"silicone hydrogel contact Lenses" 검색결과 101-120 / 152건

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  Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션)

  or out of the se miconductor.Sequence of Ohmic contact 1. ... to contact, [Ω-cm2] (b) Rc(Contact resistance) – the contact resistance [Ω-mm] (c) Rsh(Sheet resistance ... (a) rc (specific contact resistance) – the contact resistance of a unit area for current flow perpendicular

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03

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  원자 현미경

  .* Non-contact mode의 AFM에서는 원자사이의 인력을 사용하는데 그 힘의 크기는 0.1-0.01nN 정도로 시료에 인가하는 힘이 contact mode에 비해 훨씬 작아 ... (e)는 스캔 방향이 반대인 경우의 LFM 신호. ... 따라서, contact mode에서 얻어지는 LFM의 측정 결과를 해석할 때에는 AFM 측정 결과와 비교해서 LFM의 밝기 변화가 시료 표면의 모양 변화에 따른 표면 지형도의 정보(

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.07

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  PN 다이오드공정설계

  thick = 0.9# n+ diffusion for ohmic contact - cathodedeposit oxide thick=0.7 div = 4etch oxide start ... 또한 전류 Path를 이 영역으로 국한 시킴으로서 Leakage Current또한 줄여 줄 수 있다.또한 Anode(p+) 영역에서 Cathode(n+: Ohmic contact) ... x=2.5 y=-10etch cont x=2.5 y=1etch cont x=4 y=1etch done x=4 y=-10implant phosphor dose= 1e16 energy

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  Design and fabrication of electrowetting microfluidic devices

  contact angles on hydrophobic treated silicon wafer and the calculated surface energy by Lewis Acid/ ... then partially screen the applied electric field [E. ... liquids small satellite droplets observed due to the mutual repulsion of like charges at the contact

  리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.08

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  [반도체공학]저항성접촉10

  )를 tunneling⑦ Ohmic contact 모형2. ... Ohmic contact (저항성 접촉)1) Schottky(장벽) , Ohmic(접촉) ??????????????????????????????????????????????????? ... (5)⑤ 다결정 실리콘 - 실리콘 ( polycrystalline Silicon - Silicon ) ????????????????

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.13

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  [반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 PN Diode 설계 자료입니다.

  또한 전류 Path를 이 영역으로 국한 시킴으로서 Leakage Current또한 줄여 줄 수 있다.또한 Anode(p+) 영역에서 Cathode(n+: Ohmic contact) ... c.boron=1e17 twostruc outfile=mesh.strtonyplot mesh.str2) N type의 Well 생성deposit oxide thick=0.8 div ... =120 temp=1000 C.phosphor=5e18diffuse time=120 temp=1000 nitroetch oxide alltonyplot3) p 로 Doping 하기

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.12

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  three cups of tea

  to live in a world where different cultures have to live in close contact with each other. ... Finally, Mortenson was introduced to Jean Hoerni, a Silicon Valley pioneer. ... He promised the kind people who took care of him he would return and build a school for the village especially

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.20

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  e-beam lithography

  Lab 「Photo lithography 」 http://www.siliconfareast.com/lith_electron.htm http://www.nmaker.ru http:/ ... cost, easy to use Use variety of materialmacro-contact printingLithography의 응용(4/4)Dip-Pen nano lithography ... 제한됨 UV light 사용Lithography의 응용(3/4)Soft Lithography Elastomer(ex:PDMS)스탬프를 이용, Pattern을 그리는 방법 Macro-contact

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.25

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  고분자물성

  (h=50m=30m=8m)1.다음은 실리콘고무의 화학적 stress relaxation time을 나타낸 표이다. ... 3.hydrogel은 무엇인지 설명하라.4.클로로프렌을 30℃에서 톨루엔용액에 담궈 놓았더니 부피가 4배로 팽윤되었다. ... 이때 수평이동인자에 관한 WLF 식을 사용하여 온도 -20℃에서 E가 같은 값에 도달하려면 얼마나 긴 시간이 걸리는가를 계산하여라.

  시험자료 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.08

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  [영어발표] 영어발표-렌즈관리

  So, I will explain how to use and care it correctly.At first when you screw open the case, lenses should ... You can extract easily by using the suction.The most important thing is to keep and care the lenses.You ... , 렌즈를 안전하고, 오래동안 사용할수 있습니다.In my neighborhood, there are many people who suffer from ill effects by contact

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.05

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  NMOS공정설계

  and contact cutdiffuse time=100 temp=1030 nitroetch oxide start x=1.2 y=-5etch cont x=1.2 y=1etch cont ... = 12 spac =0.5line x loc = 13.5 spac = 0.05line y loc = 0 spac = 0.05line y loc = 5 spac = 0.5init silicon ... c.boron=1.0e15 twostruc outfile=mash.str#LOCOS startdeposit oxide thick=0.02 div = 4deposit nitride

  리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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  sams (Self-Assembled Monolayers )

  PDMS 스탬프가 제작되어 지면 이를 이용하여 micro contact 인쇄를 사용하거나 micromolding을 사용하여 50nm 정도의 나노패턴을 생성시킬 수 있다.soft Lithography공정 ... dipole-dipole force) 분산력 (London force) 수소결합 (hydrogen bonding)분자간 힘1) 이온 이중극자 힘2) 이중극자-이중극자 힘3) 분산력e-e-e-e-e-e ... 실리콘 웨이퍼 표면에 전자빔 lithography를 이용하여 양각 pattern이 새겨진 master 만듦. Ⅱ.

