"강유전체 메모리" 검색결과 121-140 / 166건

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  반도체 종류 및 원리

  강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리이며, 읽기 쓰기가 모두 가능한 메모리로 휘발성 ... 자성체(磁性體)소자를 이용한 비휘발성 고체 메모리로써 마그네틱램(Magnetic RAM) 또는 자기(磁氣)메모리라고도 한다. ... 메모리 제품메모리는 데이터나 프로그램의 명령과 같은 정보를 기억하는 장치로서 무엇으로 만들어 졌느냐에 따라 반도체메모리, 카세트테이프, CD, LD 등이 있으나 여기서는 반도체 메모리를

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.02

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  [반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산

  FRAM(Ferroelectric Fandom Access Memory)- 강유전체 메모리라고 불린다.- 전원을 꺼도 정보가 소실되지 않는 비휘발성 특징- 플래시 메모리와 비교해 낮은 ... 가지고 있는 유전체 물질? ... 차세대 메모리 F램과 M램이란?

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28

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  수열합성

  BaTiO3의 수열합성 ◎ 특성 : 높은 유전율과 열안정성 → 강유전성 압전성 ◎ 활용분야 : 케페시터, 서미스터, 센서, 통신용 필터, 마이크로웨이브필터, 대용량 메모리 (NVM) ... 분류금속 등을 고온고압의 물로 직접 산화해서 산화물을 만드는 방법으로 도중에 수소화물 등을 경유하는 경우에는 반응 시에 화학적 분쇄가 일어나 미분체가 되기쉽다. ... . ◎ 장점 1) 반응속도가 빠르다. 2) 분산성이 좋다.균일한 결정상을 갖는 고용체나 화합물의 제조 용이3) 입경, 형상, 입도분포, 조성 및 순도의 제어 가능 수열합성의 조건(압력

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.27

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  [DRAM]DRAM의 구조와 동작원리

  물질로 사용중인 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(Si3N4)등은 유전율이 매우 낮아 256M D램 이상 고집적 반도체 생산에 적용하기 위해서는 capacitor의 구조를 ... 1pF이고 연결된 선의 저항이 10 이라면 RC time constant는 10-12이지만 이것이 많이 모여진 IC내에서는 반응시간에 엄청난 영향을 받게 된다.또한 D램의 커패시터 유전막 ... RAM은 다시 시스템 메모리나 그래픽 메모리로 사용하는 DRAM(EDO RAM, SDRAM, RDRAM등)과 cache 메모리로 사용하는 SRAM으로 구분한다.따라서 흔히 메모리라고

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.17

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  Nano Material

  응용 ① 아민이 함유된 TiO2-SiO2 hybrid 촉매 제조 ② Lead zirconate titanate PZT film (페롭스카이트 PZT) : 프린터 드럼 등에 사용, 강유전체 ... / 압전체 세라믹 소재 ③ TiO2 나노입자 : 가스센서, 촉매, 절연체, 색소, 태양전지 등에 사용 (2) 제올라이트 - Al 과 Si 이 산소원자를 중심으로 3차원으로 배열된 ... webzine_uploadfiles/289_article.pdf)(4) 나노입자 - 100nm 이하의 알갱이나 클러스터를 의미 초미세 구조의 성립, 소결온도가 낮음, 광전자적 물성 발현, 자성의 증가에 따라 메모리

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.28

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  미국의 이해 A+ 미국여행 계획서

  바로 인텔의 메모리 반도체 시장의 포기이다. 사실상 인텔이 만들어 낸 시장인 메모리 반도체는 위기에 빠졌고 미래를 내다본 앤드류 았다. ... ◇롱비치 항◇롱비치 항은 1911년 6월24일 로스엔젤레스 강 입구 의 갯벌에 800에이커 크기의 항구로 개항되었다. 아 시아와 미국의 무역의 관문이라고 할 수 있다. ... ●우선 롱비치에 대해 설명하자면 미국 캘리포니아 주 남서부, 로스엔젤레스 남쪽에 위치한 관광, 항구도시로 근대적인 항만 시설을 갖추었으며, 1920년에 유전이 발견되면서 산업발달의

