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"si wafer" 검색결과 81-100 / 559건

  • Dielectric materials (유전체 재료들)
    A dielectric is a non-conducting substance, i.e. an insulator. ... automation, lower particle Factors Impacting Thin Oxide Uniformity Presence of Native Oxides on the Wafer ... 1) ISSG (in-situ steam generation) ; simple, high Temp H 2 +O 2 Injection → Thermal reaction in chamber
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.26
  • (특집) 포토공정 심화 정리11편. PR(Photoresist)에대한 이해
    Photoresist, PR은 반도체 원료인 웨이퍼 위에 도포하는 ‘감광액’이다. ... 변성 방지 group + PAG(Photochemical Acid Generator) + 기타cf) PAC : 빛을 받으면 H+를 생성하고 이것이 TMAH가 insoluble에서 soluble로 ... - Ketene이 물에 닿으면 카르복실기(-COOH)생성 → 염기성 용액에 반응성이 좋음- 파장에 따른 반응1) i-line : 0.4um 해상도 확보 가능(UV용 PR로 쓰인다.)
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.16
  • A+ colostomy 케이스스터디 (간호진단 3개, 간호과정3개)
    크기로 피부보호판(skin barrier wafer)을 잘라야 한다. ... >피부보호판(skin barrier wafer)이 당겨지고 밀착력이 떨어져 새는 것을 방지할 수 있다.>주머니의 무게가 무거워지면 떨어질 위험이 있다. ... (Dicknol I로 분변이 새어 나와서 따가워요,,”· 3개월 전 ascending colon cancer를 진단받고 부분 상행결장절제술을 시행하고 상행결장루술 을 시행하고 퇴원한
    리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.03 | 수정일 2022.08.10
  • 전자정보소재공학 Resolution 향상을 위한 반도체 공정기술
    렌즈의 개구 수인 NA는 웨이퍼로 빛이 입사되는 각도와 굴절률로 나타난다. ... 방향환은 에칭 저항성이 우수하나 193nm에서 π-π전이를 하여 광을 흡수하므로, i-라인과 KrF(248nm)의 포토레지스트에 사용되는 노볼락과 PHS 수지는 ArF(193nm)의 ... 공정 방법을 개선하는 방법으로는 비등축조명(OAI, off-axis-illumination), 위상변위마스크(PSM. phase shift mask), 근접효과보정(OPIC, optical
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.16
  • 논문 Soft lithography for micro- and nanoscale patterning 을 한국어로 번역 및 요약한 내용.
    엘라스토머 스탬프의 기계적 특성은 높은 충실도로 패턴을 전사하는 능력에 중요하다.μCP.전형적으로 알칸 티올 (SH 그룹을 갖는 화합물)은 PDMS로부터 실리콘 웨이퍼 또는 유리 슬라이드 ... (i) 전단 탄성 계수가 0.25MPa이고 밀봉 마이크로 유체 시스템을 형성하는 데 유용한 약 0.5MPa의 영 계수를 가지고 있다. ... (i) REM은 원자 수준에서 분해능이 가능한 각 마스터로부터 몰드, 복제본 및 패턴 화 된 표면의 많은 복제본 (> 50)을 생성 할 수 있다.
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.08.31
  • SK하이닉스 면접 자기소개서와 직무역량입니다.
    Level Chip Scale Package/Fan Out Wafer Level PackageWLP는 패키지의 I/O단자를 모두 칩 안쪽에 배치시켜야 하므로 칩 사이즈가 작아지면 ... 이러한 문제를 해결하기 위해 칩 바깥쪽에 패키지 I/O단자를 배치시키는 형태인 FOWLP가 제안되고 있는데, 이 경 ... 하지만, 특정한 목적으로 만드는 회로(고전력 트랜지스터, High speed logic 등)에 대해서는 BJT를 사용한다.17.
