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"CdS반도체" 검색결과 101-120 / 512건

  • 화학공정실험(Ⅱ) 예비보고서 CdS 합성
    광촉매의 원료가 되는 CdS, CdSe, ZnO, TiO{} _{2} 등은 모두 반도체의 특성을 가지고 있는데, 반도체는 밴드갭 이상의 에너지를 외부에서 받으면 전자, 정공쌍을 발산하는 ... 광촉매[photocatalyst] = 빛[light] + 촉매[catalyst](광촉매로는 반도체성 금속 산화물이나 황 화합물이 이용된다.)- 반도체는 일정한 영역의 에너지가 가해지면 ... (NH{} _{4}){} _{2}S-> CdS )③ CdS 정제경사법이란?
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.19
  • 전자재료 및 실험7(LED의 거리와 빛의 세기에 따른 CdS 저항특성)
    발광다이오드(LED : Light Emitting Diode)란 갈륨비소 등의 화합물에 전류를 흘려 빛을 발산하는 반도체소자로, m 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 소수캐리어(전자 ... 전자재료 및 실험< LED의 거리와 빛의 세기에 따른 CdS 저항특성 >1. 실험제목2. 실험목적* LED에 전압을 인가하고 거리를 변화시키며 CdS의 저항변화를 관찰한다.3. ... 이용하여 3.2V를 인가시킨다.② 암실상자 내에 일정한 거리를 두고 CdS를 위치한다.③ Cds의 저항을 측정한다.④ 각 저항값을 비교한다.5.
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.17
  • 인하대 공업화학실험 PEMFC/DSSC 예비 보고서
    P-N 접합에 의한 태양전지를 제조하며 P형 반도체의 양공과 N형 반도체의 전자가 전달체로서 역할을 한다.염료감응 태양전지(DSSC; dye-sensitized solar cell) ... 식물의 광합성과 가장 흡사한 원리로 동작하는 태양 전지이다.일반적인 DDSC는 나노 사이즈의 다공질 TiO2에 일반적으로 황화카드뮴(CdS)를 흡착시켜 만든다. ... 저장 기술이 개발되었다.태양전지의 종류와 특징무기물 태양전지(inorganic solar cell): 실리콘 계열 태양전지가 여기에 속하며 CdTe, GaAs, CiGS와 같은 반도체
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.09.25
  • Synthesis and Optical Properties of Quantum Dots
    이러한 현상은 반도체 물질에서 더 잘 나타나는데, 양자점 반도체 결정에는 CdSe, CdS, PbSe, ZnO 등이 활용된다.반도체 내의 conduction band(CB)의 전자들과 ... 입자들의 크기가 Bohr exciton radius에 다다르면 반도체의 광학적 특성은 바뀌기 시작한다. 원래 가지고 있던 연속적인 에너지의 형태가 불연속적으로 변한다. ... 여기서 입자란 양자(quantum)를 나노미터단위로 합성시킨 반도체 결정이다.1) 이것은 입자의 크기에 따라 색깔 등의 광학적 특성이 크게 변하는데, 물질의 종류가 바뀌지 않고 크기의
    리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2017.07.29 | 수정일 2017.08.12
  • 마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조
    마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조요약Microwave 에너지를 이용하여 반도체산업 재료에 사용되는 CdS 나노분말을 합성하는 방법에 대해서 이해하고 CdS 나노분말을 ... 서론반도체산업 재료에 사용되는 CdS 나노분말을 Microwave 에너지를 이용하여 합성하는 과정에 대하여 알아본다.2. ... 이렇게 얻은 CdS분말은 광전도소자에도 사용되어 반도체 산업에서 television screen, semiconductor, fluorescent screen 등에 유용하게 사용된다
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.11.14
  • LED 전압인가에 따른 CdS 저항특성변화
    한쪽으로, 순방향으로는 전기가 통하고 역방향으로는 전기가 통하지 않게 하는 반도체 소자의 일종입니다. ... 반도체의 P-N 전합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자, 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광하는 것입니다. ... 실험 장비 및 소모품-LED, Power Supply, 멀티메타, CdS셀5.이론적 배경-LED란?