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.11

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  [영문]반도체의 역사

  이외에도 강유전체를 이용한 메모리 소자, 상전이를 이용한 메모리 소자 등, 여러 가지 물질을 제안하고 있고, 각각의 회사에서는 각기 다른 분야를 연구하고 있다. ... VLSI는 컴퓨터의 주기억장치(메모리), 중앙처리장치(CPU), 전자제품의 제어용 부품 등에 쓰이게 되었다.최근의 기술은 수 백만, 수천만 개 이상의 소자가 집약된 반도체가 실용화되고

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.24 | 수정일 2014.06.30

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  나노 테크놀러지

  예를 들면, 강자성체를 계속 분할하면 단일 자구가 되고, 분할을 더 계속 하면 자기 이방성 에너지가 자화 방향의 열 요동에 꺾이어 강자성이 소멸되어 초상자성 상태로 된다.금속 나노 ... 극단으로 낮은 유전율을 가진 새로운 재료를 투입하는 등, 물질의 나노구조를 제어함으로써 비로소 가능하게 될 새로운 재료의 개발이 불가결하다고 생각된다. ... 하나하나의 원자분자를 조작할 수 있다면 바늘 끝 정도의 공간에 백과사전의 내용을 모두 기억시킬 수 있는 초고성능 메모리를 실현할 수 있다.

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.10.27

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  나노기술

  나노기술응용생물, 농업 유전자/약물 수송, 원격 진단정보기술 테라스토리지, 자기 메모리, 양자 컴퓨터생명 공학 나노바이오센서 나노 생체 로봇운송 초경량 고강도 자동차, 항공기의료과 ... -자성재료의 결정립이 작아지면 거대자기저항(giant magneto-resistance GMR )을 띤다 -강자성이 아닌 결정립의 나노결정립 재료에서 입계는 강자성을 띄는 경우(ferromagnetic ... 나노제작기술 (계속)(2) Bottom-Up 방식 -원자나 분자 하나하나를 쌓아서 크게 만들어가는 방법 -생물체의 성장 모형에서 자기 성장이 가능해졌다.

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.30

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  증착기를 이용한 반도체 공정

  보통 PVD 증착법으로 고품질의 증착면을 얻을 수 있습니다.각각의 증착법이 이용되는 분야는, CVD는 LED 제조에 많이 쓰이고 PVD는 PDP에서 금속 전극 및 유전체 증착과 도금 ... 수 있고 생산성도 우수합니다.MOCVD는 현재 널리 활용되기 시작한 대형전광판 및 색채영상, 그래픽, 표시소자, 교통신호등 등에 이용되는 발광소자를 생산하는 데 필수적이고 특히 강유전 ... 물질을 이용한 메모리 소자의 제작에도 사용됩니다.② PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion)Chemical vapor를 진공상태의 Chamber에

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21

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  [물리] PZT

  강유전체와 FRAM이란?강유전체의 정의는 "자발분극을 가지고 있으며, 외부 전계에 의하여 분극 반전을 일으킬 수 있는 물질" 이다. ... TiO3(BST)등 많은 강유전체가 발견되었다. ... DRAM과 다른 점은 강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리라는 점이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.22

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  교토식 경영 벤치마킹

  *그 중에서도 지난 84년 레이저를 이용한 반도체 가공 기술을 세계에서 처음으로 개발한 사례나 94년 세계 최초로 만든 차세대 강유전체 메모리 소자, 99년 개발한 휴대폰 음원 LSI

  리포트 | 145페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.16

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  사업계획서 발표자료

  비메모리 센서의 개발에도 투자NaNo Coperation▷기존 강자성 강유전체가 갖는 물성의 한계를 극복하는 기술로써 우수한 전기적 물성이나 새로운 특성을 획득하고자 하는 아이디어 ... 강유전체 각각에 대한 나노영역 에서의 물리, 화학적특성에 관한 연구를 오랫동안 수행한 결과 통상적 기존의 물질크기 영역에서 강유전체와 강자 성체의 적층(박막) 혹은 접합체에서의 자기저항 ... ▷국외에서는 강자성-강유전체 연구로 1962년부터 smolenskii등에 의해 연구가 수행되기는 하였으나 강자성과-강유전성의 공존은 확인되지 못하였다.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.06.15

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  [기억장치] 메모리(MEMORY) 프리젠테이션 자료

  사용차세대 MEMORY→ MRAM(Magneto-resistive RAM) - 터널 접합 전극의 자화 방향으로 Data를 저장 → FRAM(Ferro-eletric RAM) - 강유전체 ... EEPROM (Electrically Erasable PROM)RAM(Random Access Memory)→ 컴퓨터에서 정보나 명령을 판독.기록할 수 있는 기억장치 (휘발성) → 어떠한 메모리

