"ohmic contact" 검색결과 81-100 / 124건

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  Programmable Metallization Cell memory, pmcm메모리

  contact을 형성하게 되어 conducting link로 거동하게 되고 소자의 저항은 낮은 상태로 바꿔준다.또한 역 바이 ... 전해질에 순방향 바이어스를 걸어주면 Ag이온이 환원되어 전해질 내부에 Aglink를 형성하게 되어 낮은 저항 상태를 갖게 된다.9) 이 Ag link는 상부 전극과 하부 전극 사이에 ohmic ... 최근메모리 소자는 초고집적화,초소형화에 따라 bit당 cost삭감이라는 시장성의 문제에 부딪히게 되었다.그러나 PMCM은 현재 ITRS (International Technology

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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  태양전지 DSSC (Dye Sensitized Solar Cell) 원리, 이론, 동향, 특허, 논문 정리 ppt

  쌓이 면 광전효율 감소 반도체입자 - 전해질 계면 반응 투명전극 - 나노입자 계면 ohmic contact 투 명전극 CB VB n-type 반도체 (TiO 2 ) dye h v ... 4.6 30x30cm 집전그리드형 STI 10x17cm - 87x57cm Z 형 중구구플라즈마 물리연구소 15x20cm 6.0 40x604cm 집전그리드형 Fh -ISE 30x30cm ... e - C.E. → 3 2 I - + C.E .

  리포트 | 50페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24

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  PN 다이오드공정설계

  thick = 0.9# n+ diffusion for ohmic contact - cathodedeposit oxide thick=0.7 div = 4etch oxide start ... 또한 전류 Path를 이 영역으로 국한 시킴으로서 Leakage Current또한 줄여 줄 수 있다.또한 Anode(p+) 영역에서 Cathode(n+: Ohmic contact) ... 이 때문에 Ohmic Contact이 깨지게 된다.

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  Hall Effect 예비

  내부에 빈공간이 없다).- 두께가 d 인 시료의 가장 자리인 임의의 곳에 ohmic contact A, B, C, D를 취한다. ... Hall Probe의 widthwise contacts를 Voltage라고 적인 단자에 연결하고 lengthwise contacts는 Current라 적힌단자에 연결한다.2. ... sample의 경계에 있다.2. contact가 충분히 작다.3. sample의 두께가 일정하다.4. sample의 표면이 singly connected 되어있다(즉, sample의

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.13

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  적색 LED Review

  xGaInPp_AlGaInPGaP windown_GaAs Subn_AlGaInPMQW GaInP/Al1-xGaInPp_AlGaInPGaP windown_GaInP ESLn_GaAs contact ... MaterialTemp.PressureOhmic & Reflector metalp-GaPp-AlGaInPMQWsn-AlGaInPGaAs substrate 제거n_AlGaInP roughness optimizer→ Ohmic ... 및 ROY 계열 약 ~20% 유지..PAGE:3가격19*************0현재 LCD BLU용 청색과 적색Chip의 가격은 비슷함.(2000년대 초반 청/녹색용 MOCVD capa.의

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.14

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  [반도체공학]저항성접촉10

  Ohmic contact (저항성 접촉)1) Schottky(장벽) , Ohmic(접촉) ??????????????????????????????????????????????????? ... contact 모형2. ... Ohmic contact (저항성 접촉)1) Schottky(장벽) , Ohmic(접촉)① M / n - Si장벽 ,접촉② M / p - Si장벽 ,접촉③ M / n - Si ()※

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.13

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  [태양전지]태양전지의 모든것 (솔라셀 Solar Energy 솔라에너지, 태양전지의 구조와 종류 및 산업동향)

  여기서 은과 실리콘이 ohmic contact을 형성하지 못하기 때문에 알루미늄이 요구된다. ... 하에서 0.1 Ωcm2 정도의 specific contact resistance는 전지의 특성에 거의 영향을 미치지 않기 때문에 후면 알루미늄의 전극 면적이 0.1% 이상이면 전지의 ... 그림 3에 PERC 구조의 개략도를 나타내었다.0.2 Ωcm, p-type 실리콘(도핑농도 1017/cm3) 기판에서 알루미늄의 접촉저항은 약 10-4 Ωcm 정도이고 one sun

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.21

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  [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 PN Diode 설계 자료입니다.

