"EUV노광" 검색결과 101-103 / 103건

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  [나노가공] Nano Technalogy(나노공학)

  이용 EUV는 렌즈를 통과할 수 없으므로 거울의 반사를 이용하여 상을 축소 EUV 반사율을 극대화하기 위하여 모든 광학 소자에 다층박막 이용 빛을 사용하는 점에서 광학적 노광의 기술적 ... Nano Technalogy - EUVLExtreme – UltraViolet Lithography (극단파 자외선 노광장비)나노 형상 가공 기술접촉식LithographyImprint ... 요구된다. ③ EUV 광은 거의 모든 물질에 흡수된다. - 물질의 표면에서 20 ∼ 50 nm안에서 EUV광이 흡수되기 때문에 일반적으로 반도체 IC 제작에 필요한 photo resist의

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.10.01

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  [반도체] PVD 리소그라피

  노광량은 노광 장치에 의하여 바뀌는 것이 가장 크지만 기판의 반사율 변화에 의하여 변화하기도 한다. ... 이것은 UV 수은 램프 광원(0.365um)을 ArF(argon fluoride) 엑시머(excimer) 레이저나 (0.193um) 극자외선(EUV : extreme ultra violet ... 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행해지고 있다.

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18

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  [반도체] 반도체 공정

  Photolithography 공정은 일반사진의 film에 해당하는 photo resist를 도포하는 PR 도포공정, mask를 이용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광공정, 다음에 ... 리소그래피에 적용할 수 있다.단점 :① EUV 시스템에 들어가는 거울(Mirror)을 제작하기 어렵다.- 무결함 표면이 필요하고, 허용 오차(～옹스트롱 )가 매우 작다.② EUV ... 용 마스크 제작이 매우 어렵다.- 무결함 다층막 코팅기술이 요구된다.③ EUV 광은 거의 모든 물질에 흡수된다.- 물질의 표면에서 20 ～ 50 nm안에서 EUV광이 흡수되기 때문에

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.01

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