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"PMOS" 검색결과 61-80 / 612건

  • 디지털집적회로 D Flip-Flop 설계도 및 시뮬레이션 결과
    , I4NMOS42PMOS5.7342T1, T2NMOS162PMOS22.9362Figure 2 Functionality of D-FF without resetFigure 3 Functionality ... time0.1ns0.1ns0.1nsPulse width4.9ns2.4ns2nsTable 2 Size of transistorsWidth (λ)Length (λ)I1, I3NMOS162PMOS22.9362I2
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.30
  • 서울시립대학교 전전설3 8주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔)
    50*20=DRAIN 10=GATE 30=SOURCE 50=VTEMPRg 10 11x 1Rdu 12x 1 1uM1 2 1 4x 4x DMOS L=1u W=1u.MODEL DMOS PMOS ... 1.359086 RS=.00095 TT=11.97n)Ra 4 2 4.8E-3Rs 5x 5 0.5mLs 5 30 0.5nM2 1 8 6 6 INTERE2 8 6 4 1 2.MODEL INTER PMOS
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.20
  • 성균관대학교 디지털집적회로설계 cad과제 2
    2) 2-input NORA B Vout0 0 10 1 01 0 01 1 0 이 정상적으로 작동함을 확인할 수 있다.PMOS가 직렬로 연결되어서 Wp를 2배 키워준다.Wp= 720n ... 모두 직렬연결 되어있어서 W를 2배씩 키워주었다.Wp = 720n, Wn = 480nInput의 입력 신호를 반전시키는 inverter의 pmos와 nmos의 w는 inverter이기 ... 키워준다.Wp = 360n , Wn = 480n4)2-input XORA B Vout1 0 11 1 00 1 10 0 0으로 XOR 연산이 잘 작동함을 확인할 수 있다.NMOS와 PMOS
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.05.31
  • 중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습(3-2) A+ 7차예비보고서-논리함수와 게이트
    따라서 Vcc 가 pull up network 의 PMOS 에게 overdrive voltage 이상의 전압을 제공하지 못한다면, PMOS 는 동작하지 않아 cut-off 가 될 것이다 ... 를 변화시켰을 때, 논리함수의 입출력이 맞게 동작하는 최소 Vcc 전압을 구하여 알 수 있다.이때, 우리가 사용하는 74HC00 NAND 게이트는 pull-up network 가 PMOS
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.06
  • Digital CMOS Circuit 결과보고서
    같다.VA : 3VPP, 1kHz, 사각파 (offset = 1.5V)VB : 3VPP, 2kHz, 사각파 (offset = 1.5V)조건은 위와 같다.위쪽은 input이 각각 A,B인 PMOS ... 게이트의 진리표는 위와 같다.오실로스코프의 출력 파형을 분석해보면 입력 A, B의 주파수가 1kHz, 2kHz로 서로 다르므로 두 입력 중 하나라도 low(0)이면 입력에 연결된 PMOS는 ... : 3VPP, 1kHz, 사각파 (offset = 1.5V)VB : 3VPP, 2kHz, 사각파 (offset = 1.5V)조건은 위와 같다.위쪽은 input이 각각 A, B인 PMOS
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.19
  • MOSFET의 전기적 특성 실험 레포트(예비,결과)
    PMOS의 Transfer curve (a) 와 Output curve (b) [4]이것이 PMOS의 Transfer curve (a)와 Output curve(b)를 나타낸 것이다 ... , NMOS의 특성 관찰- 예비이론MOSFET은 소스와 드레인의 영역 종류에 따라서 크게 NMOS와 PMOS로 나눌 수 있다. ... 반대로 소스와 드레인이 P+ 영역이면 PMOS라고 하고, gate에 (-)전압과 소스에 (+) 전압이 걸리면 P채널이 형성된다. [1]그림 SEQ 그림 \* ARABIC 1.
