"transconductance" 검색결과 61-80 / 138건

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  전자회로실험 10 MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하 예비보고서

  Q점에서의 기울기를 나타내게 된다.총 출력 전압(드레인-소스 전압)은와 같으며, 소신호 출력 전압()과 소신호 입력 전압()의 비인 전압 이득()은 (10.6)으로 정의되며이를 transconductance을 ... 기울기의 크기에 비례하는 출력전압을 얻게 되며 와 같이 나타낼 수 있다.이를 수식으로 표현하면, 총 입력 전압 (게이트-소스 전압)과 총 전류는로 표현되며 이들의 변화는 전달콘덕턴스(transconductance

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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  실험10. OTA 회로(예비)

  , Transconductance는 바이어스 전류의 상수 K배에 비례한다. ... 부하저항에 의해 결정되고 관련 식들은 아래와 같다.,,VOUT / VIN는 전압이득이므로이다.위의 증폭기의 Transconductance는 DC 공급전압과 바이어스 저항 RBIAS에 ... 높은 CMRR을 갖는다.OTA에서 전압은 입력에 따라 전류는 출력에 따라 변화하므로 출력 전류에 대한 입력 전압이 이득이 된다.에서은 voltage-to-current의 이득이며 Transconductance이다.로써

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.05

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  전자회로실험 예비 - 10. MOSFET 공통 소스 증폭기 (CS)

  출력 전압(v _{ds})과 소신호 입력 전압(v _{gs})의 비인 전압 이득(A _{v})은 다음과 같이 정의되며A _{v} = {v _{ds}} over {v _{gs}}이를 transconductance

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.04.20

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  전자회로 설계 및 실험 2 BJT 동작 - 대신호 소신호 동작 예비보고서

  ===여기서가 작을 때,가 되므로=트랜스컨덕턴스(Transconductance)은 컬렉터 전류와 베이스 - 이미터간 전압의 미세 변화의 비로 정의되며,==로 나타낼 수 있다.대신호/ ... +in(AC 전압)=> DC 전압의 바이어스로 인하여 생기는 전압=> AC 전압의 바이어스로 인하여 생기는 전압증폭도이므로를 구하고을 곱하면을 구할 수 있게 된다.트랜스컨덕턴스(Transconductance

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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  9조 pre 8주 p-mos(CMOS Inverter)

  소신호 전압 vc와 전류 id의 관계는 동작점을 지나는 접선 기울기 gm을 이용하여 id = vcgm1로 선형화할 수 있으며 gm을 transconductance라 한다.Simulation

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  실험10. OTA 회로

  위의 식과 같이 OTA에서 Transconductance는 바이어스 전류의 상수 K배에 비례한다. ... 이를 수식으로 표현하면,gm은 voltage-to-current의 이득이며 Transconductance이다. ... Transconductance는 DC 공급전압과 바이어스 저항 RBIAS에 의해 좌우되는 바이어스 전류의 양에 따라 결정된다.3.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  [아주대 전자회로2 프로젝트] 설계2.Cascode 회로 설계

  ,를 사용하여 각각의 Transconductance값을 구한다.3.을 얻는다.?

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.04.16

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  서강대학교 고급전자회로실험_2주차_예비보고서

  따라서가 되고, 이는 결국 소신호의 transconductance가 되며, 위의 회로중 왼쪽 회로가 된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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  MESFET의 특징

  화합물의 MESFET 소자에 대해서는 특히 속도상의 이점이 있다.GaAs MESFETGaAs는 Si에 비해 전자의 이동도가 몇 배 빠르고 이로 인해 Si 보다 낮은 기생 저항, 큰 transconductance ... 주목을 받게 되었다.이는 GaAs가 Si에 비해 전자의 이동도가 6배 바르고, 그 초고속도 또한 2배 바른 특성을 갖 고 있으며, 이로 인해 Si 디바이스 보다 낮은 기생저항, 큰 transconductance

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.26

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  FET 특성분석 및 Single-Stage Amp 설계

