"rf 마그네트론 스퍼터링" 검색결과 61-80 / 130건

• 

  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  성장하는 박막에 충돌하는 입자들의 에너지는 전력, 기판에 가해지는 전압, 아르곤 압력 등의 변화를 통해 조절할 수 있다.또한 rf 마그네트론 스퍼터링은 전원으로 rf파를 가해주는 것으로 ... 자장이 타겟표면에 가해지면, plasma형성이 용이하고 이차전자에 의한 박막표면의 손상도 줄여줄 수 있다.반응성 스퍼터링이란 증착하려는 박막성분중 하나 이상의 성분을 기체상으로부터 ... 스퍼터링에 의한 박막의 제조 방법은 기타의 다른 박막의 제조법에 비해 비교적 낮은 온도에서 증착이 가능하므로 증착층과 기판사이의 열적 확산이나 기판의 구조변화를 막을 수 있고 열팽창계수차이로

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.04

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마 공정

  또한 이 장치는 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에는 적합하지 않은데, 특히 타겟 표면에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다.RF스퍼터링RF스퍼터링 ... 낮은 압력에서도 사용 가능 - 단점 : 생성된 막이 타겟 물질의 조성과 반드시 일치하지는 않음 공정상 정밀제어와 주의 요함 ▶Magnetron 스퍼터링 - 소스 타겟 뒷면에 영구자석이나 ... - 부도체 박막 증착시키는 방법 - 장점 : RF전원입력을 사용하여 부도체 재료를 스퍼터링 할 수 있음.

  리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16

  다운로드 장바구니
• 

  진공증착 (Sputtering)_pre

  금속막의 스퍼터링에는 DC 바이어스를 건다.RF 바이어스는 노출된 웨이퍼를 식각하고 세척한다는 또 다른 정점을 준다. ... 마그네트론 스퍼터링 시스템은 타겟의 뒤, 때로는 옆에도 자석을 설치해서 이러한 전자들을 제거한다. 이 자석은 떠도는 전자를 타겟 근처에 가두어 놓는다. ... 따라서 아르곤 원자는 가속되며 이netron 스퍼터링첫번째 두 방법을 diode 스퍼터링이라고 하며 그 개념은 간단하다.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

  다운로드 장바구니
• 

  박막증착 개론

  DC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron 스퍼터링 장치가 반응성 스퍼터링 장치로 이용될 수 있다. ... 플라즈마 밀도를 향상시키기 위해 연구된 것이 마그네트론 sputtering 기술이다. ... 그러나 마그네트론 sputtering은 플라즈마를 타겟 주위로 구속하기 때문에 이온충돌효과를 통해 플라즈마의 밀도를 높이고 기판에 입사하는 이온의 유속을 증대시키는데에는 불리하다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26

  다운로드 장바구니
• 

  sputtering

  낮은편이나, 마그네트론을 이용하여 스퍼터링 비를 증가시키는 방법이 개발되었다. ... Circular, planar magnetron cathode schematic, illustrating the magnetic confinement and the resulting ... 박막 증착은 특히 반도체 산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF (Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

  다운로드 장바구니
• 

  반도체공정 레포트 최종

  척의 중심부에 올려놓는다.2) Thermal Evaporation 과정① 보트 위에 유리를 올려놓는다.② 쳄버 닫고 진공을 잡는다.③ 열 증착기 이용하여 박막을 증착한다.3) DC Magnetron ... 인가할 수 있도록 금속단자가 필요한데 이러한 금속단자를 반도체 웨이퍼에 만들어주는 과정이 금속공정이다.금속공정을 통해 단자를 형성하기 위한 방법에는 화학기상증착 또는 열증착 및 스퍼터링 ... 이러한 단점은 RF s과정)⑥ 잔류 용제를 증발시켜 PR이 표면에 잘 붙게 하기 위해 105℃로 다시 약 3분간 hard baking 한다.⑦ 약 2분 30초간 에칭 한다.※ 에칭의

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 및 나노물리학 과제물

  및 RuO2 기판 위에 증착된 PZT 박막의 두께와 표면형상은 α-step과 SEM으로 각각 조사한다.Pt dot는 상온에서 10분동안 rf 마그네트론 스퍼터링법으로 150nm 두께로 ... 200,400도에서 증착하여 제조한다.- RuO2 박막은 dc 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 300도에서 증착한다.증착된 박막의 결정구조는 X선 회절분석기를 통해 분석한다.Pt ... 전자싸이클로트론공명(ECR)플라즈마는 아주 높은 이온화 효율을 갖기 때문에 원료물질을 효과적으로 분해할 수 있으므로, 저온에서 양질의 Pt박막을 dc 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.10