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08
  • 광운대학교 하()()교수님 전자재료물성 실험 및 설계2 A+ 기말시험 기출자료
    값으로 나오는데 이 여유정도의 잡음이 발생해도 그 다음 입력의 논리값에 영향을 주지 않으므로 noise margin이라고 합니다.Gain은 위에서 말했듯이 -전압이 들어갔을 경우 PMOS
    시험자료 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.21
  • 반도체 공정 레포트 - latch up (학점 A 레포트)
    높은 입력전압에서 NMOS는 ON, PMOS는 OFF 상태이며 낮은 입력전압에서는 NMOS는 OFF, PMOS는 ON이다. ... 즉 NMOS와 PMOS를 고립시켜 두 트랜지스터에 기생적으로 발생되는 SCR 구조를 없앨 수 있다. ... [사진6] trench isolation두번째 방법은 PMOS 와 NMOS 사이에 Guardring을 추가하는 방법이다.
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29
  • 전자전기컴퓨터설계실험3 - 결과레포트 - 실험10 - MOSFET(CMOS Inverter) (A+)
    그 다음 입력 전압이 5V일 때 PMOS에서의 Gate Source 전압이 0V, NMOS에서의 Gate Source 전압이 5V가 되어 PMOS는 전류가 흐르지 않고 NMOS2 ... 그 이유는 입력 전압이 0V일 때 PMOS의 Source전압은 5V이므로 PMOS에서의 Gate Source 전압이 -5V가 되므로 Source와 Drain에 전류가 흐르게 된다. ... 따라서 PMOS, NMOS의 Drain 전압인 5V가 출력된다.
    리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26 | 수정일 2020.11.29
  • 홍익대학교 집적회로 최종 프로젝트
    (왼쪽의 A,B 두 경로와 PMOS, NMOS 둘 다 통과할 수 있다는 가정 하에 경로를 총 2TIMES 2가지로 설정).Fig. 206.
    리포트 | 18페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.09.04
  • [A+결과레포트 전자회로설계실습]10. CMOS Inverter, Tri-state 설계
    그 이유는 Transmission gate의 PMOS, NMOS 둘 다 off(조건: NMOS의 GATE에 0V, PMOS의 GATE에 5V)AT12 ... -PMOS의 경우‣ VDD=4 V일 때,‣ VDD=8 V일 때,에 관한 두 식을 연립하여 풀면, =2.3564V와 -2.3564V로 계산된다.PMOS의 는 음의 값이므로 =-2.3564이다.이걸 ... 그리고, PMOS와 NMOS 트랜지스터의 출력은 상보적이므로 입력이 낮으면 출력이 높고 입력이 높으면 출력이 낮다.
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26
  • 홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서
    위에 주어진 PMOS input stage를 가지는 CS Amp에 대하여A) Voltage transfer curve(VTC : Vin을 0~Vdd까지 0.1V step으로 변화시킬 ... M2 NMOS TR을 Current-Source처럼 사용할 때 전류를 I2라고 하고, M1 PMOS TR에 흐르는 전류를 ID1이라 하면 ID1=I2가되어야 한다.실제 동작에서 Channel
    리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.01.16
  • [전자회로실험]MOSFET 기본특성 결과보고서
    그렇기 때문에 NMOS를 낮은 전압쪽에, PMOS를 높은 전압 쪽에 사용한다.즉, PMOS는 음의 문턱전압을 가져 소스가 높은 전압이 연결돼야 게이트에 상대적으로 작은 값이 들어와도 ... 그렇기 때문에 문턱 전압이 양수가 된다.PMOS같은 경우 바디는 n-well로 구성돼있고, 소스와 드레인은 p+형으로 형성되어 있다. ... NMOS의 경우에는 0V(접지) PMOS의 경우에는 VDD라는 양전압을 걸어 소스와 바디 사이에 정바이어스가 발생하는 것을 방지한다.
