"Silicone dioxide" 검색결과 101-120 / 134건

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  무기화합물명명법

  dioxide 이산화 질소 N2O4 dinitrogen tetraoxide 사산화 이질소Cl2O7 dichlorine heptaoxide 칠산화 이염소 SO2 sulfur dioxide ... .* 혼동되지 않는 경우에는 일-(mono-)은 생략한다.예) HCl hydrogen chloride 염화 수소 HBr hydrogen bromide 브로민화 수소SiC silicon ... carbide탄소화 규소 CO carbon monoxide 일산화 탄소CO2 carbon dioxide이산화 탄소 N2O dinitron oxide 산화 이질소NO2 nitrogen

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.17

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  lithography

  The P.R is stripped from the surface, leaving a window in the silicon dioxide. ... Negative P.R.보다 해상도가 좋음.Fig. 2.6 Resist and Silicon dioxide patterns following photolithography with

  리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  유기박막트랜지스터_OTFT(Organic Thin Film Transistor)

  Examples of vacuum-deposited dielectrics include silicon dioxide and parylene.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.19

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  [공학]기초 반도체 공정

  (800~1200도)에서 산소나 수증기를 silicon wafer표면에 뿌려 산화막을 형성시키는 공정 2 Ways to Add a Silicon Dioxide Layer: Chemical ... 웨이퍼 제조Bridgman growthFloat Zone Growth진성 반도체N-형반도체p-형반도체산화공정산화막형성은 실리콘 집적 회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용되는 공정 ... = so all materials on the wafer must be high-◇ 빔을 웨이퍼에 고르게 퍼지도록 하기 위한 방법 Wafer in process chamber ◇ 실리콘

  리포트 | 161페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.30

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  Lithography

  The most common material is silicon dioxide. ... Method : Dry and Wet etch.Wet chemical etching BOE(or BHF) is commonly useist or silicon. ... Silicon nitride(Si3N4), polysilicon, photoresist, and metals are also routinely used as barrier meterials

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  sheet resistance 측정 실험보고서(4 point probe)

  dioxide/Si*Sample Set 1-Materials: Aluminum-Thicknesses: 3 known samples and 1 unknown sampleThicknessρ ... method.Rs(Ω/㎠)=ρ(Ω/㎝)/t(s≫t)ExperimentStep 1:-Measurement of sheet resistance of Al, Ti thin films on silicon

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.14

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  외부 치장벽돌 백화방지 및 구조 보강 방법

  .◇ 원 인 : 망가니즈 다이옥사이드 (Manganese Dioxide)성분이 빗물,공사물 또는 염산이 용해 됩니다. ... 연수(알카리 성분이 적은물)로 씻어 낸후 완전건조할때까지 기다렸다 수성 실리콘 오일(수성 발수제)를 벽돌과 줄눈 전체에 빠짐없이 도포 시킨다.나.

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.18

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  경피 약물전달 시스템 과 좌제 및 기타 삽입제

  dioxide로 구성된 접착층이 패취는 테스토스테론 결핍의 치료를 목적으로 음낭에 부착한다테스토스테론/ 엔드로덤 (Androderm)5층으로 구성된 패취 (a)ethylene-vinyl ... terephthalate로 구성된 지지체층(b)testosterone,ethylenevinyl acetate copolymer로 구성된 매트릭스 필름 층(c)polyisobutylene,콜로이드 형태의 silicone

  리포트 | 43페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.21

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  lithography

  Dioxide Etch -Poly-si Etch -Silicon Nitiride EtchEtching Technique(wet)Etching Technique(dry)Etching ... 타입 : Isotropic etch : Anisotropic etchEtching TechniqueEtching Technique(wet)Etching Technique(wet)-Silicon ... On a local, atomic scale, thickness variations of 2-3Å are found which are a direct result of atomic silicon

  리포트 | 39페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  Four point probe의 원리 및 실험

  Experiment1) Step 1 :- Measurement of sheet resistance of Al, Ti thin films on silicon dioxide/Si* Sample

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.17

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  전기모터바디

  실리카 SIO2, silicon dioxide 규산무수물 또는 이산화규소라고도 한다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.10

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  [광학]엘립소미터 결과보고서

  실험에서 측정된 실험값으로 광원으로 He/Ne laser(= 632.8 nm)를 사용하고 입사각이 70도로 측정된 결과 다음표)와 같다.시료nkGlass1.50Amorphous silicon4.230.461Siliconcarbide2.730.02dioxide1.445 ... 본 실험에서 사용한 시료는 유리와 실리콘으로 유리의 경우 확실히 어느 정도의 두께를 가지고 있었고 실리콘 또한 수백 옹스트럼 정도의 두께보다는 두꺼웠을 것이다. ... 즉 본 실험에서 사용한 유리와 실리콘은 그 두께가 앞에서 말한 수백 옹스트럼이내가 아니라고 생각된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.22

