"V2O5-doping" 검색결과 101-120 / 121건

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  [OLED]오믹컨텍트, T-T annihilation, work function

  been prepared so that the current-voltage (I-V) curve of the device is linear and symmetric. ... -21.2 Ohmic Contact의 목적-31.3 Ohmic Contact의 방법-31.4 Ohmic Contact에 요건-31.5 Schottky contact와의 차이점-32. ... 흘렀다가 OFF되는 현상을 말한다.Ohm contact은 마찬가지지만, N-type 쪽에 doping 농도를 더욱 높힘으로써 경계의barrier의 폭을 크게 줄여서 electron이

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.15

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  F E D (Field Emission Display)

  전계 방출 이론5장. FED의 구조 및 원리5-1. ... 원형 패턴의 개수는 하나에서 2.5×107 개/cm2 정도의 범위를 갖는다. ... 있으며, 여기서 activator는 host lattice에 수ppm에서 1~2%까지 섞여 있고 co-activator라고 불려지는 charge compensator나 donors

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.13

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  염료감응 태양전지의 소개

  In2O3 (ITO), F-doped SnO2, ZnO 등 다양하다.Principle of dye-sensitized solar cellsEOCe-R-/RCBVBFermi levelDyee-ACounter ... solar cells fabricationElectrode지금까지 연구된 산화물은 주로 TiO2, SnO2, ZnO, Nb2O5 등이다. ... (광전효과)는 photon-irradiation(i.r., visible or u.v.)에 의해 자유전자(전도전자 포함)를 생성하는 현상.

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.13

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  [MEDICI] MEDICI

  on dopingREGRID DOPING LOG RATIO=3 SMOOTH=1 IN.FILE=MDEX2DSPLOT.2D GRID TITLE="Example 2 - 1st dOPING ... 2 carriersSYMB NEWTON CARRIERS=2COMMENT Setup file for I-V dataLOG OUT.FILE=MDEX2FI/*bjt5.inp를 보면 알겠지만 ... TITLE="Example 2 - 2nd Doping Regrid" SCALE FILL/* 두 번째 도핑이 된 후의 그림*/COMMENT Extra regrid in emitter-bass

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.03

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  광펄스시험기(광섬유시험기) 동작원리

  αR = 4.61 ×10-4[np/m](2[㏈/㎞]), v= 3×108[㎧], P0=10-7[s]=100[㎱]이면 Pb=-46.6[㏈]이 된다.○ n1=1.453, n2=1.450인 ... [그림 6-3-6] 접속 손실의 측정(2) 5점법(5 point method)실제 측정에서 후방산란광은 [그림 6-3-7]에 표시된 파형으로 되어 있지만 접속점에서 이상적인 것은 수직으로 ... 단일모드 광섬유인 경우αR = 0.15 × 10-4[np/m](1.3[㎛], 0.5[㏈/㎞]), v = 3×108[㎧] , P0=10-7[s]=100[㎱]이면 Pb=-60.3[㏈]

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.20

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  [나노] SnO2 나노 센서

  된다.O2-(s) → 1/2O2(g) + V0, V0 → V+0 + e-V+0 → V++0 + e- (1)O-(s) → 1/2O2(g) + e- (2)s : surface, g : ... 그 방법은 계면활성제인 nonyl phenyl ether (9)/(5)(NP9/5)와 NaCl flux의 존재하에 SnCl2•2H2O와 Na2C2O4 사이에서의 화학 반응을 통해 형성된 ... 대기중, 고온에서 annealing을 하면 SnO2의 표면에서는 많은 수의 O2- 격자를 잃게 되고, 아래 식을 거쳐서 O-와 산소 vacancy가 형성이 되어 n-type 반도체가

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.19

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  OLED의 구동원리 및 기술동향

  에너지가 5.4 eV에 불과하여 증착된 박막의 정공 이동도가 10-3 cm2/V로 높아서 정공 수송 재료로 이용된다. ... 기판 상에 양극 전극은 투명 전극으로 ITO(In2O3 : SnO2 = 90:10∼95:5)를 진공증착 또는 Sputtering 에 의해 형성한다. ... 이는 ITO 전극의 일 함수(4.7∼5.0eV)와 정공수송층의 이온화 에너지를 고려하여 일 함수가 비교적 낮은(5.0∼5.2 eV) 유기물을 선정하여 양극으로부터 정공수송층으로 정공의