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.12.04
  • 11. CMOS inverter와 NMOS inverter의 power consumption
    CMOS의 경우 입력전압이 HIGH->LOW로 갈 때, 위쪽의 PMOS가 켜지면 아래의 NMOS가 꺼지는 방식이고, VCC에서 PMOS를 걸쳐서 커패시터에 충전이 된다. ... 반대로, 입력전압이 LOW->HIGH로 갈 때, NMOS는 켜지고 PMOS는 꺼진다. ... 시뮬레이션 결과(1)다음의 그래프는 CMOS인버터에서, 아래쪽에 위치한 PMOS에 흐르는 전류를 확인한 것이다.
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.22
  • [전자공학응용실험] 증폭기의 주파수 응답 특성 예비레포트
    PMOS의 W/L의 비율에 의해서 결정되는데 우리가 사용하는 회로에서는 소자가 같은 소자이므로 같은 전류가 흐른다.(5)GBP = 36 x (log2140000 – log15) ... Power supply Resistor Digital multimeter 2N7000(NMOS)Function generator Capacitor Oscilloscope FQP17P10(PMOS ... based on PSpice(3)실제 simulation에서는 RL이 45일 때 10배로 증폭이 되는 것으로 나타났으며 오차 범위 안쪽에서 확인할 수 있었다.(4) I1과 IREF는 PMOS
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.19
  • 반도체 실무면접 대비_반도체 공정 기초
    Overlay를 설명하라Positive PR 과 Negative PR노광의 파라미터Photo 회절현상MOSFET에 대해 설명NMOS, PMOSFETMOSFET 소자 성능 개선 방법NMOS대비 PMOS
    자기소개서 | 72페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.16
  • (A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 논리회로실험 예비보고서2
    전압을 걸어주면, PMOS로만 길이 열리게 되어 NMOS로는 전류가 통하지 않고 PMOS로만 전류가 통하게 된다. ... .- PMOS : 전하를 옮기는 캐리어가 정공(hole)이 사용되는 반도체를 말한다. 양의 전하를 갖는 정공이 캐리어로서 이동하여 전류가 생긴다. ... 양을 의미하는 positive의 p를 따 PMOS라고 한다.- NMOS : 전하를 옮기는 캐리어가 자유전자(free electron)이 사용되는 반도체를 말한다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.24
  • 전자공학응용실험 텀프로젝트 mosfet과 다단증폭기 이용한 파워오디오앰프 제안서
    NMOS에는 소오스 단자 쪽으로 흘러 나가는 화살표가 있고, PMOS에는 소오스 단자 쪽에서 흘러 들어오는 화살표가 있다. ... 마찬가지로 바디는 n형 기판, 소오스와 드레인은 로 도핑한 MOSFET 구조를 ‘PMOS’라고 한다.MOSFET의 기본원리는 커패시터이다. ... 문턱 전압은 로 표시하며, NMOS의 경우에는 그 값이 보통 0.4~1.0V이고, PMOS의 경우에는 –1.0~-0,4V이다.Multi-stage amplifierMultistage
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.10.14
  • 성균관대학교 디지털집적회로설계 cad과제 5
    Write를 안정적으로 잘 하려면 NM4, NM3가 PMOS보다 성능이 좋아야 한다. ... 기본적으로 nmos는 pmos보다 빠르게 동작하기 때문에 pull up ratio = 1로 설정했다.
    리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.05.31
  • 홍익대학교 집적회로 설계 프로젝트
    =>Input data pattern에 따른 delay를 표로 정리하였다.A, B, 3개의 pmos와 nmos가 동시에 켜지는 경우에 딜레이가 최소로 나타난다. ... 딜레이를 최소로 하기 위해서 stage effort가 4인 것이 좋다. pmos 사이즈2 nmos 사이즈1인 인버터를 기준으로 미러애더를 sizing 했다면...... ... A, B 트랜지스터가 병렬로 연결되어 있기 때문에 셋이 동시에 켜질 때 내부 저항이 감소하기 때문이다. =0 인 경우에 pmos 3개가 모두 켜지는 경우를 제외하고는 딜레이가 거의
    리포트 | 23페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.01.06
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2024년 09월 15일 일요일
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- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대