"1n4007" 검색결과 121-140 / 195건

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  대한민국 100대 프랜차이즈 본사 등록정보

  433 www.theskinfood.com (주)스킨푸드 조윤호 125-81-54503 1346110오피스넥스 조종관 114-86-62046 1101113755498 (02)546-4007 ... 00)1588-0581 134-880 서울 강동구 길동 388-3 와바빌딩 3층 (02)514-3493 20010830 하나은행 32 일반 7153 경영컨설팅 및 공공관계 서비스업 N3837356 ... 순서 프랜차이즈 매장수 홈페이지 본사회사명 대표자 사업자번호 법인번호 전화 우편번호 주소 팩스 이메일 설립일자 주거래은행 주거래지점 종업원 형태 업종코드 업종 FIRM_CODE1 가르텐비어

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.05.07

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  적외선센서를 이용한 수위컨트롤

  -수위 컨트롤러소자 및 재료POWER SUPPLY 16~18V DIODE – D1~D5 : 1N4148 D6 : 1N4007 ∴ 총 6개 RESISTOR – R1, R22 : 1M ... C10 : 1000u C11 : 22nF ∴ 총 11개 TRANSISTOR – T1 : BC547B VOLTAGE REGULATOR – VR1 : UA7812 RELAY – RY1 ... : VR15M121C IC – IC1 : LM324 PBC PINS LED (Red, Yellow, green, Relay activated) ∴ 총 4개회로도회로 구동원리건조한

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.18

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  [파워포인트] 전파정류기 및 전파 피크 정류기

  ), 94uF(47uF2개 전해) 다이오드 - 정류다이오드 1N4007(1A) 중간 탭 변압기전파 정류기 그림7.1(a)의 회로를 D1 = D2 1N4007 그리고 R=220옴으로 ... 측정된 파형으로 부터 다이오드의 전압강하 를 구하고 실험 2에서 주어진 값과 비교하여라.전파 피크 정류기 그림7.2(a)의 회로를 D1 = D2 =1N4007, C = 47uF, 그 ... 리고 R=1k 으로 하여 브레드보드상에 구성하라. 2.

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.29 | 수정일 2019.09.18

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  전자회로실험12 MOSFET 차동증폭기 결과보고서

  결과 사진 및 분석1) 주어진 CD4007UB(MC14007UB와 동일)의 pin 배열 확인한다.(1) #1 : pin 3, 4, 5 사용(2) #2 : pin 9, 10, 12 사용 ... (3) #3 : pin 6, 7, 8 사용2) 문턱전압()과 k 값의 측정⑴ 의 회로도를 구성하는데 CD4007UB의 의 “#1”으로 표시된 소자의 3,4,5번 핀을 사용한다.=0~ ... 매칭(matched)된 즉 두 개의 MOSFET이 서로 유사한 문턱전압()과 k값을 가진 n-채널 MOSFET을,의 MOSFET 쌍(pair)를 구성한다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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  전자회로 설계 및 실험 5 MOSFET의 특성 예비보고서

  실험 부품 및 장비전원 : 듀얼 전원 공급기장비 : 2 개의 범용 DVM저항 : 1, 10커패시터 : 0.1전위차계(10) 또는 10단 저항상자CD4007, NMOS 소자4. ... 값은 소자를 제조하는 동안에 조절되며, 보통 1V에서 3V의 범위 내에 있다.그림 12-1 정상적인 전류방향이 표시된 n-채널 증가형 MOSFETMOSFET의 동작 영역그림 12- ... 2특성곡선그림 12-1에, 전압와가 인가되어 있는 정상적인 전륩 방향이 표시된 n-채널 증가형 MOSFET을 나타내었다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.15 | 수정일 2016.06.21

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  MOSFET의 특성 실험

  실험 방법1) 사용기계전원공급기 1대오실로스코프 1대디지털 멀티미터 1대2) 사용부품저항 620ΩD-MOSFET HEF 4007E-MOSFET 2N70083) 회로 및 실험방법13.5.1 ... 와 V③증가형 MOSFET에서 나타나는 n형 반전층에 대해 설명하라.n채널 증가형 MOSFET에서 V라는 임계전압값 이상의 양의 게이트전압이 인가되면 SiO층에 인접한 기판영역에 얇은 ... 음전하층(n-type inversion layer)[즉 반전층]을 만들어 채널이 임계값 이상의 외부전압에 의해 형성된다.④게이트-소스 전압이 0인 경우 공핍형 및 증가형 MOSFET에