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.21
  • 파장이 각기 다른 LED 종류와 입사거리에 따른 광전도셀의(CdS) 저항특성 변화
    이성질을 이용해서 여러 가지 반도체의 전자 에너지준위 등을 살 필 수 있다광전도현상절연체·반도체에 빛을 조사했을 때 전기전도도가 증가하는 현상으로.황화아연 등의 결정에 빛이 닿으면 ... 반도체에 빛을 조사하면 전기전도도가 급증하여 전류가 흐르기 쉬워지는 현상으로.내부광전효과라고도 한다. ... Experimental procedure (실험 방법)(1)각각의 LED를 준비하여 전압을 인가한다(2)일정한 거리를 두고 CdS 셀을 위치한다(3)각각의 경우에 CdS 셀의 저항을
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16
  • 광촉매 원리 및 효과
    광촉매에 사용할 수 있는 물질로는 TiO2, TiO2, ZnO, CDS, ZrO2, SNO2, V2O2. WO3 등과 페롭스카이트형 복합금속산화물(SrTiO3) 등이 있다. ... 그러나 실체 광촉매 반응에 사용할 수 있는 반도체 물질은 우선, 광학적으로 활성이 있으며 광부식이 없어야 한다. ... 전자와 반응물이 반응(산화형 → 환원형), 생성물이 촉매 표면에서 주반응흐름으로 확산(외부확산) 이때, 정공과 전자의 생성량 및속도는 광원의 위치, 광반응기의 종류, 광의 조사량, 반도체
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.06.12
  • XRD 발표 자료
    용이X-rays 의 검출법 사진작용 사진 film, 건판 이온화작용 전리함 (Ion Chamber) 가이거 계수관 (GMC) 비례계수관 (PC) 위치민감형 비례계수관 (PSPC) 반도체 ... 정 의 대략 0.01 ~ 100Å 의 극히 짧은 파장을 가지는 전자기파의 일종 고속의 전자가 무거운 원소의 원자와 충돌 시 발생 사진 작용 형광 작용 – ZnS , CdS , Nal ... 정 의 대략 0.01 ~ 100Å 의 극히 짧은 파장을 가지는 전자기파의 일종 고속의 전자가 무거운 원소의 원자와 충돌 시 발생 사진 작용 형광 작용 – ZnS , CdS , Nal
    리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.04.01 | 수정일 2018.11.29
  • 화학공정실험예비3 CdS 합성
    광촉매의 원료가 되는 CdS, CdSe,ZnO, TiO2 등은 모두 반도체의 특성을 가지고 있는데, 반도체는 밴드갭 이상의 에너지를 외부에서 받으면 전자, 정공(h+)쌍을 발산하는 ... 경우로 실제로 CdS와 같은 황화물계 반도체는 빛의 조사에 의하여 수용액 중에서 쉽게 광부식을 일으키게 된다.광촉매[Photocatalyst] = 빛[Photo=Light] + 촉매 ... 화학공정실험(2)예비보고서제목 : CdS 합성분반302분반조3조학번200812226이름최하나1. 제목 : CdS 합성2.
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.01.10
  • 산화티타늄 광촉매에 의한 분자분해 예비보고서
    그리고 반응에 사용된 반도체는 변화하지 않은 상태로 있게 된다.2) 반응은 반도체 자신이 반응의 진행에 따라 변화를 일으키게 되는 경우로서, 실제로 CdS와 같은 황화물계 반도체는 ... 이 중TiO _{2}는 자 체가 빛을 받아도 변하지 않아 반영구적으로 사용이 가능한데 반해,ZnO와CdS는 빛을 흡수함으로써 촉매 자체가 빛에 의해 분해되어 유해한 Zn, Cd 이온을 ... 발생하는 단점을 갖 고 있다.이와 같이 산화환원 반응에 사용되는 반도체 물질의 종류는 다양하지만, 실제 광촉매 반응 에 사용할 수 있는 반도체 물질은 극히 소수이다.일반적으로 광촉매
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02
  • (물리화학)반도체 나노입자의 분광학적 성질
    DRAM 등 반도체 소자의 제작, 미세분말의 제작에 이용되고 있으며 대량생산이 가능하다. ... 합성방법Ⅰ1) 시약가) PbS 나노입자10㎖ 1%(w/w) 폴리비닐알코올(PVA)2㎖1 TIMES 10 ^{-2}M 아세트산납증류수1㎖ H₂S기체질소 또는 아르곤나) CdS 나노입자10 ... M 황화나트륨 용액증류수질소 또는 아르곤2) 기기가) PbS 나노입자250㎖ 삼중목 둥근바닥 플라스크, 20㎖ 삼각플라스크, 고무격막뚜껑다수,5㎖주사기와 바늘다수, 일회용피펫나) CdS
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.09.07
  • 결과 반도체 나노 입자의 분광학적 성질
    실험제목 (2011.04.08 제출 / 2011.04.12 실험)반도체 나노입자의 분광학적 성질2. 실험 조 / 실험 자3. ... 이 실험에서는 반도체 나노입자를 합성하고 그 분광학적 성질을 관찰하여 크기와 분광학적 성질 사이의 관계를 고찰할 것이다..4.
