"csma" 검색결과 81-100 / 9,774건

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  [2024 자료] 시립대 전전설I 2주차(1. 계측기) / 결과 레포트(post-report)

  이는sum _{m=1} ^{M} v _{m} `=`0으로 표현할 수 있다.b. ... resistanceR _{c}와 실제 부하R _{L}을 비교하여 CC(constant-current) 혹은 CV(consge)로 동작한다.※ 이상적인 정전압원 ※ 이상적인 정전류원 ... 실험의 목적■ 기본 실험 장비 사용방법 숙지● DC 전원 공급기 (Power supply)● 디지털 멀티미터 (Multimeter)■ 수동 소자의 종류와 특성● 저항(resister

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.09.07

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  [전자공학기초실험]트랜지스터의 직류 특성

  I _{C}(sat)으로 TR이 스위치 ON의 기능을 같은 영역이다.? ... βI_B=100×30uA = 3mA{V_RC}={I_C}{{R_C}=3mA×1KΩ = 3VV_{ CC(max)}={V_CE}+{V_RC}=12V+3V = 15VV_{ CC(min)} ... 이와는 반대로 두 접합에 모두 순방향 전압이 걸리면 이미터와 컬렉터가 이미터로서의 역할만 할 뿐, 컬렉터 역할을 못하며, 두 접합 모두 닫힌 스위치로 동작하는데 이 영역을 포화영역(saturation

  리포트 | 11페이지 | 4,500원 | 등록일 2023.09.08

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  설계실습 3. 분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서

  설계실습 계획서설계 목표는 출력전압이 12V로 고정되어 있는 한 대의 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 ... 단, IC chip이 동작하지 않을 때, 즉 전력을 소비하지 않을 때 IC chip에 9V 이상 걸리지 말아야한다.정격전류 3mA±10%가 흐르려면 총 저항은 4kΩ이 되야하고 정격전압이 ... 준비물*기본 장비 및 선Function generator : 1대DC Power Supply(Regulated DC Power supply(Max 20V 이상): 1대Digital

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.09.17

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  5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]

  이때의 소비전력을 구한다.I` _{C`} `=`(5-V _{CE(sat)} )`/`R _{2} `=`32`mA임을 알고, 그에 따른 베이스 전류I` _{B} `의 값은 3.2mA이므로 ... _{B} ``=`(5V-2.8V)`/`1.8mA`=`1.2`k ΩR` _{2} ``=`(V _{CC} `-`V _{C} `)/I` _{C} ``=`(5V`-`2.2V)`/`18.2mA ... _{`BE(sat)} `=`2V`+0.8V``=`2.8V 이고, 컬렉터 단에 걸린 전압`V` _{C} ``이`V` _{C} ``=`V` _{F} `+`V` _{CE(sat)} `=

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.05

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  전기회로설계실습 3. 분압기(Voltage Divider) 설계

  chip이 연결된 경우에 등가 부하에 걸리는 전압은 3V, 전류는 3mA이다. ... R1과 IC chip이 병렬 연결된 부분의 저항값은 0.5㏀이므로 흐르는 전류의 양은 3mA, 걸리는 전압은 3V가 된다. ... 를 설계, 제작하고 설계와 실험값을 비교, 분석한다.준비물*기본 장비 및 선Function generator: 1 대DC Power Supply(Regulated DC Power supply

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21

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  기초전자실험_9장_BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스_결과레포트

  ( mu A)[ 3(b)]3.33V2.63V13.3V10.67V3.85mA3.84mA14.81μA[ 3(c)]3.32V2.664V12.55V10.59V3.94mA4.27mA14μAR ... 특히, S(β)가 작을수록, β가 변화할 때 회로는 더 적은 영향을 받을 것이다.S( beta )= {% TRIANGLE I _{C}} over {% TRIANGLE beta }표 ... 9.4트랜지스터V _{CE}(Volts)I _{C}(mA)I _{B}(μA)β2N390410.59V4.27mA14μA2592N440110.45V3.975mA12μA331.25I _{

