"Metal" 검색결과 581-600 / 7,905건

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  포토공정(Photo-lithography)이란? , 과정

  Etching 형성된 PR pattern 모양대로 SiO2 나 metal 을 깎아주는 과정 10. ... Deposit 준비된 기판위에 패턴을 형성하고 싶은 물질을 올려주는 과정 ( 패턴을 형성하기 위해 쓰이는 물질에는 SiO2 , Metal ) 3. ... Remove PR SiO2 나 metal 을 원하는 패턴으로 만든 후 남아 있는 PR 을 제거하여 패터닝을 완성 하는 과정 ( 잔여 PR 은 주로 아세톤에 의해 제거 )End.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.07.09 | 수정일 2020.07.11

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  반도체공학실험 보고서(Mos cap, RRAM)

  이후 metal을 증착하는 경우, metal이 PR까지 완전히 덮어서 PR이 developer에 제거되지 못하게 만든다. ... 이동하면서 metal oxide에 다수의 vacancy를 형성하게 된다. ... 측정한 소자의 switching mechanism 에 대하여 간략히 설명하시오.Top electrode에 positive voltage가 걸리면 가운데의 metal oxide(이번

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.13

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  장인이 손으로 한땀한땀 그린 CFA Level 2 끝장노트

  High transportation cost ⦁ Demand more seasonal ⦁ Associated/unassociated gasINDUSTRIAL METALS

  시험자료 | 138페이지 | 25,000원 | 등록일 2024.01.01

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  치과생체재료학 실험 레포트(석고경화반응, 미세부재현성, 인상채득, 금속주조)

  이 경우에는 보상이 과도하게 이루어져 metal castow} ... 따라서 metal cast 가 wax 에 비해 팽창된 모습을 볼 수 있다 .고찰 이론대로라면 casting shrinkage 에 의해 mesh type wax 의 크기보다 metal ... 그러나 본 실험에서는 metal cast 의 크기가 더 크게 나왔다 . 이는 ring liner 의 역할 때문인 것으로 보인다 .

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.29

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  [이차전지] High capacity electrode 연구

  Idea/ApproachLi-excess manganese oxide 물질은 기존 Transition metal oxide에서의 redox 반응으로 인해 얻는 용량 외에도 voltage ... air)● 전지 구성양극: Active material：Acetylene black: PVDF = 8:1:1전해질: 1mol/dm3 LiPF6 in EC:DMC=1:1음극: Li metal5

  리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.02.23

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  방통대 2023년 1학기 사진의이해 중간과제물

  디지털 사진은 필름을 사용하지 않고 CCD(Charge-coupled Device)나 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 칩과 같은 디지털

  방송통신대 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.05.25

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  MOSFET의 발명에서 현재까지의 발전단계

  MOSFET의 정의:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터) 디지털 회로와 아날로그 회로에서

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.19

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  반도체 공정과정

  Metal align( 금속 배선 ) 전압을 걸어주기 위해 Metal 을 깔아줌End.{nameOfApplication=Show}

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.09

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  Synthesis and Spectra of Vanadium Complexes 결과

  [V(H2O)6]2+ → metal의 산화수 = V2+ = d3[V(H2O)6]3+ → metal의 산화수 = V3+ = d2Orgel diagram에 의해? ... [V(H2O)6]2+ → metal의 산화수 = V2+ = d3[V(H2O)6]3+ → metal의 산화수 = V3+ = d2Orgel diagram에 의해 d3의 경우 가능한 transition은 ... 산화수 = VO2+ = d1 & ligand = tart[VO(acac)2] → metal의 산화수 = VO2+ = d1 & ligand = acac?

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.01.02

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  MOF 결과

  Metal, Metal Oxide가 carbon내 잘 갇혀있기에 MDC는 chemical inertness가 있고, conductivity도 있고 , pore를 합성과정에서 조절할 ... : ligand = 4 : 3실험값 : Metal : ligand = 0.42 : 0.320 = 4 : 3.04오차율 :{��3-3.04��} over {3} *100%=1.33% ... : ligand = 4 : 3실험값 : Metal : ligand = 0.233 : 0.1518 = 4 : 2.6오차율 :{��3-2.6�� } over {3}*100%=13.33%

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.10.11

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  촉매 형태 종류

  nonuniform catalytic reaction, the reaction proceeds as the reactant passes through the surface of the metal ... with catalysts in various forms to produce highly active catalysts with a small amount of precious metals ... of Catalyst Shapes shapes process effect Spheres Hydrodesulphurisation Methanaion Impregnated noble-metal

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.06.14

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  숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서

