"igbt" 검색결과 61-80 / 170건

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  matlab simulink를 활용한 영구자석형 동기전동기(PMSM) 속도 및 위치제어

  한편 스위칭 시간을 조정하면서 원하는 전압이 인가되도록 하는데 다음의 그래프가 그것을 설명해준다.이 그림은 IGBT라는 또 다른 반도체 소자를 이용한 CRPWM (Current Regulated

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.02.08

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  전력전자 Boost-Converter 설계 보고서

  컨버터 Block Diagram 및 회로도◎ Block Diagram◎ 회로도☞ TL494를 이용하여 IGBT의 게이트 신호의 듀티비와 스위칭주파수를 설정한다.3. 참고사항4.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.09

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  태양광발전에 따른 향후 반도체업계의 동향 및 전망

  컨트롤 회로 0.7 5 3.5 4 아날로그 IC 2.0 1 2.0 4 개별반도체 IGBT( 저전압 ) 5.0 3 15.0 66 IGBT( 고전압 ) 7.5 2 15.0 리커버리 다이오드 ... 는 전체 IGBT 출하량의 약 5%(2008 년 ) 에 상당하고 앞으로 그 비율은 점차 증가할 것으로 전망 . ... 칩 IGBT 모듈 인버터 EV Car 소재社 반도체社 제어기社 자동차社 자동차 업체 반도체 업체 원가절감 이슈 반도체 관심 고조 반도체의 모듈화 및 시스템화 자동차 산업의 부가가치

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.01.19

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  트랜지스터

  또한 트랜지스터에 비하여 On-Off 스위칭 속도가 빠르다.2.4 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)IGBT는 이름에도 나타난 바와 같이 그 내부

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.20

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  초퍼 인버터 특성

  때문에 IGBT는 MOSFET의 이러한 단점을 보완하고 높은 항복전압과 전류를 얻고자 하는 취지에서 개발되었습니다.하지만 이런 IGBT에도 단점은 있습니다. ... 비해 길다는 단점이 있습니다.최근에는 고속 IGBT를 만들기 위해 많은 연구가 진행되고 있으나 아직까지 IGBT의 switching fre나게 할 수 있으므로 일반 상용주파수에 사용하는 ... 바로 속도가 MOSFET에 비해 느리다는 것입니다.실제로 IGBT는 electron가 hole의 두가지 carrier를 모두 사용하게 되는데이로인해 turn-off시간이 MOSFET에

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.26

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  분산전원을 위한 계통연계형 인버터 제작

  )제작 하려는 Inverter는 300W급으로써 입력 전압 400출력전압 220,60인버터를 제작 하였으며 스위칭 소자는 IGBT를 선정 하였다. ... 펄스폭 변조 인버터 (PWM 인버터) 22.1.2 단상 full-bridge 인버터 32.1.3 단방향 전압 스위칭 PWM 42.2 인버터 설계 52.2.1 Power Switch (IGBT ... 그래서 그 개선 사항으로 이번 작품에서는 저주파 변압기를 사용하지 않고, 400V의 DC 전압을 IGBT와 펄스폭변조(PWM)기법을 통해 소형, 경량화 하였다.펄스폭변조(PWM)는

  리포트 | 25페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.16

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  SCR_기초와 설계자료

  1. 사이리스터란1-1. 개요p-n-p-n접합의 4층 구조 반도체 소자의 총칭으로서, 역저지 사이리스터, 역도통 사이리스터, 트라이액이 있다. 그러나 일반적으로는 SCR(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor)이라고 불리는 역저지 3단자 ..

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.27

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  4상한 초퍼 운전

  다시 current reference를 current sensor와 값의 차이를 비교한 뒤 P제어기를 거친 후 limiter를 통하여 값의 크기를 제한 시킨 뒤 삼각파와 비교하여 IGBT의

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.12.23

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  전력전자공학에 대한 개론

  IGBT게이트절연 트랜지스터 , 전압제어 전력용 트랜지스터BJT보다 빠르고 MOS-FET보다 느리다.구동, 출력특성은 BJT보다 IGBT가 유리10. ... ), 정전유도 트랜지스터(SIT) 상용화ㅇ 연구분야- 전력용 반도체 소자 분야 :power MOS-FET, IGBT등 새로운 전력용 소자의 개발- Power Converter 분야AC ... 트랜지스터 발명▶ 1958년 GE사에 의해 다이리스터 상용화▶ 1970년 이후 전력용 다이오드, 다이리스터, 전력용트랜지스터(BJT), 전력용MOSFET, 게이트 절연 트랜지스터(IGBT

  리포트 | 126페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.30

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  전기동차의 속도제어법

  또한 물리적으로 접촉/마찰되는 브러시-정류자가 없어 보수가 필 요 없는것이 장점입니다.VVVF inverter 제어에서는 GTO, IGBT 같은 고속 스위칭 전력소자를 사용하여 유도전동기 ... 구동음입니다.* VVVF 인버터의 구성- 컨버터부 : Diode와 Condenser로 정류 작용 및 맥류를 평활하게 하여 일정한 직류 전압을 얻는 작용을 하며 인버터부에서는 GTO 나 IGBT같은

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.28

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  인버터

  .- 인버터의 주소자를 Trun-off 시간이 짧은 IGBT, FET 및 Transistor를 사용 한다.⑤ 전압형 인버터의 장점- 모든 부하에서 정류가 확실하다.- 속도제어 범위가

