"사파이어웨이퍼" 검색결과 61-80 / 97건

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  LED의 구조와 기본 원리, LED산업의 전망

  첫 번째로 LED를 제조하기 위한 기초 소재로 사파이어기판 또는 실리콘기판이 사용된다. ... 두 번째로 사파이어 기판 등의 위에 n형 반도체(n-GaN), p형 반도체(p-GaN)를 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition ; 유기금속화학 ... Epitaxy라고 하는데, LED의 휘도를 결정하는 핵심공정이다.LED의 제조공정출처 : 한철종, LED 고효율 고신뢰성 기술, 전자부품연구원, 2008.세 번째 단계는 Epi Wafer

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.23

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  LCD, Laser Diode, LED의 원리와 특징

  백열램프의 필라멘트에 전기를 통하면 에 사용되는 기판은 주로 Sapphire, GaN, SiC, GaAs 기판들이 웨이퍼로 사용되며 이들 기판 중 가격 경쟁력이 있는 사파이어(sapphire ... LED 기판용 재료의 물리적 특성 비교 (단위: A)LED 에피성장LED 에피성장은 사파이어(sapphire)와 SiC 같은 기판 위에 LED구조(p-n접합구조)를 갖는 박막을 성장하는 ... 에피성장 및 소자공정 기술(좌)과 에피웨이퍼 단면도(우)자료 : 한국광기술원LED 칩 공정기술칩 공정기술은 내부에서 생성된 광자를 최대한 많이 칩 밖으로 추출하는 것이 핵심이다.

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.08

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  TEM시편 제작 방법

  판 위에 시편의 가공한 면이 사파이어 면에 닿도록 한 후 시편을 접착이때 왁스는 시편을 접착시키는 역할을 하는 동시에 화학 연마를 하려는 부분을 제외한 나머지 부분의 화학 연마를 ... 막는 역할통상적인 시편 제작 방법..PAGE:6평면 시편 제작 방법사파이어 판의 투광성은 연마를 언제 끝내야 하는가를 알 수 있도록 함광원을 밑에 두고 연마하는 용액을 놓으므로 시편이 ... #400 연마지를 이용하여 시편의 substrate 쪽 표면을 기계적 연마그 후 원하는 영역을 중앙에 오도록 한 후 2.3-3mm 정도의 원반 형태로 자른 후 왁스를 사용하여 깨끗한 사파이어

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.03

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  LED에 대한 자료와 효율개선,방열 설계 특허 기술

  그러나 1990년대 초반, 일본 니치아사의 나까무라 슈지 박사에 의해 사파이어 웨이퍼 위에 GaN 에피탁시(일종의 박막과 같은 개념이나 박막 중에서도 결정성이 매우 좋은 경우 '에피'라는 ... 그러나 여전히 사파이어와 GaN라는 서로 다른 조합으로 인해 아직까지도 상당한 결함이 존재한다. ... 일례로 wafer bonding 기술이나 활성충과 흡수 기판 사이에 reflector를 채용하는 기술등을 통해 기판에서의 광자의 흡수 손실을 줄인다거나 광자들의 연속적인 내부 전반사를

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.02 | 수정일 2018.04.26

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  LED산업분석 및 향후전망

  예를 들어 Blue LED의 경우에는 사파이어나 SiC 기판 위에 N형 반도체와 활성층(InGaN), P형 반도체를 MOCVD장비를 이용하여 증착시킨다. ... 니치아는 이어 1997년 청색LED에 황색 형광체를 도포해 단일 칩으로는 최초의 백색LED를 구현했다. ... 조명용 칩은 고출력이기 때문에 웨이퍼당 생산되는 칩의 수가 감소하고 칩의 면적 증가는 광효율 및 생산이 저하되는 요인이 된다.

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.26 | 수정일 2015.12.17

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  LED의 어두운 비밀

  그런데 사파이어 결정 구조는 질화물 결정구조와 잘 맞아떨어지지 않으며 이 불일치는 많은 결함을 유발한다. ... 없고 그것조차도 growth chamber을 2200℃온도와 거의 20000에 달하는 기압으로 유지함으로써만 얻어낼 수 있다.그래서 청색 LED 제조자들은 이를 대신하여 일반적으로 사파이어 ... 웨이퍼 위에 소자를 마련한다.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.11

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  PL(Photoluminescence)

  m시편은 에피 밸리사의 사파이어 기판위에 기상화학 증착법으로 제작한 LED용 wafer이다. ... 실험①실험목적LED용 wafer의 PL specrum이 실험온도와 레이저의 파워에 어떻게 의존하는지 알아본다.②실험준비 및 장치의 구성사용하는 레이저의 파장은 355nm(3.49eV

