"band gap CdS" 검색결과 61-80 / 183건

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  반도체 성질을 가지는 나노 입자의 제조

  나노입자의 크기가 작을수록 band gap이 커지며 bule shift 현상을 나타낸다. ... 결과적으로, 첫 번째 excitonic 전이(또는 band gap)는 입자의 크기가 작아짐에 따라 에너지가 증가한다. ... 이 예상은 입자의 반경이 감소에 따라 측정된 빛의 흡수 분석 결과 넓은 영역의 반도체 나노입자의 청색편이로 실험적으로 입증된다.반도체의 band gap은 격자 내에서 전하 운반자들인

  리포트 | 9페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.10.16

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  CdTe Solar Cell의 효율개선 방안

  effectHetero Junction Band gap SKKU LightDangling bond CdS Nano scale Dangling bond 의 감소 Surface recombination ... 광투과층 광흡수층 후면전극Why CdS-Nano Scale? ... Design Why CdS Nano scale? - Quantum Confinement - Surface Restructure 3. Why Nano Wire? 4.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.30 | 수정일 2016.06.11

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  태양전지의 원리 및 미래 태양전지 기술

  CIS는 밴드갭이 1.04eV로써 Ga, Al, S등의 원소를 도핑함으로써 인위적인 밴드갭 조절이 가능하며, 에너지 갭을 2.7eV까지 확장할 수도 있다.또, CIS에 에너지 흡수대역을 ... 증가시키기 위해 Ga을 첨가한 것이 CIGS 반도체인데, 조성의 변경에 따라 결정격자 상수뿐만 아니라 에너지 밴드갭의 조절이 가능하다. ... CuIn1-xGaxSe2의 태양전지에서는 In원자에 Ga를 첨가함으로써 밴드갭의 조절에 의한 태양전지 성능향상에 직접적인 영향을 주고 있다.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.12.16

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  화학공정실험예비3 CdS 합성

  광촉매의 원료가 되는 CdS, CdSe,ZnO, TiO2 등은 모두 반도체의 특성을 가지고 있는데, 반도체는 밴드갭 이상의 에너지를 외부에서 받으면 전자, 정공(h+)쌍을 발산하는 ... 광촉매에 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 빛을 조사하면 내부에 전자, 정공쌍이 생성되고 이것이 광촉매 표면에 흡착된 유기물질과 반응해 산화환원반응을 일으켜 흡착된 물질을 분해하게 된다. ... 화학공정실험(2)예비보고서제목 : CdS 합성분반302분반조3조학번200812226이름최하나1. 제목 : CdS 합성2.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.01.10

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  nano tio2 의 성질과 합성, 응용

  nano-TiO 2 with semiconductor Valence band Conduction band − + − CB VB TiO 2 CdS Valence band Conduction ... band − + + − 3.0~3.1eV 2.5eV 3.0~3.1eV CdS nanoparticles enable nano-TiO 2 to be excited by visible ... Cathode Large surface area Cheap and can be reused High band gap energy Balance with dye 0.2 eVCoupling

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.16

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  반도체 나노입자의 분광학적 성질 결과보고서

  이 루모궤도에 전자들이 차있고 도체의 경우에는 갭이 거의 없어서 쉽게 전자들이 이동하여 전기가 통하는 것이고 고무같은 부도체의 경우 밴드갭이 커서 전자들이 이동하지 못하여 전기가 통하지 ... (E=hc/) 흡수하는 에너지가 작다는 것은 밴드갭이 작아, 작은 에너지에도 쉽게 전자들이 들뜬상태가 될 수 있다는 것이다. ... 반도체는 밴드갭을 빛이나 열의 형태로 에너지를 흡수하여 전자들이 들뜬상태가 될 수 있다.5)참고문헌물리화학실험 대한화학회 청문각 2004 p109 ~ 115[결과보고서]

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.02.23

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  Shell의 변화에 따른 CdSe Quantum dot 의 optical property 연구

  Si Cd CdSeBand Gap Direct Band gap Indirect Band gap The term band gap refers to the energy difference ... the valence band and the bottom of the conduction band Band Gap (Direct) Band Gap (Indirect) √ Why CdSe ... Gap Conduction Band Valence Band The term band gap refers to the energy difference between the top of

