"Metal-oxide" 검색결과 101-120 / 1,274건

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  영어 논문 (리뷰 논문 - High Entropy Alloy)

  elements like Cr or Mn are generally added to enhance the mechanical properties, but Cr can generate oxides ... 2 shows that the HEAs have electrical resistivities about 200 μΩ-cm. ... Last, they have economic feasibility because half of their components are not high-priced elements.1.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.02 | 수정일 2021.07.14

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  반도체공학실험 보고서(MOSFET 제작 및 특성 측정)

  다음은 Oxcide strip으로 H2O:HF solution으로 metallic contaminants가 있는 thin oxide layer를 벗겨내는 단계이다. ... -> PR stip 과정으로 진행된다.이번 실험에서는 etching까지 진행된 후, metal을 증착시키고 PR을 제거함으로서 PR위에 쌓이는 metal을 제거하여 원하는 부분에 metal을 ... 순서를 나열하자면, wafer cleaning-> PR coating-> soft baking-> exposure-> development-> hard baking-> etching

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.13

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  Synthesis, Electrochemistry and Luminescences of [Ru(bpy)3]2+

  Figure4에서 보이듯, [Ru(bpy)3]2+가 광자를 흡수하면 t2g에 있는 전자가 ligand의 * 준위로 가게 되는 전이인 MLCT(Metal to ligand charge ... Ru(bpy)3]2+가 광자를 흡수하면 MLCT(Metal to ligand charge transfer)가 발생하는데, [Ru(bpy)3]2+는 t2g에 전자를 받아 산화제로도 사용될 ... Al알킬 아민은 전자를 주고 받으면서 아민 라디칼이 될 수 있는데 아민 라디칼은 반응성이 크기 때문에 알킬 아민이 존재하게 되면 [Ru(bpy)3]2+이 높은 oxidative current를

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.03

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  반도체 금속공정

  Silicide Process Materials Structure Method Reference8 대 공정 요약 Wafer Oxidation Photo Lithography Etching ... sputtering- 고온 소결Materials-Al/Cu Al Cu 특성 저항 낮음 실리콘과 결합하려는 특성 - 따로 barrier metal( Ti / TiN 등 ) 넣어줘야 ... 반도체 8 대 공정 MetallizationIndex 8 대 공정 순서 Metallization 이란 ?

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.26

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  [레포트] 반도체 공정 및 응용 HW#1

  The transistor previously used metal-oxide-silicon field effect transistor (MOSFET). ... current flowing from the source to the drain.Because of this structure, transistors are called silicon-oxide ... the oxide membrane.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.28

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  반도체 제조공정

  반도체 제조 공정 - 전공정Design : CAD로 전자회로와 실제 웨이퍼위에 그려질 회로 패턴을 설계합니다.Mask제작 : 설계된 회로 패턴을 e-Beam장비로 Quartz위에 작성합니다.Oxidation ... 증착 (蒸着:Metalizing)시킨다.설비 : Furnace(diffusion) 재료 : S/Gas : BF3,ASH3/H2.PH3/H2설비 : CVD 재료 : CVD Gas : ... : GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착(蒸着)하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정.Metalization : 배선을 하기위하여 Wafer 표면에 알미늄을

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.04.18

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  미니멀리즘 흑백톤 PPT템플릿+수백가지 픽토그램 내포

  own Our teamProblem Mercury is the closest planet to the Sun and the smallest one in the Solliquid metal ... It’s full of iron oxide dust Weaknesses Mercury is the closest planet to the Sun and the smallest one ... It’s full of iron oxide dust Solution Venus has a beautiful name and is the second planet from the Sun

  ppt테마 | 41페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.04.16

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  3-1. AMOLED Tooling 및 진공 기초 report (A0)

  - Oxide) 를 이용한다.OLED를 제작하는 방법에는 두 가지가 있다. ... 균등한 증착을 하기 위해서 Rotation on을 하고, 증착 물질에 전류를 흘려 보내서 물질을 증착시킨다.Organic 증착이 끝나면 Metal Chamber로 이동하여 Metal을 ... 실험 목표- 진공의 기본적 이론 이해- 알파 스텝을 통한 막 두께 측정과 Tolling의 이해3.

  리포트 | 8페이지 | 15,000원 | 등록일 2023.07.30 | 수정일 2023.08.18

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  [서울시립대 반도체소자] 5단원 노트정리 - MOS Capacitor

  (practical)purp.) principle of flash memorydef.) extra Q ← impurities @ interfaces (oxide: amorphous, ... .) metal gate can solve this.quantum mechanical effectcorrection ofdef.) correction of distribution ← ... to consider5-4.

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24

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  반도체 8대 공정 정리

  MOSFET 에서의 Gate Insulator 형성 말 그대로 MOSFET 에서 MO 가 Metal Oxide 를 의미하는 만큼 , MOSFET 에서의 Gate Insulator 로 ... Logic 의 경우 , HKMG 로 넘어오면서 SiO2 의 Gate Oxide 는 SiO2  SiON  HfO2 로 High-K 소재로 변하게 되었다 . ... Oxide 산화막을 사용한다 .