    자기소개서 | 73페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.24 | 수정일 2024.04.01
  • 하이닉스 소자직무 합격자기소개서
    이후 일주일마다 물질 조성과 spin coater의 RPM, solvent 처리 시간, annealing 온도, evaporator로 증착한 layer의 두께 등 다양한 공정 변수의 ... 또한, 학생 연구원 경험을 통해 웨이퍼 핸들링과 Evaporator 같은 장비를 사용하는 데 능숙했습니다. ... 둘 중 하나의 etch만 시도한 다른 조들과는 달리 6개의 조 중 저희 조만 가장 작은 MOS 커패시터의 작동에 성공했습니다.팹 아웃 후 DC analyzer를 이용하여 측정한 I-V
    자기소개서 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.05.25
  • 반도체 공정 레포트 - latch up (학점 A 레포트)
    이러한 Latch Up현상에 의해 I-V 특성이 변하게 된다. ... [사진5] I-V curve세번째는 전력공급장치의 노이즈이다. ... Epitaxy는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 기판 표면 위의 단일 결정 물질의 얇은 층을 증착하는 것으로 이것을 Epitaxial층이라고 부른다.
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29
  • MOSFET scaling down issue report
    Wafer를 기울여 Ion implant로 주입하며 고농도의 doping 영역을 만들어 확장을 막는다.Fig.12 halo implants structureLDD 구조는 hot carrier ... E-v curve and I-V curve- Avalanche breakdown in MOSFETShort channel NMOSFET의 breakdown은 long channel과 ... gate로부터 전자가 band to band tunneling되어 drain쪽으로 이동하면서 leakage current가 발생한다.Fig.7 GIDL mechanism and I-V
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21
  • (생명과 환경) 태양광발전의 경제성에 대해 조사해보시오
    [ {B(i)`+`GHG(i)} over {(1-r) ^{i}} RIGHT ] `-` LEFT [ C _{o`} + sum _{i=0} ^{n} {OM(i)} over {(1+r) ... 비용 부문은 사업계획의 타당성 조사와 설치비용, 정기 설비 유지보부문의 총합에서 비용 부문의 총 합을 빼어 아래 식과 같이 산정할 수 있겠다.NPV =sum _{i=0} ^{n} LEFT ... 폴리실리콘, 웨이퍼 등과 같이 태양광발전에 필요한 시스템의 비용이 고가이면서 모듈 비용의 약 50% 이상을 차지하는 만큼 초기 투자비와 발전 단가가 높다는 단점도 있다.
    방송통신대 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.01.29
  • [전자응용실험] 실험5. BJT 에미터 및 콜렉터 저항 측정 예비보고서
    시험 기기 및 부품(1) HP4155A 반도체 소자 분석기(2) 프로브 스테이션(3) 바이폴라 트랜지스터를 포함한 웨이퍼(4) PC(5) MATLAB5. ... `````````````=`0`+`V _{T} ``ln( {1} over {a _{R}} )`+`I _{B} `RE``````````````for`I _{c} `=`0위의 식을 IB에 ... 이러한 경우는 subcircuit 모델로 해결할 수 있다.2) 보정(calibration)두 개의 기생 저항 추출을 위해서는 높은 전류 특성 측정이 필요하다.
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.02
  • 조합최적화 문제
    I. 서론제조업 제품의 생산방식이 고도화되고 복잡해짐으로 인하여 생산능력을 효율적으로 사용하기가 어려워지고 있다. ... 대표적인 문제- 순회 세일즈맨 문제(Traveling Salesman Problem)- 작업공정 스케줄링(Job shop scheduling)- 배낭문제(Knapsack Problem ... 특히 강화학습을 활용한 일정 계획에 대한 연구는 다음과 같다.1) 인공신경회로망을 이용하여 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 이동 경로의 최적 스케줄링 방법을 제안함2) DQN 알고리즘을
    리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.10
  • 모스펫 실바코 예제 해석
    이 문에서 사용되는 구문은 최대 값 (최대)과 같은 연산자와 드레인 전류 (i. ... Optimizer 사용 지침은 Virtual Wafer Fab 설명서의 Interactive Tools를 참조하십시오. ... 그러나 init ... spac.mult = 3 문은 X 및 Y 방향에서 3 배만큼 메시를 완화합니다. spac.mult = 1을 설정하면 MOS 시뮬레이션을위한보다 일반적인 메시를
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.13
  • 중앙대 교양 반도체 이해하기 pbl 보고서