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.31

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  산화티타늄 광촉매에 의한 분자분해 예비보고서

  반도체 등의 분말을 용액에 넣어, 그 밴드 갭 이상의 에너지 광을 조 사하면, 마이너스 전하를 갖는 전자(e-)와 플러스 전하를 갖는 정공(h+)이 생성된다. ... 금속과 비교해 볼때, 금속의 경우에는 전자가 가전자대(valenced band)는 물론 전 도대 (conduction band) 도중까지 전자가 채워져 있어서 항상 전류가 흐를 수 ... 이 중TiO _{2}는 자 체가 빛을 받아도 변하지 않아 반영구적으로 사용이 가능한데 반해,ZnO와CdS는 빛을 흡수함으로써 촉매 자체가 빛에 의해 분해되어 유해한 Zn, Cd 이온을

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  Quantum dot을 활용한 나노 소재 제작

  갭 을 자유롭게 조절할 수 있는 전자기적 복사 방사체이다.3. ... 양자점의 중심체로는 CdSe(카드뮴셀레나이드), CdTe(카드뮴텔루라이드), CdS(황화카드뮴)이 주로 사용된다.2. ... 갖는다.② 기존 반도체의 operating capacities을 능가하는 새롭고 사용가능한 다양한 형식의 새로운 반도체이다 quantum dot은 2~10nm의 크기를 갖는다.③ 밴드

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.29

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  마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조 예비

  또한 반도체 나노 입자는 Bulk 물질의 전기적인 특성과 비교하면 크기가 작아짐에 따라 밴드 갭이 커지는 성질을 갖게 된다. ... 반도체 나노 결정의 경우에는 상당히 큰 나노 결정에서 밴드 갭을 가로지르는 광학적 전이나 전기적 전이 성질에 많은 변화가 나타난다. ... band33.0~50.0마이크로웨이브의 주파수 범위와 밴드의 세분화 명칭1) Microwave의 역사1864~1873년경에 James Clack Maxwell은 고전적 수준에서 전자파의

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

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  광촉매 기술에 관하여

  이 결과는 음이온 도핑에 의해 밴드갭이 줄어든다는 이전의 실험결과와도 잘 들어맞는다. ... 점유하지 않아 비어있는 전도 띠(conduction band) 사이에 전자가 점유할 수 없는 금지된 에너지 띠 간격(band gap Eg)이 존재한다. ... 또,에서 산소대신 C, N, S 등으로 치환시켜 만든 최적화된 구조체는 음이온 도핑에 의해 산화 티타늄의 밴드갭이 줄어 들 수 있어 가시광선 촉매로의 전환이 가능할 것이라 예측되었다

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.06

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  광촉매 발표자료

  밴드 갭 에너지가 2.54eV 로 변형되어 490nm 의 빛에서 반응을 할 수 있는 물질도 연구되었다 . ... 문제점 330nm 이하 파장의 빛에서 광 촉매 반응이 일어난다 . → 물 분자를 환원할 수 없다 .WO 3 (Tungsten trioxide) 밴드 갭 에너지가 2.6eV 로 , 가시광선 ... Ban 의 d gap 이상을 가지는 파장 40) + Zn(g)+ Air → CO 2 + ZnOSnO 2 (Tin dioxide) 다른 반도체와 결합하여 새로운 Valence band

  리포트 | 47페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.12.12

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  Cds 제조,분광학적 성질

  : 전자들이 들어 있는 band conduction band : 전자가 conduction band로 이동 → 전류흐름 Band gap 생성나노세계양자이론계면활성제UV- visThe ... 상온에서의 band gap이 2.42eV이고 태양광하에서 투명하며 노란색. ... 금속에서 HOMO → Fermi level Band gap 생성 Χ 도체의 성질HOMO = highest occupied molecular orbitalBand gap이 없는 경우나노세계양자이론계면활성제UV

  리포트 | 54페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.30

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  LED 구조의 제작 및 평가 실험

  그래서 PL Intensity의 측정 결과를 역으로 생각해서 우리가 제조했던 CdS의 에너지 밴드갭을 계산하였다. ... 파장을 통해 계산해 낸 값은 1.83 eV로 원래 CdS가 가지고 있는 에너지 밴드갭인 2.42 eV보다 작은 값을 가짐을 ... CdS는 상온에서 에너지 밴드갭이 2.42eV인 직접 천이형 반도체로서, 박막의 형태로 성장된 CdS는 photoconductor, 태양전지, 레이저 다이오드, 비선형 집적 광소자