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.09.23 | 수정일 2014.09.14
  • 1. 마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조 결과
    서론Microwave 에너지를 이용하여 반도체산업 재료에 사용되는 CdS 나노분말을 합성한다.2. ... 요약Microwave 에너지를 이용해 CdCl22.5H2O + CH4N2S (thiourea) ---> CdS (yellow)의 반응을 시켜 반도체 산업재료에 사용되는 CdS 나노 ... 합성 반응 메커니즘은 다음과 같다.CdCl22.5H2O + CH4N2S (thiourea) ---> CdS (yellow)이렇게 얻어진 CdS분말은 반도체 산업에서 television
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.01
  • 1. 마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조 예비
    1.목적Microwave 에너지를 이용하여 반도체산업 재료에 사용되는 CdS 나노분말을 합성한다.2. ... 합성 반응 메커니즘은 다음과 같다.CdCl22.5H2O + CH4N2S (thiourea) ---> CdS (yellow)이렇게 얻어진 CdS분말은 반도체 산업에서 television ... 용이한 육방정계 구조의 n형 직접 천이형 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체이다.
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.01
  • CIGS 개론
    박막 태양전지가 CdTe, CuInSe2 계의 화합물반도체를 소재로 한 것이다. ... CuInSe2 박막과 n형 반도체로 window 층으로 사용되는 ZnO 박막이 pn 접합을 형성한다. ... CdS박막은 2.46 eV의 에너지 밴드 갭을 가지며, 이는 약 550nm의조법으로 전자빔증발법이 가장 대표적이다.
    리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.02.08 | 수정일 2015.08.24
  • 반도체 나노입자의 분광학적 성질 (물리화학 실험 레포트)
    DRAM 등 반도체 소자의 제작, 미세분말의 제작에 이용되고 있으며 대량생산이 가능하다. ... (예비 레포트)반도체 나노입자의 분광학적 성질(실험일: 2015.05.19 , 제출 : 2015.05.18.)이름 : 최민정1. ... 실험 이론 및 배경 :보통 벌크의 반도체 상의 전자 에너지 상태는 띠이론(band theroy)에 의하여 설명된다.
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.06.23
  • 인하대학교 공업화학실험 PEMFC 예비보고서 A+
    그래서 염료분자는 활성화되고 전자는 HOMO에서 LOMO로 여기되고 이 전자는 산화물 반도체인 TiO2의 전도대로 확산되며 또 회로를 따라서 흘러간다.태양전지 기본 용어 조사 (VOC ... 설용건/연세대학교화공생명공학과/전기방사를 이용한 SiO2/nano lonomer 복합 막의 제조 및 고온As, InP, GaAlAs, GaInAs등)Ⅱ-Ⅵ족 화합물계(CuInSe₂, CdS
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.31
  • Quantum dot을 활용한 나노 소재 제작
    양자점의 중심체로는 CdSe(카드뮴셀레나이드), CdTe(카드뮴텔루라이드), CdS(황화카드뮴)이 주로 사용된다.2. ... 이러한 반도체의 상태를 "Bulk" 상태라고 하고 3차원(3D) 시스템이라 한다. ... 일반적으로 반도체 나노입자의 엑시톤 보어 반경이 10 nm 보다 작기 때문에 강하게 양자 제한된 양자점을 형성하기 어렵다.
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.11.29
  • 기초전기전자실험 보고서(PLC 제어 실험)
    포토 다이오드에 증폭기능을 더해준 소자라고 할 수 있다.CdS광도전셀광도전체로 CdS, CdSe를 사용하는 센서를 광도전셀이라고 하는데, 세라믹기판 위에 CdS 분말을 적당량의 CuCl₂와 ... -쇼트키형: 금속과 반도체의 접촉에 형성되는 쇼트키 장벽을 이용한 다이오드.센서의 종류원 리장단점적용 예온도센서피측정물에 센서를 직접 접촉시켜 측정하는 접촉형과 피측정물에서 방사되는 ... 불순물 준위가 정공을 포획하여 자유 정공수를 줄여 전자의 수명이 길어져 광도전성을 증가시키게 되는 원리이다.적외선센서서미스터, 서모파일 등의 열형과 PS, InSb, HgCdTe등의 반도체
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.04.28
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2024년 09월 14일 토요일
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- 작별인사 독후감
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- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대