"논리회로실험 cmos" 검색결과 61-80 / 102건

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  10진 카운터 제작 결과레포트

  (6장)- 논리게이트(OR, AND, NOT, NOR, ……)- 디지털 IC의 종류와 특징 (TTL & C-MOS), 그 중 74LS90, 74LS47의 기능- 7 Segment- ... 고찰이번 실험은 회로구성을 통해 작동을 확인하는 실험이었다.제작한 실험은 10진카운터로 0부터 9까지의 숫자를 카운터하는 회로였다.사실 이 7segment 표기법은 실제 우리생활에서 ... 실험 및 실험결과1) 도면을 참조하여 회로를 구성하라.2) Function Generator를 이용하여 1Hz TTL 신호를 발생시킨다.3) 발생시킨 TTL 신호를 74LS90 14번

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.16 | 수정일 2016.11.04

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  AND·OR·NOT 게이트 실험(예비보고서)

  실험 기본 이론1) 디지털 논리회로(Digital logic circuit)디지털 논리회로는 조합논리회로(combinational logic circuit)와 순서논리회로(sequential ... 구성한 logic이다.TTL IC : 트랜지스터로 만든 집적회로를 말한다.CMOS(Complementary Mental Oxide Semiconductor) IC : MOS-FET로 ... (combinational logic circuit)와 순서논리회로(sequential logic circuit)의 차이점조합논리회로는 어느 시점에서의 출력이 오로지 그 때의 입력에

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.16 | 수정일 2015.04.04

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  Exclusive-OR와 그 응용

  NAND 게이트 IC는 TTL의 7400과 C-MOS의 4011이 기본으로 사용됩니다. 두 부품의 모양은 같으나 내부게이트의 배치는 다릅니다. ... ExOR은 산술셈과 패리티 발생기(parity generator) 및 비교기(comparator)와 같은 데이터 검사회로에 응용되는 중요한 기능을 가지고 있다. ... 실험용인 경우 TTL의 74LS00을 사용하면 무난합니다. 모두 2개의 7400이 소요됩니다.배타적 OR(ExOR 또는 EOR)는 2비트 데이터를 비교하는 논리소자이다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.11

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  Mos - FET 공통소스 증폭기 예비레포트

  바이폴라 트랜지스터와는 달리 디지털 논리회로의 스위치 소자로 사용되고 있다. ... 실험목적1) MOS - FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다.2) FET 증폭기에 대한 여러 가지 바이어스를 고찰한다.3) MOS - FET 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 측정한다 ... (negative charge)가 트랜지스터 전류에 큰 기여를 하는 소자를 n-MOS 또는 n-channel MOS라고 하며, 정공(positive charge)인 경우 p-MOS

  리포트 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.03.11

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  [논리회로실험]실험1예비보고서 Basic Gates

  수 있다.Pull-up저항은 회로의 입출력 단자와 고전위사이에 접속되어 있는 저항인데 이는 Logic 회로에서 입력조건은 “1”이냐 “0”이냐 둘중에 하나인데 특히 C-mos IC인경우 ... 실험 목적기본적인 logic gates(AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR)에 대하여 알아보고 이러한 gate들로 구성된 logic 회로에서의 Boolean equation과 ... 변수는 그대로 둔다.예) 0 + A = A → 1·A = A , A + A = A → A·A = A논리함수의 부정논리 회로의 부정을 만들려면 어떤 논리함수에 다음과 같은 5가지 조작을

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.12

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  연세대 전기전자 기초실험 7. 기본 논리 게이트 설계 실험 (예비보고서)

  실험 예비 보고서실험 제목 : 7. 기본 논리 게이트 설계 실험학과학년학번분반실험조성명1. ... 목적논리 회로를 구성하는 기본 논리 게이트의 동작을 이해하고, 논리 회로를 간소화 시킬 수 있는 부울 법칙과 드모르간 정리를 이해한다. ... 전자(negative charge)가 트랜지스터 전류에 큰 기여를 하는 소자를 n-MOS 또는 n-channel MOS라고 하며, 정공(positive charge)인 경우 p-MOS

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.30

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  제 7장 기본 논리 게이트 설계 실험 예비 보고서

  제 7장 기본 논리 게이트 설계 실험[실험예비]① 게이트들을 트랜지스터로 어떻게 구현하는지 알아보시오.→ 좌측 그림은 트랜지스터 2개와 저항 3개로 이루어진 AND 게이트이다. ... ), 정공에 의해 이루어지는 것을 pMOS(positive MOS), 양자를 조합하여 동작 속도를 향상 시킨 것을 CMOS(complementary MOS)라고 한다. ... 그러므로 논리 NOR 동작은 두 개 또는 그 이상의 입력을 가진 회로의 모든 입력이 논리-0 (Low) 일 EO만 그 출력이 논리-1 (High) 이 되는 회로로 정의되어진다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.28