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.17

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  cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

  gap 이상의 빛이 들어와 전자 , 홀 쌍이 생기고 PN 접합으로 생긴 전기장에 의해 이동 이로 인해 생긴 전압 차로 전력을 만들어 냄 CIGS 의 원리- 밴드 갭 이상의 태양광 ... 밴드갭 CIGS 구조Window layer( ZnO : n-type) 투명전극으로서의 역할 - 광투과율 , 전기전도성 CIGS 구조반사방지막과 전극 반사방지막 (MgF2) 입사되는 ... Contact (molybdenum) 선택조건 : 열팽창계수 전기전도도 고온안정성 CIGS 구조Absorber layer( 화합물 : p-type) Cu,In,Ga , Se 함량조절을 통한 밴드갭

  리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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  CIS,CIGS

  CuGaSe2는 밴드 갭이 약 1.5eV로 Ga이 첨가된 Cu(InxGa1-x)Se2 화합물 반도체의 밴드 갭은 Ga 첨가량에 따라 조절이 가능하다. ... 높은 밴드갭에선 짧은 파장의 빛에 의해 과잉 전공 발생? 낮은 밴드갭에서 긴 파장의 빛을 받아 과잉 전자 발생2. 전계에 의한 excesscarrier 이동? ... 하지만 두 물질은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드 갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 필요하다 현재 가장 높은 효율의 태양전지에

  리포트 | 18페이지 | 15,000원 | 등록일 2010.12.22 | 수정일 2022.08.12

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  박막형 태양전지의 재료인 Cd-Te의 현재 기술과 문제점분석

  에너지 밴드 갭이 1.45eV이며 직접천이형 밴드구조를 가지고 있다. ... CSS법은 장치가 간단하고 유지·보수가 간편하며, 주로 반응챔버, 할로겐램프, 가스봄베 및 연결부, 진공펌프 및 제어반으로 구성된다.광투과층으로 사용되는 CdS는 밴드갭이 2.42eV이고 ... 생 성된다.2)캐리어의 재결합 및 소멸전조대로 이동한 전자는 전체의 계로서 열평형 상태로 돌아가려고 하기 때문 에 어떤 시간 (수명시간)를 경과한 후 다시 충만대(valance band

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  태양전지-차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성(태양전지의 작동원리 등)

  아래 그림과 같이 반도체의 pn접합으로 만든 태양전지에 반도체의 금지대폭(Eg : Band-gap Energy)보다 큰 에너지를 가진 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되는데, ... , 이때 밴드갭보다 큰 여분의 에너지는 열로 바뀌어 소실된다. ... GaAs는 최적의 밴드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In,Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.10

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  Photoconductor(광도전체), ITO(Indium Tin Oxide)

  (ITO가 투명한 이유는 산화물 세라믹이어서 Band-gap이 크기 때문)ITO는 매트릭스 방식으로 구동되는 PDP, LCD 등의 얇고 평평한 디스플레이에서 투명전극으로 사용된다. ... 나쁨.주위온도0도 이하에서 저조도로 되면 응답 특성 나쁨.(0~50도 사이에서 거의 영향 없음)※ 응답 특성 그래프[2] ITO(Indium Tin Oxide)- 전기전도가 우수하면서 Band-gap이 ... CdS는 인간의 시감도(視感度)에 가까운 것이 특징이며, 카메라의 TTL기구에 사용되고 있는 것에는 이것이 많다.- 황화카드뮴 (cds)· 원리 및 구조 : CdS광도전체에 임의의

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.20

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  [발광디스플레이 과제] 2단원 요약 정리 (Phosphor Quantum Dots, Qdots)

  여기 된 양자 state는 conduction band에 놓여있는데 conduction band는 비어있고 valence band와 밴드갭(, 그림 2.1)이라 불리는 energy필터로써 ... 밴드갭에서 양자 구속 효과2.3.3.1 EMA 모델2.3.3.2 LCAO-MO2.4 엑시톤의 Relaxation 과정2.4.1 radiative relaxation2.4.1.1 밴드 ... 그러므로 exciton의 radiative 재결합은 밴드갭보다 약간 낮은 에너지에서 근처 밴드 가장자리 방출을 유도한다. radiative 방출은 또한 relaxation에 필요한

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.31

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