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  성균관대 열유체공학 실험 열전달(열전도) 실험 결과레포트

  302805548015.13.91AISI 3041670790047714.93.95AISI 316823846813.43.48AISioxide35739110235136.1Titanium dioxide ... 31615.218.321.324.2AISI 34715.818.921.924.7Lead39.736.734.031.4Magnesium169159153149146Nickel16410780.265.667.671.876.2Silicon88426498.961.942.231.225.7Siliver444430425412396379361Titanium59.257.557.858.659.460.261.0Tungsten208186159137125118113Uranium21.725.129.63438.843.949Zinc117118111103여러온도에서의

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.29

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  연료감응형태양전지실험

  실험 방법Titanium dioxide powder(TiO2), P25를 전극으로 사용했다. 투명 전도성 기판은 FTO유리 기판을 사용했다. ... 목적으로 제작된 광전지로서 금속과 반도체의 접촉면 또는 반도체의 pn접합에 빛을 조사하면 광전효과에 의해 광기전력이 일어나는 것을 이용한 것이다.태양전지는 구성하는 물질에 따라 실리콘

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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  [공업화학실험] 박막재료의 표면 처리 및 식각 공정

  Silicon dioxide는 전기적 절연체이고 보통 thermal oxidation에 의한 상황에서 만들어진다. ... 알루미늄은 실리콘과 실리콘 dioxide에 잘 붙으므로 쉽게 vacuum deposition 할 수 있고 알루미늄은 높은 전도도를 가지고 있다. ... ◎반도체 공정 종류{-Oxidation-Silicon dioxide layer의 형성은 집적 회로 제조에 있어서 가장 빈번하게 사용되는 과정중의 하나이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.01.20

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  [반도체공학]박막증착

  그 중에서ㆍ절연체- silicon dioxide, silicon nitride.ㆍ도체- 알루미늄ㆍ반도체- 실리콘일반적으로 CVD박막은 표유 스테레스(stray stress)가 적고 ... 박막에칭4-1 Etching Silicon Thin Filmsㆍ폴리실리콘은 습식-화학적 식각으로 등방성으로 식각된다. ... ·SiO2의 비등방성 에칭은 ion-assisted 플라즈마 에칭법 사용.4-3 Etching Silicon Nitride·실리콘 질화물의 습식 etchant는 140-200oC에서

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  식품생명공학-기능성식품성분

  .* 이산화규소) [二酸化硅素, silicon dioxide]: 지각에서 가장 풍부한 규소와 산소로 이루어진 화합물. 규산무수물이라고도 한다.

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.11.22

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  기체의 열전도성 결과

  눈금실린더에는 약 2㎖의 실리콘 용액이 들어있다. 파스테르 피펫의 끝은 1∼2㎜정도 실리콘 용액에 담겨져야 한다. ... over {-2.04 }×100=7.84%2 Methane{{ LEFT | -0.355 -(-0.32)RIGHT | } over {-0.32 }×100=10.94%3 Carbon Dioxide ... 열전도도 계수와 전압 신호의 실험치{·10-2／(W/mK)lnU／VHelium15.742.76-2.04Methane3.741.32-0.32Air2.801.030.00Carbon Dioxide1.830.60

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.21

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  [재료공학,금속공학] Polishing 그리고 Gray cast iron

  Dioxide Etching.SiO2는 화학적 반응 및 Ion Bombardment의 도움으로 etching이 된다.여기에 Polymer를 형성하는 Polymerization은 etch를 ... 특히, 많이 쓰이는 Chlorine을 사용한 Silicon etch를 알아보면 다음의 일련의 과정을 거쳐서 Etching이 되게 된다.① Poly Silicon 측벽보호를 위해 Cl ... Etching.Poly Silicon은 여러 가지 Gas를 이용하여 etch가 가능하다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.03

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  [레이저학]치과용 탄산가스 레이저 소개

  first LASER..PAGE:6역사1964년 패텔최초로 탄산가스를 매질로 한 탄산가스레이저를 개발1964 - Kumar Patel invented the CO2 (carbon dioxide ... 레이저최대출력 25W(CW), 10W(super pulse)인 탄산가스 레이저CO2 tube 내장냉각시스템 펌프에 의한 증류수 순환기류(air-flow)시스템 공기 압축기를 이용실리콘

  리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.02.01

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