"pspice 9.1 2N7000" 검색결과 81-100 / 109건

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  MOSFET 을 이용한 2단 증폭기 설계 결과 레포트

  10 0 100kCin 2 0 1nC1 2 3 10uC2 6 0 10uC3 5 7 10uC4 8 10 10uC5 9 0 10uM1 5 3 6 6 M2n7000M2 8 7 9 9 M2n70003.2 ... PSPICE 시뮬레이션3.1 PSPICE netlist.model M2n7000 NMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0.2 Vmax ... Report교과목:분반:담당교수:학과:학번:이름:제출일자:0. 2n7000 Datasheet1. 설계한 회로도 및 회로설명본 실험에서 사용된 회로는 아래와 같다.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.06.20 | 수정일 2015.06.22

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  MOSFET Circuit 결과보고서

  " www.onsemi.com에서 2N7000 트랜지스터의 Pspice model Library를 다운받았으나, 추가가 되지 않았다. ... Web 상에서 필요한 정보를 찾아 보기 바랍니다.N-Channel MOSFET으로 2N7000P-Channel MOSFET으로 FDC6329L[0-2] PSPICE 상에서 이러한 트랜지스터를 ... {VDS, VGS} = (0~2.0V(step 0.1V), 1.7V) 일 때, VDS = 2V일 때, IDS = 28.9 uA 이다.[1-3] N-Channel MOSFET이 saturation

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.09

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  전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 10주차 예비

  사전보고서(Pre)[1-1] 다음 그림은 2N7000 NMOS 트랜지스터를 사용한 Common-Source 증폭기 회로이다. ... " [2-2]9[2-3]10[2-4]12 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-1]13 Hyperlink \l "_Toc414807359" [3-2]14 Hyperlink ... 회로Schematic[2-3] PSPICE에서 동작 온도를 80도로 정한 후 [2-1] 및 [2-2]의 경우에 대하여 다시 Simulation을 수행하시오.(2-1)에서 온도를 80로도

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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  전자회로실험(MOSFET 증폭기 회로_결과)

  사용 장비 및 부품전원 공급기(VS-220Q)함수 발생기(RIGOL DG4062)오실로스코프(RIGOL DS2102)디지털 멀티 미터(RIGOL DM3068)MOSFET : 2N7000TA ... 실험 방법 및 결과2.1 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 변화2.1.1 실험 회로도PSPICE 회로도브레드 보드 구성2.1.2 실험 방법1) 실험 회로 9-1의 회로를 구성하라 ... 아마도 멀티미터 문제로 원하는 측정값을 얻지 못했다고 생각한다.2.2 이미터 폴로워2.2.1 실험 회로도PSPICE 회로도브레드 보드 구성2.2.2 실험 방법1) 실험 회로 9-2의

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.10.01

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  전자회로실험(MOSFET 증폭기 회로 예비)

  사용 장비 및 부품직류 전원 공급 장치함수 발생기오실로스코프디지털 멀티 미터MOSFET : 2N7000TA (1개)저항 10Ω, 1.8kΩ, 2.2kΩ, 3.3kΩ, 4.7kΩ 등 ... 예비 보고 사항1) 실험 회로 9-1에 대해 PSPICE를 이용하여 V _{GS}-I _{D}관계 그래프를 그리고, 이로부터 문턱 전압 V _{TH}와 V _{GS}=2.4V일 때의 ... V _{GS}를 0.01V씩 증가시켜라.V _{GS}~1.7V1.8V1.9V2.0V2.1V2.2V2.3VV _{D}10V9.982V9.907V9.755V9.511V9.289V8.959VV

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.10.01

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  9조 pre 9주 commom source mosfet

  1개(2N7000), R 2개(6MΩ, 1MΩ, 20kΩ, 10kΩ), C 3개(50uF x 3)전자전기컴퓨터설계실험Ⅲ – 제 9주차 pre report- PAGE \* MERGEFORMAT ... 1] 다음 그림은 2N7000 NMOS 트랜지스터를 사용한 Common-Source 증폭기 회로이다. ... IDS = 2.346mA가 나왔다.전류는 2.3mA~2.6mA사이에 있으며, VGS는 2.0V > Vt이므로 Saturation함을 알 수 있다.[2-2] PSPICE에서 동작 온도를

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  9조 pre 7주 Mosfet Basic

  그래서 이 값을 다시 에 대입하면부합하는 수치 βN는 0.012A가 나오는 것을 알 수 있다.예비 실험 높은 오차의 원인pspice의 결함으로 이번 실험에 쓰이는 소자(2n7000) ... (2N7000)전자전기컴퓨터설계실험3 – 제 4차 Pre-Report전자전기컴퓨터실험4 - 6주차 pre-report- PAGE \* MERGEFORMAT 3 - ... [1-2]에서 구한 값들을 통하여 트랜지스터의 βN 및 VTHN 값을 구하시오.1-2실험에서 둘 다 saturation current가 나오지 않았으므로, 1-1실험에서 saturation

