"silicide" 검색결과 61-80 / 96건

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  반도체 제조 공정의 종류와 기법 서술

  그 후 TiN 어닐(anneal)을 통해 실리콘 표면에 Ti 실리사이데이션 silicidation)을 형성하고 TiN 디펙트(defect)를 감소해서 다음 공정으로 W plug를 CVD ... .㉠ 게이트 절연막의 역할게이트 전극, 실리콘 산화막 또는 게이트 절연막, semiconductor 혹은 실리콘으로 구성된 M-O-S 구조에 소스와 드레인으로 구성되어 있다.㉡ 커패시터

  리포트 | 17페이지 | 4,500원 | 등록일 2015.06.09

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  스퍼터링으로 제조된 니켈실리사이드의 미세구조 및 물성 연구

  한국재료학회 안영숙, 송오성, 이진우

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  반도체 입문교제(Metal)

  AL의 Grain size는 0.5 ~ 1.0 ㎛ 정도로 형성된다. 2) Surface roughness(표면 거칠기): 형성후, Polysilicon과 Metal silicide( ... 이와 같이 patterning 공정 이 필요없는 silicide 방식을 Salicide라고 한다.[ Salicide 공정 진행 절차 ]METAL 공정♣ 용어 해설 1. ... 표면의 자연 산화막 제거 ② Ti 380Å or 460 Å Sputtering ☞ 17.7 ohm/sq ③ Silicide Form by RTP of 750 C, 30 sec (C

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  MOSFET_최종

  포화 전류의 증가 방법은 silicide growth 및 epitaxial silicon growth 등이 해법으로 고려되고 있다.문턱치전압은 트랜지스터의 게이트의 길이에 따라서 변화하지 ... Surface scattering3. velocity satura가를 충족시킬 수 있는 충분한 양의 전하운반자가 존재하지 못하기 때문에 Gate depletion현상이 발생하게 된다 ... world, and in accepting a personal obligation to our profession, its members and the communities we serve

  리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.12

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  즉, 2θ(47°)부근에서 silicide가 형성되었고 그로인해 비저항이 증가했다는 것을 알 수 있다. ... 그러므로 Ti가 첨가되었을 때 비저항이 증가한 것은 silicide의 형성이 원인이 아니라 다른 원인에 의해 비저항이 증가했다는 것을 알 수 있다. ... 높은 working pressure ⇒ 박막의 순도 ↓③ sputter의 종류 1) DC sputtering직류전원을 이용한 sputtering 방법이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  반도체공정-유전체증착

  plasma nitride 를 성장 시킬 때 - plasma enhanced CVD (PECVD) 공정 - interconnection 과 contact 을 위해 metal 과 metal silicide ... 공정 - 대량의 제품을 코팅시에 각각의 막의 두께가 다를 공산이 크며 대량생산 시 고진공을 요하기 때문에 경제성이 떨어짐스퍼터링 거의 모든 종류의 박막을 양호하게 코팅 할 수 있고 step ... ( 세척 ) ⅱ) Load ⅲ) 증착 Pre-Heat → Pre-purge( 정화 ) → Deposit 1 → Deposit 2 → Deposit 3 → post-purge → safe

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  PVD와 CVD의 비교 및 분석

  Advanced semiconductor의 요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungsten silicon oxide, metal silicides 및 other coatings ... Diamond thin film으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD2. ... MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000℃까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식 저항성에 두드러진 향상을 나타낸다.5.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15

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  다층 박막 분석 및 평가

  -Titanium Silicide의 형성 시 multi layer의 수가 silicide의 형성에 미치는 영향에 대해 이해한다. ... 증착하고자 하는 물질이 채워져 있는 도가 니에 유도 되어 충돌됨으로써 증착되는 target material이 가열되어 증착된다.E-BeamEvaporator장점단점증착속도가 빠름(50Å/sec ... 가능)X-ray 발생고융점 재료의 증착이 가능e-beam source 위에 농도가 크므로 와류 또는 방전이 심하다다중 증착이 가능하다(3)FESEM(Field Emission Scanning

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.17

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  적외선 검출기 (IR DETECTOR, uncooled IR deector)

  (InAs) photovoltaic detectors1-3.8Platinum silicide (PtSi) photovoltaic detectors1-5Indium antimonide ... 적외선 광메터(IR spectrometer)에서는 온도변화 검출기(pyroelectric detector)가 가장 많이 사용되고 있다. ... (PbS) photoconductive detectors1-3.2Lead selenide (PbSe) photoconductive detectors1.5-5.2Indium arsenide

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.04.28

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  공주대 반도체제조공정 중간고사 족보

  pvd(physical vapor deposition)▶성공적인금속재료 요구사항:전도성,점착성,증착,신뢰성,부식,응력,패터닝/평탄화▶웨이퍼공정 금속 뭐쓰냐:알루미늄,구리,베리어메탈,silicides ... ▶설비관련기술:esc(electro static chuck 정전기이용),fluid dynamics(tmp 유체역학),plasma source▶sog(spin on glass), sod ... ▶분석장비0.sem1.sims(secondary ion massspectrometry):3.afm(atomic force microscope)4.aes(auger electron spectroscopy

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.08

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  반도체공정 (Si)