  리포트 | 59페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.11

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  제로화하우스설계

  설계설계 계산.◎ 여름철 냉방시스템○ [가정] Steady State The layer in excellent thermal contact, i.e.no temp. difference ... 설계설계 계산.◎ 겨울철 난방시스템○ [가정] Steady State The layer in excellent thermal contact, i.e.no temp. difference ... 셀렌광전지, 아황산 구리 광전지, 반도체 pn접 합을 사용한 것인 실리콘 광전지2.

  리포트 | 36페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.12.12

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  실리콘 태양전지 (Si solar cell)

  태양전지의 직렬저항 성분에는 앞서 기술한 표면층에서 넓이 저항 외에 오믹 콘텍트(ohmic contact)부에서 저항성분이 있다. ... Passivated Emitter and Real Locally-Diffused Cell (PERL)e) Buried Contact Solar Cell (BCSC)최근 10년간 단결정 ... 레이저나 mechanical scriber를 이용하여 전면에 홈을 형성하여 전극이 홈 내부로 형성되어 있는 것이 구조적인 특징이다.그림 8.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.12

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  유기물반도체

  metal after deposition onto the underlying active organic materials),④차가운 용접법(lamination of contacts ... 처음에는 미국의 MIT 출신 연구자들이 필립스와 함께 만든 이잉크(E-Ink)사를 통해서 흑백색소를 담은 캡슐이 전기신호에 따라 아래위로 움직이면서 흑백영상을 구현하는 기술을 개발했음 ... 실리콘기반의 전자소자보다 비싼 실정임.기로 바꾸는 원리를 이용함.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.23

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  LED 원리 및 Technology

  Chui et. al., .High-efficiency AlGaInP light-emitting diodes,E. ... designs by; • No attenuation of lighelectronics can be integrated into silicon, enabling a range of ... Current is injected through the bond pad and a square frame along the edged of the n-type top contact

  리포트 | 26페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.08.27

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  SIMS에 대하여

  /s  Average implant concentration : 1×e15cm-2/0.74um=1.35×e19atom/cc  Silicon ion counts : 2.2×e8/sRSF ... = CI × IM / II = 1.35×e19atom/cc (2.2×e8s- / 2.692×e4s-) = 1.092×e23atom/ccRSF equationCE = RSF × IE ... , 동위원소 측정Mass spectra from surfaces of bare silicon (left) And RIE silicon (right)Mass Spectrum Scanning

  리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.09

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  [재료공학] STM과 AFM의 원리와 응용분야

  Silicon , silicon nitride로 만듦 길이 100-200㎛, 넓이 40㎛, 두께 0.3-2㎛ non-contact 방법에서는 작동하는 진동 주파수의 범위가 넓어야 한다.AFM에 ... NON-CONTACT AFMAFM의 측정방법 3가지AFM에 대하여Contact mode 와 Non-contact mode의 단점을 보완 캔틸레버가 공진주파수로 샘플표면을 두드림 샘플의 ... 대하여Tunneling 효과 전자의 파동성 때문에 전자가 고체의 표면을 뛰어넘어 뚫고 나가는 현상 터널링 된 전자를 발견할 확률은 표면으로부터의 거리가 증가함에 따라 지수함수적으로 감소e-ZOOM

  리포트 | 21페이지 | 30,000원 | 등록일 2007.05.21 | 수정일 2019.06.18

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  [공학]Al thin film and PVD

  plate for good thermal contact - heating - Warpage, changing deposition rate 2. ... Al alloy - Enhanced properties for certain interconnect requirement - Superior contact formation characteristics ... Step coverage and via/contact hole filling by sputtering 1. step coverage(%) = (ts / tn) × 100 - depended

  리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.05

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  반도체 제조 공정

  Silicon 상태의 chip이 그 상태로 사용되기 어렵기 때문에 packaging의 가장 큰 목적은 chip을 외부의 물리적 충격이나 전자기장, 습기 등으로부터 보호하여 부품으로써의 ... tester로부터 오는 전기적 신호를 wafer 상의 device에 전달하기 위한 중간 매체로써 일반적으로 board와 contact pin이 함께 구성되어 있다. ... 현재 4 , 5 , 6 , 8 , 12 를 사용하고있으며 향후 점차 적으로 커지게 될 것이다.Photomask설계된 회로패턴을 E-beam 서리로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE

  리포트 | 63페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.27

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