  Input : Vp-p = 100mV 일때의 출력 파형, Av=20그림 3. 2N7000의 vGS - iD 특성 곡선1.2 측정 결과로부터 Transconductance gm을 계산한다.위의 ... SweepPrimary Sweep : Voltage source, VgsLinear, 0~3V, 0.01그림 3. 2N7000의 vGS - iD 특성 곡선1.2 측정 결과로부터 Transconductance

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.11.11

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  카이스트 전자공학실험1 실험9 Active Filter 결과보고서

  여기서 OTA는 operational transconductance amplifier의 약자로 op-amp와는 달리 출력으로 전류를 가진다. ... (transconductance의 의미가 입력이 전압 출력이 전류라는 의미를 내포하고 있다.) 따라서 트랜스컨덕턴스이 중요한 변수가 된다.

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.11.06

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  PSPICE 를 이용한 Common Emitter (CE) Amplifier 의 설계

  되고, 이를통해서{V _{ o} } over { V _{ sig} } > 10(V/V)라는 조건식을 구할 수 있게 된다.여기서{V _{ o} } over { V _{ sig} }를 Transconductance

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.10.28 | 수정일 2013.11.06

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  전자회로실험11예비--J-FET의 특성

  저항성 영역과 포화영역 사이를 양분하는 선 VGS-VT=VDS를 식 (11.1)에 대입하면(11.3)증가형 MOSFET에서 전달 컨덕턴스(transconductance)는 다음과 같다

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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  연세대학교 전자회로 설계 프로젝트

  Gain-Bandwidth ProductOne-Pole Dominant한 Transconductance Amplifier의 경우과 같이 구할 수 있으며, Transconductance이므로

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.06.27

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  [전자회로실험] BJT 동작 - 대신호/소신호 동작

  같이 BJT 증폭기 회로의 입력전압 대 출력전압 특성곡선의 바이어스점 A에서 미분을 사용한 근사를 통해, 증폭기 회로의 전달함수(증폭도) AV를 구할 수 있다.② 트랜스컨덕턴스(Transconductance

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.10.05

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  전자회로 실험 예비 보고서(OTA 회로)

  OTA의 기본회로↑ 그림2 : 고정된 전압이득을 가진 반전증폭기로 사용된 OTA전압이득은 Transconductance와 부하저항에 의해 결정된다.는 전압이득이므로증폭기의 Transconductance는 ... 입력저항과 높은 CMRR을 갖는다.OTA에서 전압은 입력에 따라 전류는 출력에 따라 변화하므로 출력 전류에 대한 입력전압이 이득이 된다.은 voltage-to-current의 이득이며 Transconductance이다.OTA에서

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.09.09

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  MOSFET 특성실험

  기준이 된다.3> Forward on voltage (VDS)-.드레인 소스간 ON전압으로 RDS(on)과 마찬가지로 ON상태에서의 자기손실이 되는 것으로전압값으로 표현한 것이다.4>Transconductance

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.28

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  OTA 기본회로, CA3080

  이를 수식으로 표현하면,이고,은 Transconductance이다. ... 부하저항에 의해 결정된다.증폭기의 Transconductance는 DC 공급전압과 바이어스 저항에 의해 좌우되는 바이어스 전류의 양에 따라 결정된다.3. ... 결정된다.출력 전류는 입력 전압과 Bias 전류에 따라 아래의 식과 같이 좌우된다.● OTA의 기본 회로그림 10-2는 고정된 전압이득을 가진 반전증폭기로 사용된 OTA이다.전압이득은 Transconductance와

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.31

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  LNA 설계 제안서

  = 1.5 V, IDS = 10% of Idss V -0.65 -0.5 -0.35 Quiescent Bias Current VGS = -0.54 V, VDS = 2 V mA 10 Transconductance

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.25

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  전자회로 실험 20장 특공 공통 소스 트랜지스터 증폭기

  BJT 와 FET 증폭률 BJT : β / FET : gm (transconductance) BJT 보다 전압 이득이 작지만 입력 임피던스가 큼.

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.16

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