 있는 VT의 안정적인 클라이언트는 항부정맥제(예: 아미오다론, 프로카인아마이드, 소탈롤)로 치료됩니다.asystole 심실 전기 활동이 완전히 없는 것이 특징입니다.

  시험자료 | 95페이지 | 38,000원 | 등록일 2024.03.13

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  중앙대 전자회로설계실습 (예비) 4. MOSFET 소자 특성 측정 A+

  구하고 Data Sheet값과 비교하여라.위의 결과를 통해 구한 VT는 가 0A에서 벗어나는 순간인 2.1V이다.3.1(A)의 data sheet를 통해 구한 VT는 이다.data ... +0.5V, End value→VT+0.7V,Increment→0.1V] ... 설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라.

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 (10%↓) 2250원 | 등록일 2022.04.09

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  중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)

  (VT는 앞에서 구한 값을 이용한다.) ... 위의 방식과 같이 VG=VT+0.6V, VG=VT+0.7V인 경우도 측정한다.(B) 측정한 데이터를 이용하여 MOSFET의 iD-vDS특성곡선을 구하여라. ... 가깝다가 2.15V부터 가파르게 증가하기 시작한다.따라서 Vt 값은 약 2.15 V이고, 데이터 시트에 표시된 값인 2.1 V와 거의 같다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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  Short channel effect(SCE)의 모든것

  Vt roll off* Vt roll off란 ?? ... 되니까 Vt가 감소한다.이 식은 3번 Depletion Charge sharing으로부터 얻어낸 식으로 Vt-long과 Vt-short의 차이를 나타낸다. ... 먼저 이 Vt roll off라는 것은 소자의 크기를 줄이거나 짧은 채널 길이를 가진 경우 드레인의 전압을 증가시킴에 따라서 Vt가 감소하는 현상이다.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.08.26 | 수정일 2022.01.10

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  [A+]전자회로설계실습 예비보고서 4

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet 를 이용하여 VT, kn 을 구하여라. ... 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.02.18

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  중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서4

  +0.2V, End value→VT+0.6V, Increment→0.2V] ... 설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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  간호학과 심장계 중환자실 케이스 스터디, 심실빈맥

  질병고찰ventricular tachycardia (VT)정의 및 원인심실빈맥(ventricular tachycardia, VT)은 심실에서 심박조절자로 작용하는 이소성 부위가 과도하게 ... DNR 작성12/8오전 30회 shock 있고 VT 다시 시작amiodarone, BB 등 medication 시행하였으나 VT 지속되어 mental 쳐지며 SBP 40까지 저하됨.12 ... 160bpm 지속되어 close monitoring 하기로함12/7VT 지속적으로 반복되고 급성 심정지의 가능성이 있다고 설명함.

  리포트 | 35페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.16 | 수정일 2024.03.07

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  [건국대학교 전기전자기초실험1 A+][2024 Ver] 12주차 - 예비레포트

  그리고 VT1의 콜렉터가 VT 2의 베이스로 접속되며, VT 2의 콜렉터 전압이 회로의 출력이 된다. ... 그렇게 되면 VT 1의 베이스와 콜렉터 접합 부분이 순방향 바이어스 상태가 되어, Vcc가 VT 2의 베이스 전압으로 인가된다. ... 따라서, VT 2는 VBE가 기준 전압에 미달하게 되므로 차단 상태가 되어, 출력 F=5V가 된다.

  리포트 | 18페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.08.10

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  [화학공학실험] 액체-액체 추출 실험 (해당 과목 A+)

  이때 용액 일부는 VT-2 밸브를 사용하여 채취했다. ... 이때 용액 일부는 VT-4 밸브를 이용하여 채취했다.⑧ VR-1(open 방향), VT-2(Extract 방향) 밸브를 사용하여 혼합용액2 (Trichloromethane+EtOH) ... 된 후, 층분리가 일어나면 VT-4 3-way valve를 반시계방향으로 돌려 Refined 용액을 모두 Refined tank로 내보냈다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.21

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  4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [전자회로설계실습 A+ 인증]

  설계실습 계획서3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. ... 목적 : MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 ... Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ VT

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.16 | 수정일 2023.01.03

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  부산대 기초전기전자실험 결과보고서 2주차 A+보고서 1등보고서

  Vr1+Vr2+Vr3+Vr4의 값을 기록하시요위 측정한 전압을 다 더했을 경우 14.997V로 공급한 15V의 전압과 거의 일치한다.즉, 닫힌 하나의 루프안 전압(전위차)의 합= Vt ... 키르히호프의 전압법칙5.1.1 실험11)멀티미터를 이용하여 R1,R2,R3,R4 양단 전압을 측정하여 기록하시요: V1=1.094VV2=3.284VV3= 4.443VV4= 6.176V2) Vt ... =V1+V2+V3를 계산하여 기록하시요: 위 측정한 전압을 다 더했을 경우 9.987V로 공급한 10V의 전압과 거의 일치한다.즉, 닫힌 하나의 루프안 전압(전위차)의 합= Vt-(

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.13

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  액-액 추출실험 결과보고서

  (이 때, 용매가 충분히 공급되어 넘쳐 흘러야 하며, 이후 용액 일부를 VT-4 밸브를 사용하여 샘플링했다.)⑥ 이후 혼합용액2(트리클로로메테인+에탄올)을 VT-6, VR-1, VT2 ... , VT-9 밸브를 사용하여 Extract tank로 보냈다. ... (이때, 용액 일부를 VT-2 밸브를 사용하여 샘플링했다.)2.

  리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.05.22

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  전자회로실험 클리퍼회로

  아래에 기록할 때 반올림하여 소수 둘째자리까지 표시한다.Vt(Si) = 0.7 [V]Vt(Ge) = 0.3 [V](2) 병렬 클리퍼(구형파 입력)a. 저항값을 측정하고 기록한다. ... 실 험(1) 문턱 전압 VtDMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si과 Ge 다이오드의 문턱 전압 Vt를 측정한다. ... 직류정원장치의 방향을 반대로 하고 R,Vt의 측정값을 이용하여 Vi=+4[V]인 시간 간격에서 출력 전압 Vo의 레벨을 계산한다.Vo(계산값)=4.8[V]g.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.15

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