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.16

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  기초전자실험 with PSpice 실험19 RLC회로와 공진

  w=2pif)#f _{r} = {1} over {2 pi sqrt {LC}}RLC 병렬회로의 공진주파수에서는 임피던스가 최대이므로I _{C} +I _{L}는 최소가 된다. ... _{L}[mA]1.92602321.5[Hz]2372.5[Hz]3.53893.5592i _{C`}[mA]0.3087i _{C`}[mA]6.1685대소 관계i _{L} >i _{C`} ... = sqrt {R ^{2} +(X _{L} -X _{C} ) ^{2}}이다.(2-2) 공진주파수f _{C}한편 리액턴스는X _{C} =1/jwC,``````````X _{L} =jwL이므로

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.11.08

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  전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서

  그리고 이 실험을 통해 small signal 분석을 위한 동작 점을(small signal 분석을 위한 DC값 결정) 구할 수 있게 되었고, 이 때의 DC값으로 실험 6에서 small ... 약 130~140OHM을 설정해줘야 컬렉터 전압에 6V가 걸린다는 것을 알 수 있지만, 실제로 실험을 수행하였을 때는 약 90~100OHM정도를R_C값으로 설정해줘야 컬렉터 전압에 ... V]6.986[V]1.472[V]110[Ω]5.889[V]7.421[V]1.532[V]100[Ω]6.153[V]7.860[V]1.707[V]90[Ω]PSpice로 예측했을 때는R_C값에

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

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  (22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로

  (C) =일 때 를 구하고 를 구한다.스위치가 on일 때 MOSFET의 drain current가 LED에 흐르는 current 20mA와 같으므로 위에서 구한 값을 통해 를 구한다.따라서 ... 해야하므로 triode region에서의 drain current의 식을 사용한다.triode region에서의 drain current의 식은 이다.=75mA, =4.5V, =2.1V ... 설계한 구동회로에 1Hz, 5Vdc square pulse (50%)를 인가하려면 함수발생기의 전압(Vpp), OFFSET을 어떻게 조정해야하는가?

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.02.12

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  "기초전기전자공학실험 lab15, 임피던스와 전력 결과보고서"에 대한 내용입니다.

  over {Z} = {5} over {299.58} SIMEQ 16.69(mA)##소자에`걸리는`전류``I _{C} = {V} over {X _{C}} =0.886(mA)`,`I _ ... ^{2}} SIMEQ 5651.76( OMEGA )##전류``I= {V} over {Z} = {5} over {5651.76} SIMEQ 0.8964(mA)##전압`V _{C} = ... (mA)##소자에`걸리는`전류``I _{L} = {V} over {X _{L}} =331.56(mA)`,``I _{R} = {V} over {R} =16.67(mA)2-4.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.04.15

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  중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계

  값이 줄어들어도 상관없는지 설명하라.이 saturation 영역에서 동작하기 위해서는 이어야 한다. ... (B) ==10mA인 전류원을 ORCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (=500Ω으로 설계)(C) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표에 작성하라.SimulationSimultion2.346V4.876V2.346V10.25mA10.25mA ... (C) 전류원으로 이용하기 위해서 은 Saturation 영역에서 동작해야 한다. 이때 이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하라.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.05 | 수정일 2024.03.11

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  일물실2 교류회로 보고서

  상대오차 : 16.06% C회로● 직류 실험C= 2.2mu Fvarepsilon (V)IOTA (mA)I _{eqalign{이론#}}(mA)00.001010.001020.001030.001040.001050.0010 ... _{m} = sqrt {V _{R} ^{2} +V _{C} ^{2}}즉varepsilon _{m} =I sqrt {R ^{2} +( {1} over {omega C} ) ^{2}} ... 측정값 R회로● 직류 실험R = 1000OMEGA± 10%varepsilon (V)IOTA (mA)I _{eqalign{이론#}}(mA)오차(%)000011.081822.1728.533.273944.4041055.50510평균

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.04 | 수정일 2022.09.15

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  중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서9

  반드시 LED의 데이터시트를 확인한다.Datasheet 제일 하단을 확인하면 BL-B4531E의 maximum current는 150mA이다.=0일 때 IRF mosfet의 source단에 ... 입력 전압이 최대 10V일 때, virtual short를 사용하면 이 100Ω이라면 전류는 약 100mA가 흐를 것이다. 이 50Ω이라면, 전류는 200mA가 흐를 것이다. ... 위한 PSPICE schematic을 그린다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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  알기쉬운 회로이론(2장)