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.20

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  전도성 고분자를 이용한 위장질환 검지용 마이크로 센서의 제작

  airCO2(350ppm)H2O(RH 80%)감지막의 가스에 대한 광 변화특성(3)Current (uA)Voltage (V)(a)(b)(c)(a) light off (b) gas injection ... Water 100 mlStirringElectrochemically polymerizationPotentiostat ( 0.5 V, 0.2 mA )전기화학 중합법(1)전기화학 중합법 ... 위장 내 적용 가능한 센서 제작전도도 변화 센서의 동작원리Absorption of gas moleculesProtonate/deprotonate from polymerProton-doped

  리포트 | 60페이지 | 7,000원 | 등록일 2006.12.12

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  [표면공학실험] TiO2 광촉매 제조

  뿐만 아니라 산화물 반도체의 광산화 반응 활성도에 있어서도 TiO2(anatase) > TiO2(rutile) > ZnO > ZrO2> SnO2> V2O5의 순으로 알려져 있고, 그 ... TiO2(rutile)> ZnO > ZrO2 > SnO2 > V2O3 의 순으로, TiO2가 가장 큰 활성도를 보이고 있다. ... 이러한 난점을 해결하기 위하여 Fe3 + , Cr3 + , Li3 + , In3 + , W6 + , Nb5 + 등 여러 가지 금속이온을 반도체에 혼입(doping ) 하는 방법이 최근

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.27

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  [반도체공학]반도체공학 요점정리

  하나는 산화에 산소 Gas만을 쓰는 건식(Si (solid) + O2 -> SiO2 (solid))과 다른 하나는 수증기를 쓰는 습식(Si (solid) + H2O -> SiO2 ( ... V=νλ▲Schrodinger Equation :Time-Independent→▽2ψ+(2m/h￣2)(E-V)ψ=0, Time-dependent→▽2ψ+(2mV/h￣2)ψ-((2mi ... 주입함으로 non-gaussian 분포를 얻을 수 있다.5) 수평적인 확산이 적다.

  시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.04.27 | 수정일 2014.06.30

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  [재료공학] 초음파 분무 분해법의 종류와 박막증착

  102 cm, 2.4 1019 cm3 and 1 10-5 cm-2 S-1 V-1, respectively.ii) Ni2Co2O4Thin films of NiCo2O4 were prepared ... The resistivity decreased to 6 10-4 for 1-8 wt.% doping range and increased above 8 wt.% five-fold. ... The electroreduction of O2 on pure thin oxide films of composition NixCo3-xO4 (0 x 1.8) deposited onto

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.12

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  [latch up]Well formation in cmos

  Non-Metal AshingO2 Plasma PR Ashing O2 plasma를 가하면 O2가스가 유기물의 구성 성분인 C, H와 반응하여 CO, CO2, H2O, OH를 만들어내어 ... 유기막을 식각O2O*CHCHCOOHOOCPlasmaSubO*TempFormation of Active LayerAPCVD OXIDE-. ... WELL Doping Profile (Dose) -. Transconductance , Vt, S/D Punchthrough -. Body Effect -.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.11

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  [광통신]광통신 공학 실습

  전류 보다 약간높은 전류값을 가지는 전압에서 동작 [1.2~2V]※ LD의 온도 특성- 온도가 상승하면 다이오드의 이득이 떨어져증가한다.- n층에서 열적으로 생성된 정공과 p층에서 ... □ 1 주차 Ge, si 다이오드의 특성다이오드는 재질에 따라 전위장벽(문턱전압)이 다릅니다.물론 전류량에 따라 전압이 다르지만 보통 SI는 0.7V정도이고, Ge 는 0.2~0.3V정도 ... 결합효율(단면발산 광원 [surface emitting LED])- Lambert 패턴이라는 복사 패턴을 가진다.- 전력이 cos에 따라 감소- O는 바라보는 방향과 표면의 수직선

