"소자 전도도 변수" 검색결과 121-140 / 220건

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  EMI EMS EMC

  구성도* a1, a2는 독립변수이고, b1, b2는 종족변수임3. 구성요소? 1포트에서 입사파(a1) = Vi1/sqrt {Z}1? ... EMI 발생 : 전도 또는 방사전자파의 발생원, 전파의 전달매개체, 수신된 신호에 의한 해 로운 영향 등? ... 고주파회로를 설계하는데 R, L, C 등 각종 능동소자가 미치는 영향이 매우 큼?

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.05

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  저항형 초전도 사고전류제한기 사고 후 저항발생 특성 모델링

  저항과 초전도소자를 이용한 가상회로.저항과 초전도체 소자를 이용하여 (그림 4) 와 같은 가상의 사고회로를 구성한다. ... SFCL은 샘플홀더(Sample Holder)를 통해 고정시시고, 실험 중 냉각을 위해 초전도체 소자는 액화질소용기 안에 담가둔다. 유효치 80, 120의 전압과 사고각 ... 이에 따른 결과는 초전도의 저항발생특성과 일치함을 알 수 있었다.2.

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.11

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  시차 열중량분석기(TG-DTA)

  가열되는 시료에 증량 또는 감량이 발생한 경우에 천평의 빔의 변화를 광전소자가 검출하여 그 신호를 증폭시켜 피드백한다. ... 변화된 천평의 빔을 원래의 상태로 돌려놓기 위해 전류가 공급되고 그의 전류값에 상당하는 중량의 변화가 기록되는 구조로 되어있다.◈ 장점실험횟수가 적음넓은 온도범위에서 얻은 결과로 속도변수를 ... 용기에 충진된 시료의 상태에 따라 결과가 달라짐- 모양, 크기, 종류가 각각 다름- 선택 : 시료의 성질, 시료량, 최고가열온도에 따라 선택- 재질 : 규소산화물, 금속, 흑연- 열전도성

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.16

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  커패시터와 인덕터의 특성-과도특성

  현실적으로 모든 도선은 저항을 가지기(or 전도도(cinductivity)가 무한대가 아니기) 때문에 자기장 있다. ... 오실로스코프로 관찰 할 수 있는 것은 전압 신호이므로 변수를 저항 양단의 전압으로 하여 미분 방정식을 다시 구성하면 다음과 같다.이 식을 위에 얻은 1차 미분 방정식에 대입하면 다음과 ... 관련이론1) 커패시터저항(resister), 인덕터(inductor) 와 더불어 회로이론을 구성하는 3대 소자인 커패시터 (capacitor)는 전기를 저장할 수 있는 소자이다.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.24

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  유기태양전지실험

  ITO glass의 세척과정부터 제작한 소자의 효율까지 구하였다. ... 태양전지의 효율태양전지의 효율을 특징 지워주는 변수로는 open-circuit voltage(Voc), short-circuit current(Jsc), 그리고 fill factor ... 고분자의 전도도에 따라 차이가 있기는 하지만 일반적으로 100nm내외 두께의 활성층(active layer)을 사용하고 있다.

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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  전자공학실험 트랜지스터

  예를 들면 어떤 출력 트랜지스터는 열을 전도설치시킬 때 더 낮은 정격전력을 갖게 된다. 다음 리스트는 트랜지스터 매개변수를 나타내는데 사용되는 기호를 모아 표시한 것이다.? ... 소자들간의 회로 전압, 예를 들면 소자 K와 J사이에 회로 전압? ... 트랜지스터의 단자선은 회로 설계에 맞춰 가능한한 길게 유지하고 열 전도를 줄인다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.11.22

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  전기변색소자 예비보고서

  실험 제목 : 전기변색소자(electrochromic) 물질 합성 및 색 변화 관찰2. ... 도금할 금속을 전도성 표면(금속)이나 비전도성 표면(플라스틱·나무·가죽)으로 이동시킨다. ... 비전도성 표면의 경우에는 표면에 흑연,그림1) 전기도금장치전도성 래커, 비전착성(非電着性) 판 등으로 코팅하거나 증착피막을 만들어 전도성을 띠게 한 다음 도금한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.11.26

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  자동화설계_자동화 설비 동작설명

  실제로 단순 논리 소자를 이용하여 복잡한 제어기를 구성하려면 제어기 구성에 관련된 지식보다 논리 소자 취급에 관한 지식이 더 요구되는 주객전도 현상이 발생할 수 있다.예를 들면, 단순 ... .*..PAGE:9자동화 설계자동문 동작 경우 #2 (다양한 변수가 존재하는 경우)자동문은 단순한 출입자의 움직임뿐만 아니라 주변환경의 변화에도 원활한 대응이 가능할 필요가 있다.출입문이 ... 시간지연 동작은 단순 논리 소자로 구현하기 곤란하다.