  따라서 알루미늄과 웨이퍼 접합면 사이에 장벽 역할을 하는 금속인 Barrier Metal을 증착시킨다.Figure 4) Barrier Metal 형성⑦ Electrical Die sorting ... 제거하여 박막을 형성하는 Sputtering이 주로 사용된다.화학적 증착은 증착 Source로부터 반응 기체를 형성하여 화학적 반응을 통해 박막을 생성하는 방법이다.⑥ 금속 배선 공정(Metalization

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.08.26

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  (품질 서식) 제품 출고 관리

  기준 없을 時 미기입"분 석 결 과(공업용제)"" ■ 수분 : %, ■ G.C Result : ""분 석 결 과(전자용제)"" ■ 수분 : %, ■ G.C Result : , ■ Metal ... 기준 없을 時 미기입"분 석 결 과(공업용제)"" ■ 수분 : %, ■ G.C Result : ""분 석 결 과(전자용제)"" ■ 수분 : %, ■ G.C Result : , ■ Metal ... 기준 없을 時 미기입"분 석 결 과(공업용제)"" ■ 수분 : %, ■ G.C Result : ""분 석 결 과(전자용제)"" ■ 수분 : %, ■ G.C Result : , ■ Metal

  서식 | 1,000원 | 등록일 2022.03.28

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  12주차 LTPS, a-Si LCD 패널 분해(정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)

  Gate metal을 마스크로 사용함으로써 전체 공정에서 마스크 하나를 줄일 수 있는 방식으로, 이를 Self-align이라고 한다. ... 그리고Pixel electrode가 투명전극을 사용하지 않는 불투명한 metal이라고 가정하고 TFT의 개구율을 다시 계산하면 35.1%이다. ... 서브픽셀의 넓이는 약 1931인데, Cross section을 참고하면 붉은 색을 띄는 Pixel electrode가 투명하다고 가정하고 Metal line과 circuit들 없이

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.19 | 수정일 2021.03.20

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  성균관대학교_신소재공학과 대학원_미래의 연구계획

  본교 양자 물질 연구실에서 약 2년간 학부연구생으로 있으면서 PLD, Spin coating 장비를 이용하여 실리콘, flexible metal foil 기판에 강유전체 물질을 증착하여

  자기소개서 | 1페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.04.02

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  경력기술서

  회사명: ㈜SK하이닉스1) 소속 부서: 공정기술팀2) 근무 기간: 2007년 8월 ~ 2011년 2월3) 담당 업무 및 주요 이슈ㆍ반도체 세정 공정의 개선/개발ㆍMetal Coating

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 (15%↓) 2550원 | 등록일 2023.01.12 | 수정일 2023.01.17

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  치과보철학

  치과보철물의 종류1.고정성 보철장치1) 금관(CROWN)(1) 전부피개치관전부금속관(full metal crown)전장주조관(veneered metal crown)도재전장주조관(금속도재관 ... , PFM crown)레진전장주조관(resin veneered metal crown)(2) 부분피개치관2) 가공의치(bridge)- 고정성, 반고정성2. ... collar를 도재로 만들어 치경부 치은 부위의 심미성을 개선한 치관금속도재관(metal ceramic crown) : 자연치와 유사한 색조와 표면 상태를 가지고 있는 도재나 레진을

  시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.11

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  반도체공정 기말정리

  기존 metal-si 에서 metal - silicid, silicide - si 로 연결되며 저항을 낮춘 방법이다. ... 것인 Polycides.· Salicidessalicide는 Self-Aligned silicide로 먼저 기존 MOSfet에 O2를 도포하여 sidewall spacer를 만들고 metal을 ... .· 3basic interconnection levelsn+ diffusion, Polysilicon, Aluminum Metallization· ContactsAl-n+, Al-Polysilicon

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30

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  인장시험 (A+, 100점)

  materials)● KS B 0802 : 금속 재료 인장 시험 방법(Method of tensile test for metallic materials)● JIS Z 2201 : ... 금속 재료 인장 시험편(Test pieces for tensile test for metallic materials)● JIS Z 2202 : 금속 재료 인장 시험 방법(Method ... of tensile test for metallic materials)● JIS G 0202 : 용어 정의(Glossary of terms used in iron an steel

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.06.19 | 수정일 2023.06.11

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  무기화학 실험 보고서-배위화합물

  이를 HSAB theory로도 분석할 수 있는데, Cu(II)와 Sn(IV)는 hard acid이고, 산소가 hard base이라서 metal이 Cu(II)와 Sn(IV)일 때는 metal이 ... 산소와 결합하여 metal-DMSO 착화합물을 만든다.rm S=Obond의 전자밀도가rm O-Mbond로 shift되면서rm S=Obond가 약해지게 되는 것이다. ... 이를 이용해 DMSO와의 UV-Vis 흡수파장을 비교하여 분석하였다.rm CuCl _{2}·rm 2`DMSO,rm SnCl _{2}·rm 2`DMSO에서는 metal이 산소와 결합하면서

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.01.06

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