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  실험 2. CMOS 회로의 전기적 특성

  IEEE 윤리헌장 정신에 입각하여 report를 작성하였음을 서약합니다.학 부: 전자공학부제출일: '08. 9. 22과목명: 논리회로실험교수명: 이재진 교수님분 반: 월8.5교시학 ... 이 부분을 공핍영역이라 하는데 여기에 생긴 전위차를 Threshold voltage(문턱전압)이라 n-channel FET로 구성된다.n-channel MOS는 gate-source ... 이 론◆ Logic Level논리 회로에서 2개의 논리값에 대응하는 신호값 논리 조건 긍정 또는 부정 을 수치로 표시한 것으로 논리대수에서는 긍정을 1 부정을 0으로 한다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.10

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  CMOS 논리회로 HSPICE 시뮬레이션

  【 고 찰 】이번 실험의 목적은 기본적인 CMOS 논리회로인 NAND 게이트와 D 플립플롭에 대해 시뮬레이션을 하는 것과 D 플립플롭을 이용하여 down counter를 설계하고 시뮬레이션 ... Lab3-4 CMOS 논리회로 시뮬레이션? 목 적1. 기본적인 CMOS 논리회로인 NAND 게이트와 D 플립플롭에 대해 시뮬레이션을 한다.2. ... NAND 게이트의 논리동작 시뮬레이션- 전원 : VDD = DC 5[V]- 소자 :.title lab3-4-3.option post.inc mos3.lib.global vdd gndvvdd

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.01

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  lab7 시프트 레지스터

  Data 입력 : 두 개의 입력와의 AND 논리?Master Reset 입력(): Active-low, 다른 입력보다 우선하여 모든 FF을 0으로 clear? ... )본 실습을 마무리한 소감을 쓰고 실습 내용을 응용할 수 있는 아이디어를 찾아보세요.이번 lab7 실험에서는 디지털회로와 각종 양을 측정하는 센서들을 이용하여 회로를 꾸미는 실험을 ... 회로도, 진리표, 파형도 등의 기능을 숙지하시오b) 사용할 IC의 논리도, 진리표, 출력 선도 등을 복습한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.23

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  [논리회로실험] CMOS회로의 전기적 특성(예비)

  n-channel FET로 구성된다.① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도된다.② p-channel MOS는 gate-source 전압이 (- ... (c)Actual timing▶ 논리소자가 이상적이라면 그림(a)처럼 상태변화에서 시간이 걸리지 않을 것이다. 하지만 실제 소자는 그림(c)처럼 상태변화에서 시간이 걸리게 된다. ... 또한, CMOS NAND 게이트와 NOR 게이트의 회로도를 그려 보시오.가) CMOS Inverter▶ 기본 CMOS Inverter 회로는 위 그림과 같이 p-channel FET와

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.20

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  기계실험-[실험4] 10진 카운터 제작

  버퍼의 불 대수식은 F=x 이다.- 디지털 IC의 종류와 특징 (TTL & C-MOS), 그 중 74LS90, 74LS47의 기능1)TTL형TTL:트랜지스터 트랜지스터 논리회로라는 ... 이론- 디지털의 이해 (논리 게이트 OR, AND, NOT, NAND, NOR, EX-OR뀉.)- 디지털 IC의 종류와 특징 (TTL & C-MOS)3. ... 예비레포트- 논리게이트(OR, AND, NOT, NOR, EX-OR.....)- 디지털 IC의 종류와 특징 (TTL & C-MOS), 그 중 74LS90, 74LS47의 기능- 7

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.09.19

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  [기계공학기초실험]TTL -Logic 실험

  TTL -Logic 실험1. 목적디지털 IC chip의 기본적 사용법을 익힌다. ... 기본 논리회로인 OR, AND, NOT, NAND, NOR 게이트에 대한 기본논리 동작을 이해한다.2. ... 논리게이트(logic gate)는 논리연산을 하는 회로요소를 말한다. 논리 대수란 논리를 대수와 같이 수식적으로 처리하는 것을 뜻한다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.13