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  9조 pre 8주 p-mos(CMOS Inverter)

  result & AnalysisC-MOS Converter[1-1] 2N7000, IRFU9042N 트랜지스터를 사용하여 아래 그림과 같은 CMOS Inverter를 PSPICE ... 2개(2N7000), P-MOSFet 2개(2N6851), 저항2개(5kohm, 2kohm) ... 2] PSPICE Simulation을 수행한 값과 비교하시오.왼쪽회로에서 실제 흐르는 전류는 140.8uA = 0.1408mA이다.이 수치는 [2-1]에서구했던 이론 값인 0.140mA와

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  MOSFET-03

  Common-Source Amplifier다음 그림은 2N7000 NMOS 트랜지스터를 사용한 Common-Source 증폭기 회로이다. PSPICE로 증폭기 회로를 구현하시오. ... 유사한 RG1=13.5M : VGS= 1.103V, IDS=2.342mAPSPICE에서 동작 온도를 80oC로 정한 후 [2-1] 및 [2-2]의 경우에 대하여 다시 Simulation을 ... 수행하시오.[2-1] : VGS= 2.286V, IDS=2.443mA (IDS만 3.74% 증가)[2-2]VGS가 유사한 RG1=6M : VGS= 2.286V, IDS=7.961mA

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.06

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  MOSFET 차동증폭기 결과

  실험 기자재 및 부품 ●DC 파워 서플라이●디지털 멀티미터 ●오실로스코프●함수발생기 ●2n7000(NMOS)4개●저항 Ⅳ. ... I_O = {K_n2}over{K_n1}I_REF = (W/L)_2 over{(W/L)_1}I_REF 이 식의 값을 일반적으로 전류 이득 또는 전류 전달 비율이라고 한다. ... 이 때의 상대 오차는 1.9%로 정상 실험 범위 내의 오차이다. (5) 정전류원 I_{ SS}의 V_{ DS} 전압 V_{ CS}를 바꾸면서 M_{ 3}에 흐르는 전류를 측정하여 [

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.10 | 수정일 2022.11.04

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  9조 pre 10주 CS with source resistance

  Common-Source Amplifier[1-1] 다음 그림은 2N7000 NMOS 트랜지스터를 사용한 Common-Source 증폭기 회로이다. ... 1개(2N7000), R 5개(6MΩ, 1MΩ, 20kΩ, 10kΩ, 500Ω), C 3개(50uF x 3)전자전기컴퓨터설계실험Ⅲ – 제 10주차 pre report- PAGE \ ... Bias[2-1] PSPICE를 통하여 Bias Simulation을 수행하고 트랜지스터의 VGS, IDS 값을 구하시오.

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.06

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  MOSFET Circuit 결과보고서

  , 만능기판, 다이오드(2N 7000 1개)3) Matters that require attentions가. ... , IDS = 213.6uA[2-3] PSPICE에서 동작 온도를 80도로 정한 후 [2-1] 및 [2-2]의 경우에 대하여 다시 Simulation을 수행하시오.RS = 500RS ... 실제 측정 된 IDS의 경우 약 1.5mA로 측정되었다.실험 1-2의 DC+AC에서의 Drain voltage는 14.9V로 RD에서 1.1V의 전압 강하가 일어났다.

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.09

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  9장예비레포트

  단, power supply로는== 10V,= 0V를 사용하며 MOSFET,로는 2N7000 (PSpice 심볼 : 2N7000/FAI)을 사용한다.⒜ 2N7000의 data sheet로부터 ... Power supply로는= 15V,= 0V ( 즉 -= -0V ) 를 사용하며 MOSFET,,로는 2N7000 (PSpice 심볼 : 2N7000/FAI)을 사용한다. ... Function generator 1EA? Bread Board 1EA? DC Power Supply 1EA? Digital Multimeter 1EA? 2N7000 1EA?