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.05.25

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  [경영전략] 반도체 산업

  박막 공정배선 신뢰성고집적화 공정개발강유전체 박막 공정온도 저하상업화 공정개발기본특성 향상자료 : http://infothe.com/(반도체), 2002.▶ MRAM(Magnetic ... 산업 이 많이 필요할 것으로 판단됨▶ FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자로서 강유전체 ... 삼성반도체의 비메모리 육성방안Ⅰ.반도체산업의 개요와 역사1.반도체(소자)의 정의○ 반도체란 전기가 통하는 전도체와 전기가 통하지 않는 절연체의 중간적인 특성 을 지닌 물질을 의미함○

  리포트 | 39페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.05.30

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  [반도체] Fram과 강유전체

  이 분극 파괴형 소자를 불휘발성 메모리에 적용하기 위해서는 전기용량이 25 fF이상이 되어야 하며, 강유전체의 잔류분극은 약 10 C/cm2 이상으로 커야 하나 유전율은 높아도 적용에는 ... 그림은 대표적인 강유전체인 Perovskite 결정구조를 나타낸다. ... 나노에서 마이크로 초 크기의 과도전류의 응답에 대한 물리적 이해, 그리고 강유전체의 절연파괴 특성에 대한 정확한 이해가 요구된다.강유전체를 이용한 불휘발성 소자를 어떻게 구성하느냐에

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.02

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  [재료공학, 전자공학] MRAM과 FRAM

  FRAM은 간단히 말해 DRAM 각 셀의 커패시터 유전체를 강유전 박막으로 대체한 것이기 때문에 (i) DRAM 공정과 호환성이 높아 쉽게 고집적화가 가능하며, (ii) 정보의 쓰기 ... 연구 개발이 진행중이며 일보는 상용화되고 있다.1) MRAM의 기본 원리MRAM은 미소 자성체의 스핀을 정보원으로 하는 비휘발성 고체 메모리라고 할 수 있다.기존 DRAM에 비해 ... 현재 활발히 진행되고 있는 비휘발성 메모리 소자로써 FRAM과 MRAM이 있으며, 이와 같은 비휘발성 메모리 소자의 적용분야는 거의 모든 휴대용 정보기기로 확대되고 있는 추세이다.1

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.16

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  [평판디스플레이]평판디스플레이 및 형광체

  특성 및 요구조건형광체의 요구특성으로는 휘도, 색도, 유전율, 표면전위, 내열성, 내스퍼터성이 좋아야 한다. ... AC PDP의 방전현상과 안정적인 구동법을 이해하기 위해서는 유전체의 벽에 쌓인 벽전하 및 벽전압을 정량적으로 측정할 필요가 있다. ... 격벽과 신호 전극을 덮고 있는 유전체위에 도포한다PDP 내부는 He, Ne, Ar 또는 이들의 혼합체와 Xe의 혼합기체를 사용하여 봉입한다.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

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  [신소재]Nanostructured Materials

  간혹 강자성을 띄던 재료가 약자성 혹은 상자성을 띄는 경우도 있으며 강자성이 아닌 결정립의 나노결정립 재료에서 입계는 강자성을 띄는 경우도 있다전자기적특성3. ... 분석/조작 ㆍ분자공학으로 제작된 생화학적으로 분해 가능한 화학물질 ㆍ동식물의 유전자 개선 ㆍ동물에의 유전자와 약물공급 ㆍ나노배열에 기반한 분석기술을 이용한 DNA 분석ㆍ새로운 배터리 ... 제조의료ㆍ낮은 전력소모, 저 생산비용을 갖고 백만 배 이상의 성능을 갖는 나노구조 - 마이크로프로세서 소자 ㆍ10배 이상의 대역폭과 보를 수집 처리하는 집적화된 나노센서시스템 ㆍ정보저장, 메모리반도체

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.01.12

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  [강유전체] FRAM재료

  PZT강유전체와 FRAM이란?강유전체의 정의는 "자발분극을 가지고 있으며, 외부 전계에 의하여 분극반전을 일으킬 수 있는 물질" 이다. ... DRAM과 다른 점은 강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리라는 점이다. ... TiO3(BST)등 많은 강유전체가 발견되었다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.01

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