  다운로드 장바구니
• 

  이온플레이팅

  기판 전위는 마그네트론에 의한 보강이 있거나 없는 DC나 RF를 쓴 다.몇몇 형태에서는 기판은 접지 전위에 있 을 수도 있다. ... 글로 방전 플라즈마 대신에 이온빔을 타겟 표면에 조사함으로써 스퍼터링 현상을 유도할 수 있으며, 이온빔의 가속전압과 이온유속(Ion flux)을 제어함으로써 스퍼터링 속도를 조절할 ... 이온빔을 PVD에 이용하는 방법은 두 가지로서, 하나는 이온빔을 스퍼터링원으로 사용하는 것이다.

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.03

  다운로드 장바구니
• 

  플라즈마

  Wave plasma (SWP), Magnetic Enhanced RIE (MERIE), Dual frequency RIE 등 많은 방법들이 개발되었으며 이들은 각각의 독특한 플라즈마 ... Magnetic Enhanced ICP(MEICP), Low or High frequency ICP, Multiple ICP, Helicon plasma, ECR plasma, Surface ... 매엽식 공정장치에서 CCP는 웨이퍼 등의 시료가 위치하는 하부 전극과 가스 주입을 위한 샤워 헤드가 포함된 상부 전극으로 이루어져 있는데 일반적으로 RIE 장비는 하부전극에 RF를

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.01

  다운로드 장바구니
• 

  각종 진공 pump 원리 및 사용 방법

  Sputtering 증착법: RF Sputtering 증착법v RF sputter의 구조⑺. ... DC MAGNETRON SPUTTER 작동법1) 맨아래 전원을 켠다.2) 냉각수 밸브가 열려 있는지 확인냉각수밸브가 열려 있지 않으면 알람이 작동3) 로타리 펌프와 디퓨전펌프의 전원을 ... 스퍼터링의 장접과 단점1) 장점: 넓은 면적에서 균일한 박막두께 증착 가능박막 두께의 조절이 비교적 용이함진공증착에 비하여 보다 정확한 합금 성분 조절 가능2) 단점: 고가장비낮은

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.03

  다운로드 장바구니
• 

  PECVD / SPUTTER

  원리이다.왼 쪽 그림은 평판형 마그네트론 스퍼터링의 그림이다.평판 캐소드의 뒤쪽에 영구 자석을 둔다. ... 또한 시간 ,압력 ,RF전력, 가스 과 같은 것을 조절하여 증착 공정을 바꾸어 줄수 있다. ... 가하는 방법도 있다.자기장이 어떤 일정한 세기를 넘으면 (컷오프 자기장이라고 한다)전자는 음극을 나가서 양극에 도달하지 못하고 양극 사이에서 나선 운동을 계속하게 되는데 이것이 마그네트론의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

  다운로드 장바구니
• 

  DRY ETCHING

  RIE 는 그림에 표시된 것처럼 웨이퍼가 RF 가 인가되는 전극 (cathode) 에 위치벽 특성을 만들어낸다 . 애노드에는 스퍼터링이 없다 . ... 압력은 0.1torr 이하로 비교적 낮다 .( 장비 )MERIE 자기적으로 강화된 반응성 이온 식각 반응기인 마그네트론은 물리적 , 화학적으로 결합된 식각 시스템이다 RIE 반응기와

  리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.21

  다운로드 장바구니
• 

  Sputter Deposition

  Circular, planar magnetron cathode schematic, illustrating the magnetic confinement and the resulting ... cathode enhanced magnetron이온화를 높이기 위해 magnetron source 앞에서 직접 hollow cathode discharge가 이용됨.② RF voltage ... (a) 전형적인 2극 직류 스퍼터링 장치, (b) 스퍼터링 장치에서의 음극(타겟)의 구조2.3.

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02

  다운로드 장바구니
• 

  ITO Glass에 대한 소개와 쓰임

  금속 표적재료의 경우 한 개의 아르곤 이온이 표적재료에 입사할 때 표에 보이는 것처럼 1~2원자가 증기상으로 방출되어 증발효율이 낮은 편이나, 마그네트론을 이용하여 스퍼터링 비를 증가시키는 ... 반응과정이 아니며, 기계적 과정에 의해 증기상을 만드는 방법으로 어느 재료의 표적재료도 사용할수 있는 장점이 있으며, 일반적으로 DC방법을 사용하나 비전도성 표적재료인 경우는 AC과정인 RF전위를 ... 이용하여 스퍼터링할 수 있다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14