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.12

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  초퍼 인버터 특성

  때문에 IGBT는 MOSFET의 이러한 단점을 보완하고 높은 항복전압과 전류를 얻고자 하는 취지에서 개발되었습니다.하지만 이런 IGBT에도 단점은 있습니다. ... 3000 번으로 고속 스위칭이 불가능했지만 iGBT 를 사용하면은 전압파형이 안정되어 전류특성이 좋아지고 모터의 소음을 없앨수 있습니다.⑴ IGBT(Insulated Gate Bi-Polar ... 비해 길다는 단점이 있습니다.최근에는 고속 IGBT를 만들기 위해 많은 연구가 진행되고 있으나 아직까지 IGBT의 switching frequency는 100kHz 이하인 것이 대부분입니다.현재

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.02

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  PMSM속도제어회로설계

  하지만,IGBT같은 경우는 온도가 증가함에 따라 Vce-sat전압이 감소하기 된다. ... 이 얘기는고온에서 MOSFET의 전압 손실은 증가하는 반면, IGBT는 줄어든다는 것을 의미한다. ... 콘버터부에는 다이오드가 평활회로부에는 콘덴서가인버터부에는 iGBT가 사용된다.▶PWM과 PAM제어의 차이?

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.31

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  벅 부스트

  출력전압의 극성은 IGBT의 쌍의 on에 따라 극성이 바뀐다. ... Q1에 가해진 스위칭제어신호의 듀티사이클이 대략 70%가 되도록 한다.b) IGBT Q1과 Q2에 가해진 스위칭 제어신호의 파형을 스케치한다.1번과 2번의 파형c) 전력용 IGBT ... IGBT 4상한 쵸퍼에서 전류는 어느 방향으로나 흐를 수 있는가?듀티비에 따라서 전류의 방향이 바뀔수 있다.3.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.28

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  IPM

  이러한 IGBT의 특징 때문에 80년대 후반에이미 IGBT module등이 사용되기 시작하였는데, 80년대 말에 이르러서는 주변회로부를 포함하는 최초의 IPM이 시장에 탄생하게 되었다 ... 또 고주파화를 위한 고속 스위칭이 가능하여 대용량화가 용이하다는 것도 IGBT가 사용되는 큰 이유이다.이 IGBT chip의 성능개선은 포화전압과 스위칭시간의 trade-off 개선 ... 그리고 충분한 안전동작영역의 확보 등에 따라 현재 제 4세대 IGBT chip을 사용한 IPM이 제품화의 주류를 이루고 있으며 이 결과 inverter 동작시의 IGBT 발생손실이

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.29 | 수정일 2014.01.16

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  태양광전지 동향 및 향후 전망

  Die Part 연료전지의 특징 - 친 환경성 - 고 효율성 - 2 차 전지의 단점인 용량한계극복 - 자동차 외에 다양한 분야에 응용가능IGBT Die Part 연료전지의 특징 - ... 친 환경성 - 고 효율성 - 2 차 전지의 단점인 용량한계극복 - 자동차 외에 다양한 분야에 응용가능IGBT Die Part 연료전지의 특징 - 친 환경성 - 고 효율성 - 2 차 ... 전지의 단점인 용량한계극복 - 자동차 외에 다양한 분야에 응용가능IGBT Die Part 연료전지의 특징 - 친 환경성 - 고 효율성 - 2 차 전지의 단점인 용량한계극복 - 자동차

  리포트 | 35페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.01.19

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  UPS(무정전 전원장치) 개요 및 종류

  인버터의 특성, 방식, 소형, 경량화가 진행되었고, 1980년대에 들어서서는 바이폴라 파워 트랜지스터의 대용량화, GTO(Gate turn off thyristor), FET, IGBT ... UPS 용어 정의2.1 인버터(INVERTER) : 직류전원을 교류전원으로 변환하는 부분이며 축전지의 직류전원을 반도체 소자 (IGBT, Transistor, FET등의 소자)로 변환하여

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.23 | 수정일 2017.08.14

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  트랜지스터 종류 및 동작원리

  그러므로 IGBT는 전압 제어 소자의 장점인 구동전력이 적고, 구동회로가 간단하기 때문에 회로 설계가 용이하다.IGBT가 턴 온 되는 방법은 전단의 파워 MOS의 게이트에 정전압을 ... IGBT는 파워 MOSFET의 고속 스위칭 성능과 PTR의 고전압? ... IGBT? UJT? PUT2. Nano 반도체 소자 및 응용3. 참고문헌 및 Website1. Transistor 종류 및 동작 원리?

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.25

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  무정전 전원 장치(UPS)

  IGBT는 PNP Transistor와 MOSFET를 접속한 Monolithic의 BI-MOS Transistor입니다. ... 이처럼 IGBT는 POWER MOSFET와 같이 Gate의 전압신호만으로 ON.OFF 상태를 제어할 수 있는 장치입니다.3. ... 가장 일반적으로 사용되는 방식을 예를 들어 설명하자면 DC로 정류된 전압을 받아서 IGBT라는 소자를 통해 PWM제어방식을 사용하여 파형을 출력하면 이 파형을 FILTER를 거쳐 사용목적에

  리포트 | 7페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.12.24 | 수정일 2022.12.28

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  [다이오드,MOFET등...] 전력전자

  BJT는 이러한 베이스 제어특성 때문에 MOSFET나 IGBT등의 전압제어 스위치보다 훨씬 큰 구동전력(drive power)을 필요로 하는 단점이 있다.보통, BJT의 스위칭 속도는

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.11

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