    많은 기능을 집적시킬 수 있어서 모바일 장치 및 다양한 전자 제품의 디자인을 더 효율적으로 만드는 데 도움이 됩니다.10주차 (1)0.5m CMOS 공정에서는 SIO2와 poly-si을 ... 최근 들어 과거 전공정(실리콘 웨이퍼 상에 IC를 제작하는 공정)대비 단순하고 보조적인 공정으로 여겨져 왔던 후공정(패키징 공정)의 중요성이 높아지고 있습니다. ... 이외에 산화막의 성장 속도에 영향을 주는 다른 변수들에 대해 조사해보세요.기판재질, 산소 분압, 산화 가스의 혼합물, 산화시간 등이 이에 영향을 줄 수 있습니다.예를 들어 실리콘 웨이퍼
    리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.03.22
  • 디스플레이공학 시험정리
    Micro Display디스플레이 소자를 구동하는 구동기판이TFT Glass가 아닌 CMOS wafer를 사용Micro Display종류HTPS TFT LCD(High Temp Poly-si ... crystal보다는 높은편이고 leakage current가 더 많이 흐르는 단점p-si의 가장큰문제점p-si leakage current는 grain boundary 때문에 발생하기 ... 때문에a-si보다 더많이 발생함Kink effectPoly-Si은 saturation current가 증가하는 Kin(
    시험자료 | 11페이지 | 4,500원 | 등록일 2020.12.24 | 수정일 2024.08.19
  • 연세대학교 반도체공학레포트
    When group 13 elements such as B are implanted into si, each B atom can absorb an extra electron to make ... “why is silicon used for electric devices” wafer world. ... There is only "on" and "off" in terms of the current. so semiconductors should be considered as conductors
    리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.09.18
  • 매그나칩반도체 Power Device 합격자소서
    Photo부터 dry, wet Etching 공정의 일련의 과정을 수행하여 웨이퍼에 패턴을 직접 새겼고 마지막으로 ADI CD, ACI CD를 측정하여 Pitch가 같은 Target ... Silvaco사의 Tcad을 활용한 소자 스케일링 프로젝트- 수업에서 Mosfet, MOS을 직접 설계하여 파라미터에 따른 I-V, C-V, Energy band 등 변화를 관찰- ... 성격의 장단점# 뚜렷한 목표의식수학과에 진학하여 순수학문을 공부하던 도중 수치해석 수업에서 Matlab을 통해 프로그래밍을 접했습니다.
    자기소개서 | 5페이지 | 3,300원 | 등록일 2021.11.22 | 수정일 2024.04.23
  • 반도체 공학 비메모리/메모리 반도체의 미래는?
    대표적인 램에는 S램(static RAM)과 D램(dynamic RAM)이 있다. S램은 전원이 끊어지지 않는 한 기록된 정보를 유지하는 반면다. ... 삼성전자는 아우디 신형차량인 A4에 탑재한 ‘엑시노스 오토 8890’, 100m 이내 단거리 데이터 통신에 최적화된 IoT 프로세서인 ‘엑시노스 I T100’을 선보이는 등 엑시노스의 ... TSMC는 지난해 1월 반도체 공장 오염으로 최대 9만 장의 불량 웨이퍼가 발생한 바 있다.3.비메모리 반도체와 메모리 반도체 차이 및 각 소자 특성에 관해 논하시오.메모리 반도체는
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.07
  • LG,삼성,외국계대기업 합격 영문이력서입니다.
    up ( 5inch wafer -> 6inch wafer )4) Set up LPCVD ( Oxide, Nitride ), Photo, Dry and Wet etch , Sputter ... I took serveral subjects about semiconductor. My english skill is Basic level. ... Learning speed is slow, but the more I learned skill, the more my skill level is high and the better
    이력서 | 4페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.06.14 | 수정일 2023.02.09
  • 실리콘 태양전지 공정 및 작동원리
    [그림 3] I-V 관계다이오드 전류 I와 전압 V와의 관계를 [그림 3]에 나타내었다. ... 후면 금속 전극이 직접 실리콘에 접촉하기 때문에 전극에서의 재결합 속도가 크고, 접촉저항도 실리콘의 도핑 농도가 작은 경우에는 커지기 때문에 접촉저항을 낮추기 위해서 비저항이 낮은 웨이퍼를 ... [그림 4] I-V 곡선에서의 최대면적[그림 4]는 최대전력 면적을 보여주고 있다. 여기에서 은 V= 일 때의 전류이다.
    리포트 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.11.12
  • 아이템매니아 이벤트
  • 유니스터디 이벤트
AI 챗봇
2024년 09월 15일 일요일
AI 챗봇
안녕하세요. 해피캠퍼스 AI 챗봇입니다. 무엇이 궁금하신가요?
12:53 오후
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대