  다운로드 장바구니
• 

  [물리]스퍼터링에 의한 박막 증착, 예비보고서

  따라서 양극 면적을 음극 면적보다 크게 하면 음으로 대전된의 크기가보다 커지므로 이온이 음극의 과녁과 충돌하게 된다.2.2 마그네트론 스퍼터링글로 방전 스퍼터링 챔버의 Ar 압력은 ... 마그네트론 스퍼터링에서는위 그림과 같이 자기장을 원형 음극의 중심과 가장자리 사이에 걸어주면, 자기장이 가능한 음극 면에 평행하도록 영구 자석의 극과 크기를 음극 밑에 배치한다.양극과 ... 화학적인 산화 환원반응에 의해서 금속을 석출시키는 도금 등이 있다.PVD진공증착저항가열 증착전자빔 증착분자선 에피택시레이저 어플레이션스퍼터 증착직류 스퍼터 증착고주파 스퍼터 증착마그네트론

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.03

  다운로드 장바구니
• 

  [공학기술]박막증착 기술보고서<스퍼터링&CVD>

  이론적으로 배웠던 스퍼터링의 종류에 DC planar diode 스퍼터링, Triode 스퍼터링, Magnetron 스퍼터링, RF 스퍼터링, Ion beam 스퍼터링 기술 등이 있다 ... 이와 같은 스퍼터링 공정 중 대표적인 스퍼터링 기술은 Magnetron 스퍼터링법 이라고 할 수 있는데 Sputtering Target 뒷면에 자장을 인가하여 Plasma 내의 전자가 ... Sputtering 공정의 단점인 낮은 증착 속도를 높일 수 있어 대부분의 Sputtering 공정에서 이용되고 있는 추세이다.박막증착이 특히 핵심적인 분야인 반도체 산업에서는 RF

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14

  다운로드 장바구니
• 

  ITO

  전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar압력하에 Sputter할 수 있게 하거나, magnetron방식을 사용하여 해결할 수 있다.2) RF sputteringDC Sputtering에서는 ... 니켈 금속 박막층은 스퍼터링 기술로 증착되었고 다른 증착 시간에 따른 전기적 성질과 광학적 성질이 조사하였다. 입방 저항과 투과도는 증착 시간(두께)에 반비례하였다. ... 성막속도가 낮음(PAr에 민감함)Shield 크기작음(성막면적이 큼)큼(성막면적이 작음)Reactive sputteringRF보다 불리함Reactive sputtering에 적합함3) Magnetron

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.05

  다운로드 장바구니
• 

  각종 진공 펌프 원리 사용 방법 sputter 1

  증착조건RF magnetron sputter를 이용하여 80 mA로 5분간 상온에서 증착 한다.(working pressuertorr)3. ... 스퍼터링에 의한 증착과정2) 스퍼터 장비의 구성그림 6. 스퍼터장비의 구성1. ... 열어서 chamber의 진공을 약 5~10분 정도 뽑아준다.Roughing 밸브를 닫고 foreline 밸브를 연후에 main 밸브를 열어서 chamber의 진공을 뽑는다.ⅲ) 스퍼터링

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

  다운로드 장바구니
• 

  ITO 투명전극

  ITO 투명전극 조사목 차●ITO의 정의●ITO 재료 및 타겟●스퍼터링 법으로 인한 최적의 타겟●고주파 마그네트론 스퍼터링 법을 사용하여 상온에서 증착시간을 변화 시켜서 결정 화된 ... ※고주파 마그네트론 스퍼터링 법을 사용하여 상온에서 증착시간을 변화 시켜서 결정화된 ITO박막을 제작하는 것과, 박막의 광학적 특성과 표면 형상에 따른 결정거동과의 상관관계방법:ITO ... RF powder는 400W로 압력은 2-20 mtorr로, Ar flow rate는 50sccm으로,flow rate는 0.3-2.5sccm으로, 기판온도는 상온에서 300℃까지

  리포트 | 15페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.09.29

  다운로드 장바구니
• 

  [박막공학]이온빔의 원리와 스퍼터링

  이온빔 보조 DC 반응이온 마그네트론 스퍼터링 장비 모식도PlasmaTarget-Ion Beam source그림11. ... 플라즈마 발생원리+고주파 가열 플라즈마 (RF) 전자파의 진동 전계에서 흔들린 전자가 기체 분자와 충돌하고 전리가 진행하여 방전이 유지왜 RF를 이용하는가? ... sputtering이 일어나게 되며 이 선택적 sputtering이 박막의 집합조직 형성에 결정적인 역할을 하기 때문TaegetIon beamIon beamSubstrate그림13.이온빔 스퍼터링

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.27

  다운로드 장바구니