  또한 전류 Path를 이 영역으로 국한 시킴으로서 Leakage Current또한 줄여 줄 수 있다.또한 Anode(p+) 영역에서 Cathode(n+: Ohmic contact) ... 이 때문에 Ohmic Contact이 깨지게 된다. 이를 방지하기 위해서 Buried Layer를 사용한다.Ⅱ. 설계과정1. ... cont x=4 y=1etch done x=4 y =-10etch oxide start x=6 y=-10etch cont x=6 y=1etch cont x=7 y=1etch done

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12

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  Thermal Evaporation법을 이용한 박막 제조 및 Hall Effect 전기적 특성 (결과레포트)

  박막층을 만지게 되면 일부가 떨어져 나올뿐 아니라 지문 등이 묻게 되어 전류의 흐름을 방해하여 측정이 제대로 안될 수 있다.그리고 ohmic contact를 bonding할 때 인듐을 ... 인두로 녹여 붙인후 빠르게 처리하지 않으면 일부가 굳게되어 균일하게 붙지 못하게 되어 contact시 fail이 생길 수 있다.6. ... (bonding은 Ohmic Contact:저항성 접촉이 이루어지기 위한 것으로 indium을 사용하였다.)◎ System POWER On본 장비는 정밀계측장비 이므로 모든 측정은

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.28

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  Junction

  Ohmic contact1) n-type와 metal2) p-type와 metal전자이동 :Si metalhole이동 :Metal Si7. metal-semiconductor contact4 ... Ohmic contact : 양방향으로 전류가 흐를 수 있다..전자가 확산되지 않는 평형상태로 된다접촉 전위차 q(Φm-Φs) = qVo전위장벽 qΦb = q(Φm-χ)1) Metal-n-type ... Ohmic 손실소자의 내부저항에 따라 Ohmic 효과를 나타내며 I-V특성에 영향을 미친다.

  리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.11

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  디스플레이 종류 조명 LCD

  비정질 실리콘을 증착할 때 중요한 증착변수 중의 하나가 사용한 가스의 혼합비이다.(3) n+contact특성 향상n+층은 비정질 실리콘과 금속의 ohmic contact를 가능하게 ... 하고, 또한 hole blocking층으로 작용한다.n+ contact 저항을 감소시키기 위하여 비정질 실리콘 n+ 대신 미세결정질 실리콘 혹은 다결정 실리콘 n+를 사용해도 비정질 ... quality)을 가름하는 몇 가지의 평가요소에는 휘도(brightness), 해상도(resolution), 명암비(contrast), 색상(color chromaticity)등이

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.04

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  Chapter 5. JUNCTIONS

  (rectifying contact)Metal vs P-typeSchottky contact (rectifying contact)Ohmic contactMetal vs n-typeMetal ... 형성 Metal vs n-GaAsEC Efn Ohmic contact 형성 Metal vs n-InAsHeterojunctionEg이 다르며 격자 상수가 같은 물질간 접합AlGaAs ... doped region to the end contact.Capacitance of p – n JunctionTotal capacitance = Cj (of depletion region

  리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.11

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  HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

  이런 HEMT에서 source와 drain contact는 Ti/Al가 사용되었는데 이 contacts는 high temperature operation에서 장시간 운행했을 경우 안정성이 ... AlGaN/GaN HEMT irradiated with 17MeV proton3) Improced Long-Term Thermal Stability At 350℃ of-Based Ohmic ... Stability At 350℃ of-Based Ohmic Contacts On AlGaN/GaN HEMT)기존의 AlGaN/GaN HEMT는 그 것의 효용성에 의해 여러 용도로