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.30

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  다이오드 실험2 실험 보고서

  Diode, 1N-4007? 저항기, 1 kilo-ohm(k)? 5 인치 납선4. 실험방법다이오드 실험에는 네 개의 단위가 있다. 실험 1에서 첫 번째 두 개의 단위를 완성했다. ... DSPART Ⅱ A : 센서 보정하기와 실험 기구 설치하기1) 맨 위의 바나나 잭 옆의 구성 요소 스프링과 바나나 잭의 왼쪽에 있는 구성 요소 스프링 간의 1N-4007 다이오드를 ... 실험이론다이오드(혹은 p-n 접합 정류기)는 일단 앞으로 가는 전압이 생성되면 한 방향으로만 전류가 흘러가는 것을 허용하는 전기 장치이다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.03

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  접합다이오드의 특성 접합다이오드의 근사해석 제너 다이오드의 특성 반파, 전파 정류 회로 다이오드를 이용한 파형 변환 회로

  PSPICE를 통하여 시뮬레이션을 하였는데 여기서는 실험에서 주어진 다이오드인 1N4007가 라이브러리에 존재하지 않아서 1N4002를 사용하였는데 이것은 내압차이만 있다고 하여 사용하였다 ... 저항비다이오드R[Ω](순방향)R[Ω](역방향)r = R[Ω](역방향)/ R[Ω](순방향)1N4007583K∞∞3. 결과 분석그림 28-1. 순방향 다이오드그림 28-2. ... PSPICE를 통하여 회로를 구성하였는데 제너다이오드 모양은 D1N750뿐이어서 이것으로 했는데 그래프는 30-3과 같이 나왔다.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.02.11

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  전자회로실험

  과 같은 4007 MOS를 실험한다. ... 목표 : n 채널 소자의 파라미터 Vtn 과 kn을 빠르게 구하는 방법을 익힌다.그림 5.3 n-채널 디바이스의 Vt와 k의 측정? ... 그림에서 알 수 있듯이 세 개의 p채널과 세 개의 n채널 소자가 내장되어 있으며, 입, 출력 핀수를 줄이기 위해 몇 개의 노드는 내부적으로 미리 결선되어있으나, 상당히 자유롭게 이용

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.29 | 수정일 2016.08.22

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  타이머 만들기 실험 보고서입니다.

  있다.SN74LS47 FND를 구동하는 IC이다.MC7805 TTL로 구성된 로직회로는 기본적으로 5V의 전압으로 동작하 기 위한 입력전압을 5V로 바꾸어주는 정전압 레귤레이터 IC이다.1N4007 ... TF1의 인터럽트 플래그가 자동적으로 ‘1’이 된다. ... , TF1의 인터럽트 플래그가 자동적으로 ‘1’이 된다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.09

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  결과레포트 (3)

  우리가 실험에서 사용한 4007 MOS는 3개의 p채널과 3개의 n채널 소자가 내장되어 있으며, 몇 개의노드는 미리 결선되어 있는 구조이다. ... 이때의 R값과 노드A의 전압을 측정하고,의 관계를 사용하여을 구하시오.E1.2 NMOS 소자 파라미터의 측정그림 5.3 n-채널 디바이스의 Vt와 k의 측정? ... p형의 차이는 드레인-소스간의 전류에 기여하는 캐리어의 차이 뿐이므로 여기에서는 n형에 대해서만 취급한다.MOSFET에서는 게이트와 기판 (영어: substrate) 사이에 구성된

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.19

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  다이오드 실험1 실험 보고서

  DSPART A Ⅱ : 센서 보정하기와 실험 기구 설치하기1) 맨 위의 바나나 잭 옆의 구성 요소 스프링과 바나나 잭의 왼쪽에 있는 구성 요소 스프링 간의 1N-4007 다이오드를 ... Diode, 1N-4007? 발광 다이오드 (LED), 적색? 발광 다이오드 (LED), 노란 색? 발광 다이오드 (LED), 녹색? 발광 다이오드 (LED), 이색? ... 토의 및 건의사항1. 질문1) 단위 1에서, 전압 대 다이오드 전류의 표는 무엇을 의미하는가?