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  실험 8. R A M

  IEEE 윤리헌장 정신에 입각하여 report를 작성하였음을 서약합니다.학 부: 전자공학부제출일: '08. 11. 3과목명: 논리회로실험교수명: 이재진 교수님분 반: 월8.5교시학 ... 구성되어 MOS안의 콘덴서에 전하(electric charge)의 형태로 정보를 저장하며, 이 전하는 시간에 따라 방전하므로 주기적인 재충전이 필요하며, 이를 통해 정보가 유지된다 ... 번: 200420026 / 200420031성 명: 김승욱 / 김용정 (9조)실험 8.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.10

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  정전기(ESD)관련 Training 자료

  마이크로폰 프로세서와 메모리를 포함하는 초직접회로 (LSI) 2 급 (ESD) 1,000V 이상 1. 보호회로가 있는 금속 산화물 반도체 (MOS) 소자 2. ... 보호회로가 없는 금속 산화물 반도체 (MOS) 소자 2. 표면 탄성파 (SAW) 필터 3. 금속산화물 반도체로 구성된 연상증폭기 (OP-AMP) 4. ... 트랜지스터 - 트랜지스터 논리소자 (TTL) 5.2 급 금속산화물 반도체로 구성된 연산증폭기 (OP-AMP) 6.2 급 ESD 가 포함된 초직접회로 (LSI) 3 급 (ESD) 4,000V

  리포트 | 22페이지 | 3,800원 | 등록일 2010.02.25 | 수정일 2018.10.10

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  트랜지스터 응용 회로 실험(2)(예비)

  이러한 특성을 이용하여 Common Source MOS 회로는 0V에 가까운 낮은 전압 준위와에 가까운 높은 전압 준위를 가지는 논리 반전기로 사용될 수 있다.o MOSFET을 증폭기로 ... 나머지 두 영역, Cut Off 영역과 Triode 영역은 전위차를 이용하여 Digital 논리 회로에 이용된다.2. ... 실험제목 : 트랜지스터 응용 회로 실험(2)2.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.08

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  10진 BCD부호 변환기 세미나

  10진 BCD 부호 변환기디지털 논리회로 실험0조세미나8421 BCD 부호BCD코드(Binary Coded Demical Code : 2진화 10진코드, 8421코드)는 10진수 0부터 ... TTL과 비교되는 C-MOS가 있다. TTL은 사용전압이 5V로 한정되어 있고 저렴하다. ... C-MOS는 3V~15V이며 TTL보다 전력소모가 적다. ● BCD-to-7 세그머트 디코더 기능을 수행하는 TTL의 종류 7446, 7447 칩은 애노드 공통형 7세그먼트 표시기를

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.10

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  555 timer IC

  0.1F, 1F, 2.2F1 eawire브레드보드 용다수nipper소형1 ea(3)기초 학습(A) ED-1000BS Logic Unit 특징①TTL IC 및 C-MOS IC의 응용실험과 ... 아래 그림의 회로를 TR의 E(Emitter), B(Base), C(Collector) 핀을 잘 구분하여 breadboard에 구성하고 TR의 base(B) 논리에 따른 LED 점등 ... 기초적인 컴퓨터 HARD WARE 설계에 적합하도록 설계②DIGITAL 회로의 설계 및 실험 실습이 가능③자체에 "+5V" 및 "-5V"의 안정된 DC 전원을 내장④ 2 DIGIT의

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.01

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  기본 논리 게이트 설계 실험-예비보고서

  -7분반기본 논리 게이트 설계 실험0541045 송기선① 게이트들을 트랜지스터로 어떻게 구현하는지 알아보시오.- AND 게이트 : TR 의 E B C 중 두 개의 입력을 B 와 C ... 전자(negative charge)가 트랜지스터 전류에 큰 기여를 하는 소자를 n-MOS 또는 n-channel MOS라고 하며, 정공(positive charge)인 경우 p-MOS ... 또는 p-channel MOS라고 합니다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.08

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  MOSFET트랜지스터의 전압 전류 특성실험 결과보고서

  Introduction이번 실험에서는 신호증폭에서 디지털 논리와 메모리 회로의 설계에 이르는 다양한 응용에서 사용될 수 있는 MOSFET에 대하여 배웠다. ... 디바이스 확인이어질 두 실험의 목적은 MOS 소자의 파라털 멀티미터를 이용하고 MOSFET의 전압 전류 방정식을 이용하여 구하는 것이 목적이다.② Describe how do you ... 있고 이러한 장점과 함께 BJT와 대조되는 아주 큰 장점인 게이트로 전류가 흐르지 않는 장점이 있다이번 실험에서는 NMOS와 PMOS가 합쳐진 IC회로로 실험을 수행 하였고 첫 번째로

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.27

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