  리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.09

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  울산대학교 전자실험예비22 디지털 회로의 동작

  CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)는 주로 증가형 MOSFET(트랜지스터 일종)소자들을 사용해 만든 디지털 로직 IC다. ... 이를 Noise Margin이라고 하며 그림 1에서 볼수 있듯V_{Noise High }=V_OH -V_IH이며V_{ Noise Low}=V_IL -V_OH 이다.그림1TTL이란 트랜지스터 ... 이번실험에서는 7400의 NAND gate ,7404 NOT gate , 7408 2-input AND gate를 사용한다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.18

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  초미세공정 족보 정리본 - A+ 학점 확정

  , n-type 도핑을 한 후, 실리콘을 oxidation 한다. ... 이 에칭의 끝에 n-type 실리콘의 하단이 드러나게 되면 이제 n-type 실리콘이 양극 역할을 하게 되면서 oxide가 생성되어 에칭이 멈추게 된다.piezoresistor로 압력을 ... substrate로 이동시킨다.3) substrate의 표면 위에서 coating vapor 혹은 sputtered atom을 응축시킨다.공정은 일반적으로 진공환경에서 이루어진다.PVD는 거의 metal을

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22

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  3-4. AMOLED Transparent OLED report (A0)

  ITO(Indium Tin Oxide) 산화?인듐?주석 등의 투명한 금속 박막을 사용.ETL(-), HTL(+) : 전공? ... LiF 물질을 증착한 기판을 Metal Chamber로옮겨 Al을 증착한다.Ⅲ.증착이 된 기판에 가운데 3M테이프와 MgO를 붙인다.테이프에 Al Layer가 올라오기 때문이다.Ⅳ. ... 증착된 소자를 CS-2000 장비로 측정한다.(CS-2000) (지그)5.

  리포트 | 8페이지 | 15,000원 | 등록일 2023.07.30 | 수정일 2023.08.18

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  Synthesis of Nitrobenzene(니트로벤젠 합성 실험) 예비/결과 레포트

  substances and metals. ... Nitric acid has strong acidity, so it oxidizes not only water but also various substances such as organic ... Therefore, it is widely used in various industries such as oxidizing agents, fertilizers, plastics, pigments

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.25

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  아닐린 합성실험(Synthesis of Aniline ) - 산화환원 합성

  number are reduction reactions.Chemical reduction: reduction by metal in an acidic solutionCatalytic ... First of all, reduction in the dictionary sense refers to a chemical change that returns an oxidized ... reaction of obtaining hydrogen, the reaction of breaking bonds with oxygen, and the reaction of decreasing oxidation

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.06.25

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  MOF 결과

  Metal, Metal Oxide가 carbon내 잘 갇혀있기에 MDC는 chemical inertness가 있고, conductivity도 있고 , pore를 합성과정에서 조절할 ... 남아있다고 가정한 후 계산34.6418g* {1mol} over {81.38g} =0.42mol이론값 : Metal : ligand = 4 : 3실험값 : Metal : ligand ... : 3실험값 : Metal : ligand = 0.233 : 0.1518 = 4 : 2.6오차율 :{��3-2.6�� } over {3}*100%=13.33%123그림 33 MC용매하

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.10.11

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  전자응용실험 14장 예비 [MOSFET 특성 시뮬레이션]

  예비 과제(1) MOSFET 이론에 대해서 예습하라.MOS는 Metal Oxide Semiconductor의 줄임말로서 금속과 산화물로 이루어진 반도체를 의미한다. ... phi_F+ { -Q_d (phi_s = 2 phi_F ) - Q_I} over C_ox&V_T = V_T0 + gamma ( sqrt{2 phi_F - VBS} -sqrt{2 phi_F ... - V_T ) V_D - V_D^2 /2 ]&I_Dsat = 1 over 2overline{mu_n} C_ox W over L( V_G - V_T )^2&V_T = V_FB + 2

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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  컴퓨터의이해 - 다음 문제에 대하여 주요 내용을 ①, ②, ③, ④ 번호를 붙여서 4가지 이상 설명하고 관련된 그림이나 사진을 설명문 본문에 한 장씩만 덧붙인다(1번 과제 그림 총 3장). 단, 1번 과제 전체분량은 A4 용지 1페이지 이상 3페이지 이내이다.

  이 장치들은 상대적으로 느리고 비쌌지만 마그네틱 코어 메모리와 같은 초기 기술에 비해 상당한 발전을 보였다.MOS 메모리: 1960년대 후반, MOS(Metal-Oxide-Semiconductor ... 이러한 슈퍼컴퓨터를 활용한 고급 연산 작업 자체는 고성능 컴퓨팅(High- Performance Computing)1이라고 한다.

  방송통신대 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.03.29

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  ITRS roadmap 2005 Front End Processes 번역정리

  첫째, 금속 또는 metal nitride gate materials의 도입이고 두 번째는 high‑k gate dielectric material의 도입이다. ... 이 oxide의 후퇴는 CMP 처리 및 HF dipping에 대한 deposited isolation oxide의 '경도'와pad, sacrificial의 두께에 따라 달라지며, 모두 ... .1) Poly-silicon gate에서 depleted layer 두께를 제한하기 위해 현재 알려진 한계를 넘어 active p-type, n-type polysilicon gate

  리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  9주차 a-Si LCD 패널 분해(정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)

  일반적으로 a-Si는 Inverted staggered 구조를 사용하고, Poly-Si는 Coplaner 구조, Oxide TFT는 Inverted Coplanar를 사용한다.a-Si ... Metal frame의 홈에 드라이버를 집어 넣어 분리3. Metal frame을 분리한 뒤 파란색 스티커를 제거4. 납땜으로 연결된 부분을 분리5. ... 이전에 제거한 Metal Bezel에서도 터치 필름 분리19. 후면 Polarizer 제거20.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.19 | 수정일 2021.03.20

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