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.13

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  9장예비

  준비물함수발생기 1대Oscilloscope 1대DC Power Supply 대개 (동시에 2개의 전압 출력 필요)N-channel enhancement MOSFET : 2N7000 ... (a) 2N7000의 data sheet로부터 (1/2)kn(W/L)를 구하라. 사용한 수식 및 수치를 자세히 적어 제출하라. ... Power supply로는 VDD = 15V, VSS = 0V (즉 -VSS = -0V)를 사용하며 MOSFET M1, M2, M3로는 2N7000을 사용한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.25

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  [예비]설계실습8. Common Source Amplifier 설계

  : 2N7000 TO-92 (Fairchild) 2개DMM 1대저항: 15Ω, 5%, 1/4W 1개, 10㏀, 5%, 1/4W 1개, 가변저항 (1㏁) 7개커패시터: 0.100㎋ ... 인터넷에서 2N7000의 data sheet를 찾아서 계획서에 첨부하라. 여러 종류의 datasheet가 있을 것인데 가장 자세한 것을 선택하여 제출하라. ... 실습준비물함수발생기, 1개Oscilloscope (OSC): 1개DC Power Supply 대개 (동시에 2개의 전압 출력 필요)N-channel enhancement MOSFET

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.08.12

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  차동증폭기 결과

  실험 기자재 및 부품 ●DC 파워 서플라이●디지털 멀티미터 ●오실로스코프●함수발생기 ●2n7000(NMOS)4개●저항 Ⅳ. ... V_"in" 의 차동 모드 전압의 크기( V) 차동 모드 출력 전압의 크기( V) 차동 모드 전압 이득( A_d_pspice) 차동 모드 전압 이득( A_d) 상대오차 0.1 2.14 ... 10 2.14 9.851 21.4 [그림 4] 10 kHz, 0.1V_p-p 정현파 입력 신호 [그림 5] 차동 입력 신호 인가 시 출력파형 우선 능동부하인 R_D값은 800 OMEGA로

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.06.10 | 수정일 2022.11.04

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  [결과]설계실습8. Common Source Amplifier 설계

  이는 Datasheet를 통해서 볼수 있다시피 2N7000이 안정적으로 동작할 수 있는 적정영역의 DC전류가 약 수백 mA로 표시되어 있기 때문에 매우 작은 전류가 흐를 경우 기대했던 ... -E39.4-1.27.360.88.250.9-12-12.516.990.81160.95.8-11이론값(simulation)과 측정값이 약 10이상 차이남을 보이고 있다. ... 의 회로에 대해 4.2의 (a), (b), 그리고 3, 4과정을 반복하라. 그림 8.1회로와 그림 8.2회로의 특성에 어떤 차이점이 있는가?

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.08.12

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  전자공학실험1 실험 6장 결과보고서 : MOSFET의 특성과 바이어스 회로

  n-channel MOSFET2커패시터0.1㎌ 50V1저항1㏀, 100㏀, 1/4W1저항390Ω, 2.2㏀, 1/4W1저항1.5㏁, 5.1㏁, 1/4W1회로 시뮬레이터PSpice, ... MOSFET의 바이어스 원리와 바이어스 안정화를 학습하여 바이어스 회로를 설계하고 동작점의 직류 전압과 전류를 측정한다.2.사용기기 및 부품장비/부품명기능/규격수량MOS 트랜지스터2N7000 ... 결국, 정확한,를 인가해주지 못해서가 약간의 오차를 보인 것으로 생각된다.9) MOS 트랜지스터의 직류 출력 특성을 얻기 위하여 [그림 6.15]의 회로에서=1.5V로 일정하게 유지하면서

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.31

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  MOSFET Current Source와 Source Follower 설계 예비보고서

  단, power supply로는== 10V,= 0V를 사용하며 MOSFET,로는 2N7000 ( PSpice 심볼 : 2N7000/FAI )을 사용한다. ... Power supply로는(즉)를 사용하며 MOSFET로는 2N7000 ( PSPICE 심볼: 2N7000/FAI)을 사용한다. 입력전압으로는와 같은 정현파를 인가한다. ... (a) 2N7000의 data sheet로부터 (1/2)(W/L)를 구하라. 사용한 수식 및 수치를 자세히 적어 제출하라.?

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.18

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  전자회로실험) mosfet digital logic gate 예비레포트

  이러한 ON/OFF 변환은 출력 단에서의 실제적인 스위칭 시간이외에 전력이 소비되지 않는 결과를 가져온다.◎ PSPICE실험책에 나와있는 MOSFET 소자를 2N7000 로 실험하였으나 ... 동일한 MOSFET과 설정을 해주었으며 마찬가지로 t = 0.000s 일 때부터= 1.8350V 로 계속 일정하다.이론값PSPICE0V010V9.999V0V10V0V2.9289V10V0V0V2.9289V10V10V0V1.8350V ... 여러 가지 이유로 오차가 발생하여 이론에서 배운 것처럼 정확한 결과값이 나오지는 않았지만, Low와 High를 구분할 수 있었다.①-2 MOSFET NAND 회로 구성 (2N7000

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.26

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