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.21 | 수정일 2021.08.29

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  LED 열역학 설계 프로젝트

  현 재 질화물계 LED용으로 가장 많이 사용되는 사파이어와 SiC 기판의 경우 에피층과의 격자 상수와 열팽창계수 차이로 인하여 생성되는 에피결함을 제거하는 것이 가장 큰 기술적 이슈 ... 또 , 고휘도 RGB(Red·Green·Blue) 발광 다이오드(LED) 들의 조합, 다층구조나 웨이퍼 접합(Wafer Fusion) 등을 통한 단일칩 발광 다이오드(LED) 구현, ... 미래시장의 전망명지대 기계공학부(단위 : 십억달러)LED시장의 미래LED 미래시장의 전망명지대 기계공학부LED 미래시장의 전망명지대 기계공학부적용범위 다각화고휘도 = 광 효율증가 웨이퍼

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.19

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  특수가공 전체조사

  자기변형 변환기Ultrasonic Machining 초음파 가공의 특징 가공붕소 · 지르코니어 · 루비 · 사파이어 보석 · 다이아몬드 등의 경취 재료 가공 내용 : 원 · 각 · ... , 연마 다수 동시 가공 : 상하진동에 의한 파쇄 가공이기 때문에 여러 개를 동시 가공할 수 있습니다 . ( 예 ) 알루미나 기판 50□ 0.5~2Ø 홀 수백개를 동시 가공 실리콘웨이퍼 ... 크게 와이어 방전이어가 컴퓨터의 제어를 받아 지정된 경로를 따라가면서 방전 스파크를 톱날처럼 사용하여 공작물을 절단한다 특징 1.

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.18

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  4-point probe 박막측정 실험

  이온 임플란팅 실리콘 웨이퍼, 사파이어 필름같이 높은 표면저항치를 가진 재질은 매우 낮은 전류(1 마이크로 암페아 이하)를 사용하여 측정할수 있으며, 200 mV 이상은 무시해 버린다 ... thin waferslids 의 경우와 small-diameter wafer의 경우에는,correction factoerm F 사용ρ = F maesured?

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.17

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  [공학]LED

  Vertical LED사파이어 기판위에 GaN/InGaN 에피층을 성장시킨 다음 사파이어를 레이저를 사용하여 분리를 하고, p-GaN층에 Si 웨이퍼를 bonding한 후 그 이후공정은 ... SiC 기판을 사용한 chip전기전도도와 열전도도가 좋은 SiC 기판을 사용하기 때문에 발광면적 을 키울수가 있고, power chip 설계도 가능하다.5. 3inch 사파이어 웨이퍼 ... Flip Chip사파이어 기판위에 GaN/InGaN 에피층을 성장시킨 다음 p-GaN층을 밑을 향하게 하여 chip을 설계하는 방법,TCL을 통해 빛이 방출되는 기존 설계보다, 사파이어를

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.07.06

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  SEM HEM

  목표: GaN/sapphire 박막의 SEM을 이용한 박막의 두께 측정을 하고 기판과 박막 간의 성장 상태, 성장 박막 내의 결함을 관찰할 수 있다.2) 실험 방법① 시편의 준비- 사파이어 ... Si-wafer 위에 GaN를 성장하면 기판으로 사용한 Si-wafer를 간단한 화학적 습식 에칭을 통해 제거함으로써 free-standing GaN를 얻기 위해서 레이저 lift-off를

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.08.25

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  고성장이 예상되는 LED시장

  제조는 LED의 종류에 따라 갈륨비소, 사파이어 등의 소재를 사용, 웨이퍼를 증식하는 공정칩 가공은 도금, 세척, 절단, 검사 등을 수행하는 공정으로 검사 공정에 대규모 인력이 필요합병을 ... 부문으로 진출을 지속적으로 추진하여 일본, 한국 업체들에 비해 보다 완전한 수직통합모델을 구축LED의 제조 프로세스- 웨이퍼 제조, 칩 가공, 패키징 등 3단계 공정으로 구성웨이퍼 ... 자동차 14% (2006년)-수십~수백 개의 LED가 소요되는 대형 디스플레이의 백라이트, 자동차의 브레이크등 및 전조등이 향후 LED의 주된 응용분야가 될 전망도시바, 소니 등에 이어

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.15

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  epitaxy

  위에 실리콘 에피층을 성장시킴2) Hetero epitaxy (이종 에피택시)기판과 에피층이 다른 물질로 구성ex) GaAs 기판 위에서 AlGaAs 3원소 합금의 에피층을 성장시킴사파이어 ... 할라이드 환원반응 계를 사용하는 실리콘 VPE 공정의 경우, 수소기체는 SiCl4가 증발되어 있는 가열 용기(bubbler)를 통과하면서 SiCl4+H2의 혼합 기체로 바뀌며, 이어서 ... 가장 직접적인 방법은 웨이퍼를 흑연으로 된 활동판에 얹어놓고 이것을 움직여 용융액이 들어 있는 용기로 밀어 넣으면서 결정을 성장시키는 방법이다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.09