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.01.13

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  [신소재공학]실험-첨가물에 따른 웨이퍼 강도

  40시간전에 50±5%의 상대 습도를 갖게 한다.(3) 시편 수 - isotropic materials의 경우restwich.ndirect.co.uk/fsrv/materials.htm-http ... 이 기기는 특정 테스트 속도에서 관성이 없어야 한다.Micrometers - 테스트 시편의 폭과 두께를 측정하는데 사용(2) 테스트 조건 - 23±2℃의 온도와 테스트에 앞서 최소한 ... 알키드 에나멜(alkyd enamel)이나 도프(dope)와 같은 전형적인 페인트들은 솔벤트(solvent)를 함유하고 있으며, 도색 후 이 솔벤트가 증발하면서 남아있는 점성 물질에

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.18

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  [광통신] 광섬유 제작과 조건과 그 공정(MCVD)

  5 - Si O sub 2- doping level 에 따라 영향을 받는다. ... sub 2- {G e O sub 2, cladding : F - {P sub 2 O sub 5mode를 결정하기 위해서는 NA와 index difference를 알아야한다. ... (material dispersion 의 영향을 받는다.)· {P sub 2 O sub 5 - Si O sub 2- little vibration of {alpha sub opt·

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.04

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  [화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서

  불순물도입공정 : 이온 주입법, 열확산법, 이온도핑법 ,등◆ 불순물 도입 (Impurity Doping)- 불순물 도입이란, Si 기판중에 B, As, P 등의 Ⅲ 가 및 V 가 족 ... 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.⑥ 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 ... 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용5.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14

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  [반도체] PN Junction Diode

  10}^{-19 } )(8.854 TIMES { 10}^{-14 })(11.7) {(2.5 TIMES {10 }^{-3 } ) }^{2 } (2.26 TIMES { 10}^{20 ... OH-이온이 산소보다 분자수가 적기 때문에 훨씬 빨리 산화실리콘을 확산해서 짧은 시간에 산화막이 성장한다.Si + H2O → SiO2 + 2H2⊙ Diffusion확산이란? ... 전체 전류는I~=~I_i -I_s ~=~ Ae^qV/kT ~-I_s양단에 전압 V=0일 때,I~=~O~=~Ae^0 -I_s ~~~~~~~~∴A~=~ I_s따라서, 일반적으로 다이오드

  리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.02

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  [전자세라믹스] 전왜 액츄에이터 (Electrostrictive Actuator)

  Swartz와 Shrout는 MgO와 Nb2O5를 먼저 반응시켜 MN (MgNb2O6)의 전구체 (precursor)를 형성한 후 PbO를 반응시켜 perovskite 단일상의 PMN을 ... 그림은 순수한 PMN과 La-doped PMN의 분역을 보여주는 TEM사진이다. ... 이 방법은 PMN 뿐만 아니라 PMT (PbMg1/3Ta2/3O3), PNN (PbNi1/3Nb2/3O3), PST (PbSc1/3Ta2/3O3)와 PIN (PbIn1/3Nb2/3O3

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.02.22

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  [전자공학] 솔리톤(sliton).고립파

  그러므로 10G㎐의 전송시스템을 위해 약 2.5㎽의 평균 출력이 필요하다. ... {새로운 변환값 v( z, Δω) Δω = ω - ω0 을 준다면,{이 되고,{이 식은 1차원에서 자유로이 움직이는 선형 슈뢰딩거 방정이다. ... 고든하우스한계에 따른 전송속도와 전송거리의 곱은 대략 2만4천G㎐-㎞이며 이 한계 내에서는 안정된 솔리톤 전송이 이루어져 신호전송의 신뢰도가 확보된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.02

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  [환경] voc's 산화용 저압차 반응기

  시간은 2분 이상이면 적당하나, 2.5분이 10분으로 늘어난다고 더 많이 붙는 것은 아니다. ... VOCs제거에 있어, Pt/Al2O3 보다 뛰어난 활성을 보이는 Pt/TiO2를 촉매로 선정하였다. ... 코팅된 표면 육안 관찰시간(분)전압(V)Adhesive(g)25501001502.50.01IrregularPartiallyuniformPartially uniformIrregular5IrregularUniformUniformUniform

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.09.24

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