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.20

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  [기계공학응용실험] 11장 절삭력 측정 실험

  직류증폭기의 회로구성에는 대표적인 3가지 방법이 있다.첫째는 직결형(直結型)으로, 도전성소자(導電性素子:저항)로 증폭소자를 결합시킨 방식이다. ... 힘을 측정할 수 있는 센서의 종류와 그 원리에 대하여 기술하라.- Resistive potentiometers(저항성 전위차계)저항성 전위차계라 함은 도체의 물리적 성질인 전도성을 ... 이를 토대로 공작기계의 설계변수의 결정에 중요한 인자인 강성의 결정과 절삭가공에서의 최적 절삭조건 선정에 이용되도록 한다.2.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.14

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  구리필름의 전기적 특성 분석 실험

  비저항의 단위는 MKS단위계에서 Ωm이고, 비저항은 물질이 얼마나 전류를 잘 흐르게 하는가에 대한 양인 전도율과 역수관계(비저항=1/전도율)에 있다고 한다. ... 시편의 두께는 변수로 작용하지 않기 때문에 표면이 거친 시편은 표면이 매끄러운 시편에 비해 비저항이 크다고 할 수 있다. 열처리를 하면 시편의 표면은 매끄러워진다. ... 높은 working pressure ⇒ 박막의 순도2) RC delay- 소자의 집적도가 증가함에 따라 transistor의 gate length가 감소하게 되고 transistor

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04

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  반도체공정 ppt

  다른 중요한 변수는 트랜지스터의 에미터와 컬렉터 단자 사이의 캐리어 이동 시 생기는 지연이다 . ... 증폭기의 접합을 향상시키는 데에 종종 쓰이는 NPN 트랜지스터이다 .10.5.3 컬렉터 - 베이스 항복전압 19 양극 트랜지스터는 두 가지 매커니즘에 의하여 과대한 컬렉터 전류를 전도시킨다 ... 베이스 폭은 p 형 확산의 바닥과 n 형 에피택셜층의 바닥의 거리로 계산되는데 , 이는 npn 소자의 그것보다는 휠씬 넓다 .

  리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.12 | 수정일 2014.05.02

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  나노섬유의 응용분야

  새로운 소자들을 창출할 수 있다.(1) 생체 모방성 단백질 섬유동맥혈관 및 생체조직은 단백질섬유로 이루어진 3차원의 섬유강화 복합구조물로 보통 마이크로 정도의 크기이나 생체단백질섬유는 ... 또한 실제적인 면으로도 일반 섬유특성을 조절할 수 있는 변수의 평가시에서도 동 이론을 토대로 한 모델이 인정받았다. ... 뿐만 아니라 부피에 비해 표면적이 엄청나게 넓기 때문에 필터용으로 쓰면 탁월한 여과효과를 볼 수 있고, 전기 전도성을 지닌 고분자를 나노섬유로 제조해 유리에 코팅하면 햇빛의 양을 감지해

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.27

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  반도체&반도체 공업의 이해

  FZ법은 높은 전도성과 초순도의 결정을 생산할 수 있기 때문에 사이리스터(thyristor)나 민감하게 적외선 분광을 측정할 수 있는 소자 등 특수한 용도로의 활용을 위해 선택되고 ... 흑연(graphite) 가열 장치는 용융 실리콘과 성장 중인 결정에 민감하기 때문에 안정적인 성장 조건을 결정하기 위해 다양한 조업 변수의 영향을 이론적으로 해석할 수 있는 전산모사법이 ... 고체의 에너지 밴드 구조전도체, 반도체 및 많은 절연체(부도체)에서 오직 전자 전도에 의해서 전류가 흐르며, 전기 전도율의 값은 전도 과정에 직접 참여하는 전자 수에 밀접한 영향을

  리포트 | 42페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.01.17

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  [기초 전자공학 실험] JFET 특성 결과 레포트

  IDSS값은 VGS=0V일 때의 값이고 VP값은 ID=0A일 때의 값이다.이 때, 쇼클리 방정식 ID = IDSS(1-VGS/VP)2에서 변수가 각 하나가 되므로 IDSS와 VP값은 ... JFET는 전압에 민감한 소자이기 때문에 전압조절이 힘들기 때문에 VGS를 8V로 맞추는 것이 실험의 정확도를 결정 지는 요인이 되었다. ... 현상에 참여* JFET의 구조- n-channel : 전류 전도 현상에 자유전자가 참여- p-channel : 전류 전도 현상에 정공이 참여- 전극 : Gate, Drain, Source