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  LED개요,역사,최신 국내외 시장동향, 경쟁구도, 국내외 업체 소개,LED전문자료

  제조, 칩가공, 패키징 등 3단계 공정 -웨이퍼 제조는 LED 종류에 따라 갈륨비소, 사파이어 등 소재 사용, 웨이퍼 증식 공정 -칩 가공은 도금,세척,절단, 검사 등 수행 -패키징은 ... Top view1038억('06)알티전자전구와 조명용 고출력 LED에 적용가능한 은코팅 반사경과 방열판을 갖춘 세라믹 LED 패키지 최초 개발 고온동시소결 세라믹 기술 사용해 와이어 ... , 디스플레이나 휴대폰 등에 사용되는 청색 및 황록색 LED용 에피웨이퍼를 주력 생산Epiwafer,chip옵토웨이퍼테크휴대폰 슬라이드 Hinge와 LED 제조 최근 S/V LED

  리포트 | 23페이지 | 10,000원 | 등록일 2007.09.11 | 수정일 2015.10.13

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  LG실트론 최종 합격 자기소개서

  현지 직원들에게 많은 정보와 조언을 들을 수 있었으며 그 프로젝트 발표 준비를 위한 과정 중 각종 디스플레이와 반도체에 관한 큰 매력을 느낄 수 있었습니다.발로 뛰는 노력 후에 '사파이어 ... 또 이 인턴쉽 수료 과정을 통하여 정식 사원으로서의 기회가 주어진다면 LG실트론 이라는 돛을 달고 최고 품질의 반도체 웨이퍼로 세계 시장이라는 푸른 대양을 항해 할 준비가 되어 있습니다

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.14

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  [LED산업]LED 기술 개요 및 주요 응용분야별 시장 동향, LED 기술 발전 전망

  기판의 경우 현재 보편화된 사파이어와 GaAs 기판 등을 사용하여 적외선, 가시광선, 자외선 영역의 모든 파장에서 구동되는 LED 제작이 가능하다.그림 연도별 고휘도 LED 매출액자료 ... 비슷하지만 LED의 경우는 고체의 에너지 천이를 이용한 발광방식이어서 고체 조명용 광원이라고도 불린다.LED 기술의. ... 핵심 원천기술로 분류되고 있으며 고휘도 및 고출력 LED 개발을 위해서는 특히 에피웨이퍼와 칩패키지 기술이 절대적으로 중요하다고 할 수 있다.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.08.19

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  No.44 강화제 첨가가 실리콘 칩의 toughness에 미치는 영향

  ◎실리콘웨이퍼 [silicon wafer]실리콘웨이퍼란 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 규소판으로 순도 99.9999999%의 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 ... 현재 가장 널리 대규모로 사용되는 것은 알칼리법 중 바이어법이다. ... 천연으로는 결정광물인 코런덤으로 산출되고, 또 순수한 코런덤이 착색된 루비와 사파이어도 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.24

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  LED 기본 이해 및 기술 동향

  그러므로 이들 재료를 이용한 광소자를 제조함에 있어서는 사파이어 기판을 분리하여 열이나 전기전도도가 우수한 기판에서 제조되는게 바람직하다. ... 보다 자세한 LLO공정은 Fig.26에 나타나 있다.9) 레이저 펄스에 의해 녹는 점이 약 30℃가 되는 Ga이 사파이어와의 계면에서 용융되어 분리되는 원리이다. ... 사파이어 기판의 분리는 KrF 엑시머 레이저를 이용한 레이저 리프트오프(Laser Lift-Off;LLO)공정으로 가능하고, 이 공정으로 수직 구조의 LED소자가 가능하게 된다.

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.08.27

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  LED발표

  AlInGaP LED고휘도 LED 기술 현황▶ 기판의 부재 - GaN나 AlN의 완충층을 사용 ▶ 사파이어 기판 또는 SiC 기판에서 청,녹색에 대해 기판의 흡수가 없어 광 적출효율을 ... 에너지 밴드 갭을 1.9∼2.26eV까지 조절 ▶ MOCVD법에 의해서만 성장가능 - 발광효율이 떨어짐. (590nm에서 26lm/W, 외부 양자효율이 5%) But, VPE와 웨이퍼 ... 대만업체들의 최근 성장▶제품 및 주요 부품에서 세계 1, 2위의 점유율을 확보 -국별 점유율에서 대만이 21%로 39%의 일본을 근접 추격(2006년) -핵심 부품인 웨이퍼 및 칩의

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.06

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