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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  CNT와Graphene이용

  electrical contact)을 이루어 전계 방출 디바이스(Field-emitting device)에 쉽게 통합될 수 있어 유용한 것이다.a) 기판 상에 그래핀 필름을 형성 ... I-V 특성이 선형으로 나타나는 금속-반도체 접합을 의미하는 것이다.따라서, 본 발명에 따른 그래핀 필름-금속촉매-나노물질로 이루어진 3차원 나노구조체의 모든 접합이 오믹 전기 접합(ohmic ... Ni 촉매층을 형성하고, 직경 3.9 인치의 석영 튜브 내에 서 상기 Ni 촉매층 상에 탄소 소스를 포함하는 가스 혼합물(CH4 : H2 : Ar = 50 : 65 : 200 sccm

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.27

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  삼성전자 반도체사업부(SYSTEM.LSI, Memory) 기술면접(PT면접)용 대비 자료모음

  서로 다른 종류의 물질을 접촉시킨 경우의 I-V특성은 크게 ohmic contact과 rectifying contact으로 나누어 살펴볼 수 있습니다.? ... 그래서 비교적 낮은 전압+대전류정류에 많이 사용된다.○ Ohmic contact- 물질의 전기적인 특성을 측정할 때, 가장 일반적으로 관찰하는 것이 전압(V)에 따른 전류(I)를 측정하는 ... Ohmic접합에 어떠한 전자들도 모일 수 없다.

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.27

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  사파이어 웨이퍼

  또한 사파이어와 같은 이종기판을 이용하여 소자를 제작하는 경우, 사파이어가 절연 물질이므로 소자의 제작시 back ohmic contact 형성 공정을 복잡하게 한다는 문제점을 가지는데 ... 즉 c-plane의 법선 방향(c축 방향)을 성장 축으로 하고 있다. ... 시판되고 있는 청색 LED는 사파이어 기판 위에 성장시키는 GaN의 성장면은 c-plane이라는 극성면을 이용한다.

  리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  Metal semiconductor contact(금속 반도체 접합)

  of Metal-Semiconductor ContactRectifying contact Nonrectifying contactContents Ⅰ. ... Nonrectifying Contact(1)Ohmic contactn-type (Φm Φs)Contents Ⅰ. M-S Contact 1. Rectifying Contact 2. ... Rectifying Contact(3)Forward, Reverse bias and I-V characteristicV0 = Φm - ΦsContents Ⅰ.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.25 | 수정일 2017.02.17

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  그래핀

  그라핀의 경우, 무기 물질과 금속의 복잡한 상호관계 때문에 contact의 특성이 명확하지 않다. 게다가 그라핀은 표면 불순물에 더 민감하다. ... 무기 헤테로구조에서는 2DEG에 대한 전자적 coupling이 ohmic 특성을 나타낸다. 결과적으로 양자-홀 plateaus가 일반적인 Hall 저항과 같은 위치에서 관찰된다. ... 나노구조로는 축구공 모양의 C60, 나노튜브, 나노파이버 등의 풀러렌과 단일층 육각형 격자로 된 그래핀(graphene)이 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.09

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  무기박막형 양자점태양전지 CIGS, CdTe

  contact, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문 ) Mo 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야 함. ... cell박막형 CdTe 태양전지 박막형 CiGS 태양전지 양자점 태양전지박막형 CdTe 태양전지현재 CdTe전지의 에너지 전환효율은15.8%(크기 : 1㎠) 앞으로 후면전극(back contacts ... 스틸, Cu tape같은 금속 기판, 폴리머 등도 사용 ) 후면전극 물질 : Sputtering법으로 증착된 Mo이 가장광범위하게 사용 ( Mo : 높은 전기전도도, CIGS와의 ohmic

  리포트 | 35페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.01.25

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  [실험보고서]Hall effect

  （즉， sample의 내부에 빈공간이 없다．）좌측과 같이 두께가 d인 시료의 가장자리인 임의의 곳에 ohmic contact A, B, C, D를 취한다．A에서 B로 전류 I를 흘렸을 ... 및 mobility가 결정될 수 있다는 것을 보였다．１．contact가 sample의 경계에 있다２．contact가 충분히 작다．３．sample의 두께가 일정하다．４．sample의 ... 열처리장비(Annealing)가 있는 경우 약 400°C에서 1분 정도 가열하여 사용하면 Ohmic Contact에 매우 유효하다.- Sample의 바람직한 BONDING 방법은 아래와

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.10.30 | 수정일 2014.05.10

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