  MOS device에서 gate 전극으로 사용시 텅스텐(W) 또는 Tantalum(Ta) silicide와 같은 Metal 또는 Metal silicide를 polycrystalline ... amorphous 구조이고, 625℃ 이상에서 deposition된 poly-si은 원추형구조를 보인다.- Poly-si의 단결정 구조에서는 단결정 si와 비슷한 전기적 특성을 보인다 ... 하나는 25~130㎩(0.2~1.0 Torr)의 압력하에서 100% silane을 사용하는 것이고, 다른 process는 N에서 회석된 20~30 % silane을 동일 압력하에서

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.01.27

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  MOSFET(모스펫)

  공정에서 질화물 (실리사이드)는 게이트 전극과 소스를 형성하는 것이고 드레인 영역은 살리사이드 ( self-aligned silicide, salicide)라고 부른다.트랜지스터가 ... MOSFET의 정의금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 ... 전압이 게이트와 몸체사이에 걸리면 채널은 사라지고 소스와 드레인 사이 전류가 흐르지 않는다.소스는 채널을 통하여 흐를 전하 운반자 (N채널에서는 전자, P채널에서는 양공)가 샘솟는( source

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.01.13

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  Co2Si 증착실험

  그리고 이때 주요한 확산종은 Si이다.metal rich silicide나 near noble metals에 있어서는, 결합을 깨뜨리는 것이 단지 phonon에너지에만 의존하지는 않는다 ... 반응된 실리사이드층과 기판과의 계면지역은 many atomic spacing에 걸쳐 편평하다.■ 실리사이드 형성반응 Kineticsteady-state 조건하에서 실리사이드 형성에 ... Conceptual layout of a backscattering spectrometry(2) RBS의 장점과 단점1) 장점- 이온 sputtering에 의한 원소 층의 파괴가 수반되지

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.21

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  MOS transistor

  포화 전류의 증가 방법은 silicide growth 및 epitaxial silicon growth 등이 해법으로 고려되고 있다.그림 4. ... 즉 switching time은 불확정성의 원리에 의해 t＞h/ W (＝10 femto-sec＝1×10－14 sec at 1 V)로서 device에 입력이 인가된 후 출력이 발생하는 ... critical field 이하의 전압이 되려면 1.5 V 이하의 power supply를 인가해야만 된다. b) 인가된 power supply 1.5 V는 다시 channel을

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.09

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  무기화학 기본이론

  염소(염화)의 경우만 제외하고는 원소명 +화를 붙인다.예) C4- carbide 탄소화 N3- nitride 질소화 O2- oxide 산화F- fluoride 플루오린화 Si4- silicide ... 규소화 P3- phosphide 인화S2- sulfide 황화 Cl- chloride 염화 Se2- selenide 셀레늄화Br- bromide 브로민화 I- iodide 요오딘화 ... 실레인 NH3 ammonia 암모니아 PH3 phosphine 포스핀 H2O water 물H2S hydrogen sulfide 황화 수소3.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.14

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  무기화합물명명법

  염소(염화)의 경우만 제외하고는 원소명 +화를 붙인다.예) C4- carbide 탄소화 N3- nitride 질소화O2- oxide 산화 F- fluoride 플루오린화Si4- silicide ... 규소화 P3- phosphide 인화S2- sulfide 황화 Cl- chloride 염화Se2- selenide 셀레늄화Br- bromide 브로민화I- iodide 요오딘화 H ... + stannic제이주석b.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.17

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  Sol-Gel법에의한 알파알루미나의 합성

  응축은 좀 많이 응축된 부분과 덜반응에서 가장 널리 받아들여지는 작용은 중성의 silicid acid에 대한 탈수소화된 silanol의 친핵체 반응이다.그림 7: Si-O-Si 결합을 ... [무기공업화학실험#1]실험 일자 : 2008년 3월 13일실습과제명 : sol-gel법에 의한 알파 알루미나의 합성과 분석실험목표알루미나 sol-gel 합성을 통하여 pH변화에 따른 ... “졸겔 세라믹스(sol-gel derived ceramics)"를 제조하는 방법을 말한다.

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.12

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  화학기상증착(cvd)

  실리콘과 금속을 섞은 특별한 재료는 실리사이드(silicide)라 불리우는 전도층을 형성하는데 사용되기도 하고 WF6를 이용해 WSi층을 만드는데 사용되기도 한다. ... 대량 생산이 가능8. step coverage가 좋다.9. 기판을 in-situ etching 가능-CVD의 단점1. 반응 변수가 많다.2. 위험한 가스의 사용3. ... 연속적인(in-situ)공정을 할 수 있다는 것이다. CVD 반응기는 여러가지 모양과 구조를 가지고 있는데 AP/ LPCVD 증착에 사용되는 구조이다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.28

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  CMOS 기술

  becomes significant.Using the approximation,MOS Inverters (Linear resistive load)Silicide Block OptionNon-silicided ... steps29) P/R strip H2SO4 : H2O2 (4:1) 120C 30) N+ S/D mask Mask I.D. : NSD HMDS. ... P/R coat, soft bake Align, Exposure Develop, CD check •Hard bake 31) N+ S/D implantation Ion species

  리포트 | 66페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.03.02

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  금속계 세라믹계 신소재

  지난 10년간 Nb/Nb-silicide 복합재료를 구조용 내열재료로 사용하기 위한 다양한 연구가 이루어져 왔다.

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.13

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