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.21

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  LED 시장상품 및 특허 분석

  구조 발광 다이오드 램프 어셈블리출원제목 1-2 고출력 LED 를 위한 역피라미드형 플립 칩 주요변수 방열면적 증가 출원인 LG 이노텍 내 용 방열판은 열 전도율이 높은 알루미늄판을 ... LED 방열관련 특허 분석LED 관련 특허 분석 출원 출원인 출원연도 방열면적증가 방열과정단축 히트 파이프 기타 고효율 방열 기능을 가지는 발광 강제대류 히트 파이프를 구비하는 발광 소자 ... 구조 LED 모듈을 전체적으로 감싸서 LED 로부터 발생하는 열을 넓게 분산시켜 램프관으로 전도하는 역할을 한다 .

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.11

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  분말야금 세라믹

  이러한 공정을 소결이라 하며, 치밀화와 입자성장을 수반하는 미세조직상의 변화를 소결의 기본현상이다.본 시험의 목적은 소결현상에 대한 원리를 이해하고 소결변수들을 조절하여 재현성있는 ... 비하여 내식성 내열성 내마모성 등이 매우 크며 다양한 기 전자기적기능 기계적기능 광학적기능 생체적기능 등 을 갖는 현대공업재료 중 가장 중요한 위치를 차지한다Computer의 기억소자 ... 열팽창계수가 크고 열전도도가 작을수록 잔류응력이 커지므로 유리는 강하게 된다. 열템퍼링은 비교적 짧은 시간에 행해지며 대부분의 유리에 적용할 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.20

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  PTCR

  PTCR현상을 1950년대 초에 Haaiyman 등이 보고한 후 여러 가지 전도기구가 제안되고 있으나 Heywang의 전위장벽 모델이 이 현상을 잘 설명하여 주고 있으며, 전위장벽의 ... 치환 고용되면 그 특성온도 는 증가 또는 감소되고, Cu, Fe, Mn, Ru, V 등을 첨가하여 결정립계의 공간전하층에 전자억셉터 전위를 형성하여 전위장벽을 높여주거나, 제조과정 변수인 ... 전기적 특성- 정특성 ( 전압-전류 특성 )PTC 써미스터에 전압을 가하면 자기가열에 의해서 온도가 상승하는데, 그에 따라서 열방산량도 증가하기 때문에 충분히 시간이 경과한 후에는, 소자의

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.18

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  트랜지스터

  다음 리스트는 트랜지스터 매개 변수를 나타내는데 사용되는 기호를 모아 표시한 것이다.VBB 베이스에 공급 전압ICB 콜렉터와 베이스간 전류VKJ 소자들 간의 회로 전압 예를 들면 소자 ... 예를 들면 어떤 출력 트랜지스터는 열을 전도 방출하기 위해 방사 핀을 사용한다. ... 섀시는 열을 전도 방출한다. 이런 형의 트랜지스터는 물리적으로 금속섀시에 고정시킬 떄 더 높은 전력정격을 갖게 되고 섀시에서 떨어져 설치시킬 떄 더 낮은 정격전력을 갖게 된다.

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.24

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  땜납과 납땜과정

  이 WPI는 최소의 열로 만족할 만한 납땜과정을 수행하기 위한 여러 변수, 즉, 인두의 용량, 온도, 표면조건, 열전달 등을 포함한다. ... 사용하고, 인두의 열이 부품으로 전달되어 부품이 손상되는 것을 억제하기 위하여 롱로우즈 플라이어 등으로 부품의 리드 선을 잡고 신속하게 납땜을 한다.(2) 납적정한 융점, 전기적 전도 ... 또한 열에 의한 소자의 파괴를 방지하기 위하여 최소한의 열로서 납땜 하여야만 하는 경우도 있을 것이다.

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.11.03

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  MOS소자

  CVD(pyrolysis of Si(OC2H5)4, SiH4, SiCl4)④ 900~1200℃ : Thermal Oxidation3) Thermal Oxidation4) 산화 공정 변수 ... MOSFET도 역시 전도채널의 형식에 따라 n-채널과 p-채널로 구분되며 각각 구조상 증가형(Enhancement type)과 공핍형(Depletion type) 으로 구분한다.증가형은 ... 실험 목적MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하고, 작동원리를 이해한다.이론(1) Cleaning 공정1) Piranha cleaning: Si wafer를

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04 | 수정일 2016.04.25

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