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.03

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  전자회로실험7 MOSFET 기본 특성 I 예비보고서

  -의 관계와 측정한 R 값으로부터 C 값을 계산하라.= 이번에는 그림 7.2의 회로에서 c값을 1N4002 소자로 바꾼 후 시뮬레이션 돌렸습니다. ... 이 회로는 CD4007 칩의 6개 MOSFET을 게이트 커패시터를 연결한 것이다. ... CH1, CH2는 각각에 연결한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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  브리지정류기 실험보고서

  실험재료: 교류 전원 6.3V(트랜스포머 대체 가능)저항, 1㏀다이오드 1N 40014 (1N 4001~4007)직류 전압계 10V (VOM 대체 가능)오실로스코우프4. ... 1. 실험제목: 브리지 정류기2. 실험날짜: 2007년 10월 9일 6,7 교시3. ... 그림 1에서 보여준 바와 같이 다이오드 두 개를 직렬로 연결한 형태이므로 중앙 탭을 이용한 전파 정류기보다 더 큰 최대 역방향 전압(PIV)에서도 동작이 가능하다.과의 캐소우드 단자가

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.16

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  반파 정류기 반파피크정류기

  1N4007(1A)-실험방법 및 결과▶반파 정류기01. ... 그림6.2(a)의 회로를 다이오드는 1N4007, C = 47uF, 그 리고 R=1k 으로 하여 브레드보드상에 구성하라.02. ... 그림6.1(a)의 회로를 다이오드 1N4007, R=1k 으로 하여 브레드보드상에 구성하라.02. 입력신호 Vs는 피크값이 9V이고 주파수가 60Hz인 사인파이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.28

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  기초전자공학실험 접합다이오드의 특성, 접합다이오드의 근사해석, 제너 다이오드의 특성, 반파, 전파 정류 회로, 다이오드를 이용한 파형 변환 회로

  피스파이스 결과(V1의 변화에 따른 I 값, 1N4002와 IN4007은 내압의 차이만 있을 뿐 동작에 있어서의 특성은 같다. ... 저항비다이오드R[Ω](순방향)R[Ω](역방향)r = R[Ω](역방향)/ R[Ω](순방향)1N40074.84M∞∞3. ... 피스파이스 library에 IN4007이 없어서 IN4002로 사용했다.)threshold 전압이 약 0.7V정도임을 알 수 있다.

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.04

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  11장예비CMOS Inverter, Tri-state 설계

  장치는 3개의 강화된 N-channel과 3개의 강화된 P-channel로 구성되어 있다. ... 또는 CD4007UB로 Pin-for-Pin 대체.⑤ 이 장치는 ESD Protection 없이 두개의 출력을 가진다. anti-static 예방필요.MAXIMUM RATING ( ... : 0.1㎌, 1개저항: 1㏀ 1개3.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.04

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  전자회로실험 10 MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하 결과보고서

  이는 PSPICE 모델이 실제 사용한 CD4007과 조금 다른 점에서 발생한 오차로 생각 할 수 있겠습니다. ... 위 그림보다 삼각형의 파형을 나타내는 것이 시간 도메인에 따른V _{GS} 즉V _{I`N}의 파형이며, 나머지가V _{DS}즉V _{OUT}의 파형입니다. ... 출력은 Ch2에 연결하고 오실로스코프를 조절하여 채널(Ch)1의 한 눈금 당 1V가 되도록 (1V/div) 하고 Ch2도 마찬가지로 설정한다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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  실험12. MOSFET차동증폭기 결과

  실험 결과1) 문턱전압(V _{T``})과k``값의 측정(1) 의 회로도를 구성하는데 CD4007UB의 의 “#1”으로 표시된 소자의 3,4,5번 핀을 사용한다.V _{DD} =0 ... 매칭(matched)된 즉 두 개의 MOSFET이 서로 유사한 문턱전압 (V _{T})와k값을 가진 n-채널 MOSFET을Q _{3,} Q _{4}의 MOSFET 쌍(pair)를 구성한다 ... mu A1.7458V0.3937V39.37muA1.7322V0.3507V35.07muA3V1.9500V1.1159V115.9 mu A1.9556V1.1316V113.16muA1.9550V1.1231V112.31muA4V2.0885V2.0319V203.19

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.05.23 | 수정일 2014.06.07

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  브리지정류기

  실험 기자재 : 교류전원 6.3V, 저항(R1kΩ), 다이오드 1N4001×4(1N4001~4007), 직류전압계 10V(VOM 대체 가능), 오실로스코프, bread board, ... 검토1. ... 단락시키고, 부하 RL 양단의 파형을 그려라.6) 그림 5의 회로 중 다이오드 D1을 개방시키고, 부하 RL 양단의 파형을 그려라.6.

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.11

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