"Contact Pressure" 검색결과 101-103 / 103건

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  [반도체공정] NMOS 공정

  피면을 PR로 코딩한 다음 Contact Mask를 이용하여 해당 부위의 PR을 현상하여 Contact영역을 정의해 주고 이 영역의 PSG Layer와 Oxide를 식각해 낸다.Contact ... 간격을 좁게 하여 (3~6mm) 동일 공정에 많은 양의 박막 형성 Poly-Si, Si3N4, PSG, BPSG, W 박막 단점 (낮은 증착율 ; 높은 동작 온도)LPCVD(low pressure ... Gate Oxidation Poly-Si DepositionClear Source and Drain Source/Drain Doping (N+) Drive In Oxidation Contact

  리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.11

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  반도체에 사용되는 용어정리

  Uniformity를 좋게하는 완충용액의 역할을 한lasma CVD에서는 Nitride Deposition의 Nitrogen Source로 사용된다.APCVDAtmospheric Pressure ... EM 내성에 영향을 주는 요인으로는 배선의 종류(Material, 결정구조, 미세구조), 선폭, 두께, Contact 및 Via 구조, 동작 전류 밀도, 그리고 동작 온도 등이다.EPROMErasable

  리포트 | 18페이지 | 무료 | 등록일 2000.11.29

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  지방자치와 주민참여

  반면에 자문 그룹 은 1구성원의 편견이 개재될 위험성이 있으며, 2광범위하고 다양한 시민의 요구ㆍ이익의 기술적인 집약이 곤란하다는 단점이 있다.5) 요인접촉(Key Contacts) ... 어느 경우에나 주민자문위원회는 정책에 대한 주민의 선호를 엘리트 멤버들이 전문적 지식 또는 정보능력에 의존하여 간접적으로 투입하여 효율성을 제고하는데 의의를 지닌다.3) 압력단체(Pressure

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.10.15

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