  .6k OMEGA에 흐른다고 할 때b-(c, d)에 흐르는 전압수식입니다.=(0.5mA) TIMES {3k TIMES 6k} over {3k+6k} =(0.5mA) TIMES 2k` ... =1Va-(c, d)에 흐르는 전압수식입니다.=(0.5mA) TIMES 2k`+1V=2V--- ①수식입니다.(3k OMEGA +1k OMEGA )에 흐르는 전류수식입니다.= {2V} ... 사용하면전류전류따라서,sol> 우측 총 저항--- ①---- ②따라서,총저항전류저항 전압저항 전압전류sol>왼쪽 회로의 병렬저항오른쪽 회로의 저항전체 회로 저항왼쪽 회로의 전류는전압은전류sol

  리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.03.27

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  중급중국어2 중급중국어2의 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15과

  : Nǐ zuìjìn yǒu shé me hǎoshì ma? ... (2)你 nǐ【代】너, 당신听 tīng 【动】듣다说 shuō【动】말하다了 le【助】동사 또는 형용사 뒤에 쓰여 동작 또는 변화가 이미 완료되었음을 나타냄吗 má【助】구말에 사용하여 ... 【形】다른说 shuō【动】말하다还 hái【副】아직让 ràng【介】~에게 ~당하다着 Hyperlink "http://cndic.naver.com/zh/entry?

  방송통신대 | 46페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.06.14

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  중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로

  (C) LED가 ON될 때를 우선 RG를 제거한다. 그 다음 스위치를 제거하고 LED의 점멸을 관측, 기록한다. ... (C) Function generator의 출력과 LED에 걸리는 파형을 동시에 oscilloscope에나타나도록 하여 저장, 제출한다. ... (E) LED와 접지사이에 걸리는 전압의 risetime과 falltime(10%↔90%)을 측정,기록한다.Risetime : 790.3µs, Falltime : 841μs(F) 한

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.05 | 수정일 2024.03.11

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  기초전기전자공학실험 lab14, ac component 결과보고서

  {5} over {10+1591.55} =3.12mA`,`I _{rm S it} =2.20mA###1. ... I _{4000Hz} = {5} over {10+1005.32} =4.92mA`,`I _{rm S it} =3.48mA###1. ... - 이론치 구하는 과정(Is = Irms로, I 실효치이다.)I _{2000Hz} = {5} over {10+502.66} =9.75mA`,`I _{rm S it} =6.89mA##

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.04.15

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  [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로

  I _{B} = {I _{C}} over {beta _{sat}} = {32} over {10} [mA]=3.2[mA]R_1 ={5-V_BE(sat) } over {I_B} ={5- ... (ANS)I_D = I_E = I_B +I_C =I_B +beta_sat I_B I_B =I_D /(1+beta_sat ) , `` I_C =beta_sat I_B 이다.beta_sat ... (ANS)BJT가 ON일 때 LED는 OFF이다.I _{C} = {5-V _{CE(sat)}} over {R _{2}} = {5-0.2} over {0.15[㏀]} =32mA,```

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24

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  [부산대 일반물리학실험2]교류회로

  C회로-직류 실험C=1mu Fvarepsilon (V)I(mA)I _{이론}(mA)00.1010.1020.1030.1040.1050.10-교류 실험C=1mu F f=500Hzvarepsilon ... _{R} (t)=RI _{} sin( omega t- phi )v _{C} (t)=- {1} over {omega C} I _{} cos( omega t- phi )#``````` ... _{ac}(V)I _{ac}(mA)I _{이론}(mA)00011.93.124.116.235.939.447.6212.559.315.7C=1mu Fvarepsilon _{ac}=5Vf

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.29

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  RLC 교류 회로 레포트

  측정값 및 측정값에 기반한 계산값)DeltaV _{R,` r m s it} (V)DeltaV _{C,` r m s it} (V)I _{r ms it} (mA)DeltaV _{R}( ... m s it} (V)I _{r ms it} (mA)DeltaV _{R}(V)DeltaV _{L}(V)DeltaV _{C}(V)DELTAV _{max}(V)I (mA)Z(OMEGA)phi ... R-L-C 회로실험값 (멀티미터 측정값 및 측정값에 기반한 계산값)DELTAV _{R, r m s it}(V)DELTAV _{L, r m s it} (V)DELTAV _{C, r

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.20

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