"MOCVD" 검색결과 121-140 / 327건

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  GaN의 식각

  이 원료물질들이 기판의 표면에서 화학반응을 일으킨다.대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 ... 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로질의 조성과 같다.PVD는 증착시키려는 물질을 기체상태로 만들어서 날려보내는 것이므로 진공을 요구한다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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  증착결과 보고서

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 하는 것이다.CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.06

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  유기금속기상증착법에 의한 InGaN/GaN 양자점 구조의 성장거동

  한국재료학회 정우광, 장재민, 최승규, 김진열

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SK하이닉스 최종

  MOCVD를 이용한 소자의 Growth부터 Fabrication, Packaging까지 LED공정의 전 과정을 직접 체험해 볼 수 있었습니다.

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.03.21

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  LED조명

  사파이어와 SiC기판에서 성장하여 제작되지만 최근에는 Nichia, Cree, Toyota 등의 핵심 특허를 회피하기위한 연구개발이 많이 진행되고 있다.2) 에피웨이퍼 : 기판 위에 MOCVD

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.02.03

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  아주대 기계설계 분야별 실험3

  에피 웨이퍼 제조: 기초 소재인 기판위에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 유기 금속 화학 증착법) 장비를 이용하여 화합물 반도체를 ... 설명하면, 청색을 내는 반도체 재료로는 GaN가 있으며, Sapphire (Al2O3)나 SiC 기판 상에 N형 반도체(N-GaN)와 활성층(InGaN), P형 반도체(P-GaN)가 MOCVD로

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.07.22

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  표면공학 - 화학증착법 발표

  기술 MOCVD 공정은 사용하는 전구체가 금속유기화합물인 경우를 일컫는다 .MOCVD 에 대한 연구는 이미 오래전부터 이루어져 왔으나 일반적으로 유기합성에 의해 만들어진 precursor ... of ownership( CoO )-high Throughput, Small foot print, Uptime elongation 환경친화 - 챔버세정가스 , Scubber 기능강화MOCVD

  리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.10.14

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  LED 동작원리에서 시장동향까지

  MOCVD로 밝기를 향상시켜 1990년대부터 본격적으로 사용됨.Blue Chip, Frame, Phosphor, Epoxy 등 원자재 sourcingChip Zener Diode Lead ... 기판위에성장GaN,AlN 버퍼층을사용 GaN결정 성장P형 GaN층 성장전극형성, 소자분리로 die제작GaNP층 구조로 활성층 구성청색LED 제조공정일본 니치아 화학의 나카무라가 1992년 새로운MOCVD이라는

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14

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  [Pochi Yeh] Optical Waves in Layered Media (2nd Edition) chapter 12 해석본

  이 초미세구조들은 MBE(molecular beam epitaxy)와 MOCVD(metal-organic chemical capour deposition)와 같은 몇몇의 새로운 재료의

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.01.19

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  표면개질공학-2

  이를 개선하는 CVD로 MOCVD, PECVD, 광CVD 등이 있다.Q. PECVD의 증착 과정을 서술하시오.A.

  시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17

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  나노 테크놀러지와 나노와이어의 성장법

  합성한 여러 가지 형태의 ZnO 나노와이어fig.5 저압(low pressure)을 이용하는 MOCVD장치의 간략도. ... 이때 와이어의 직경은 촉매입자의 크기에 좌우되는데, 수nm에서 수백nm직경까지 성장이 가능하고 길이는 수 용질이 섞여있는 상태이기 때문에 MOCVD라 한다. ... CVD(화학기상증착; Chemical Vapor Deposition)2.1.1 CCVD(촉매화학기상증착; Catalytic Chemical Vapor Deposition)2.1.2 MOCVD

  리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.31

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  deposition 방법

  .); 수십 ~ 수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 가능 (but PVD보다 훨씬 고온 환경 요구); 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 ... 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어 보내고 한 쪽에서는 암모니아(NH3)를 불어넣어서 ... 용발된 재료가 기판에 날라와 균일하게 증착되는 것이다.박막 증착 방법의 종류- 화학 기상 증착법(CVD Chemical Vapor Deposition)CVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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  epitaxy 공정

  Fig 8 은 TMG를 사용한 MOCVD 공정 개략도를 보여 주고 있다. ... 전형적인 MOCVD 공정에서는 트리메틸갈륨(TMG :trimethyl gallium)이나 트리에틸갈륨(TEG : triethyl gallium) 등이 갈륨 원료로 사용되며가 비소로 ... 점차 중요성이 더하여 가고 있다.갈륨 비소의 에피택시 성장에 관한 4가지 방법 즉, 기상 에피택시(VPE : vapor phase epitaxy), 금속 유기물 화학 기상 증착(MOCVD

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.21

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  LED 제조공정 및 개요

  에피성장 / 에피웨이퍼 ( Epi Waper ) 기초 소재인 기판위에 MOCVD(Metal Organic Chemical VaporDeposition , 유기 금속 화학 증착법 ) ... 재료로는 GaN 가 있으며 , Sapphire (Al2O3) 나 SiC 기판 상에 N 형 반도체 (N- GaN ) 와 활성층 ( InGaN ), P 형 반도체 (P- GaN ) 가 MOCVD

  리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  재공실 실험4 결보 - 4단자법을 통한 초전도 재료의 전기적

  이러한 템플릿 위에 MOD, MOCVD, PVD등의 방법으로 Re-123 초전도층을 증착하고 그 위에 Ag 보호층을 스퍼터링 등으로 얇게 입히고 다시 구리(Cu)층을 전기도금이나 납땜으로

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

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  진공 증착의 종류와 특징 레포트[A+자료]

  반도체, OLED 등 우리 주변에서 ‘증착’을 이용하여 만들어진 제품을 많이 찾을 수 있다. 증착은 가정에서도 볼 수 있는데, 백열전구가 오래되면 필라멘트와 가까운 전구의 유리 벽이 검게 변하는 현상을 볼 수 있다. 또한 사용한지 오래된 형광등은 양쪽 전극 부위가 검게..

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.12.17 | 수정일 2016.12.26

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  ZnO 기판 기술현황 및 문제점

  SiO2 기판상에서 각각 ZnO 에피층 성장ZnO 기판 기술적 문제점고품위의 ZnO 계열 에피층 성장기술p형 ZnO 제조 기술MBE, PEMBE, LMBE, PLD, 스퍼터링, MOCVD ... ZnO에피층을 성장시킴Rutgers대 (미국)SiO2/Si 기판상에 c축으로 배양된 ZnO 에피층 성장Cermet (미국)ZnO 기판상에 p-type ZnO homoepitaxyPE-MOCVD동북대

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.30

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  77태양전지

  Substrate(CIGS)절연 소다라임 유리기판MoCdSZnOMgF2Al/NiCIGS의 박막기술CIGS 흡수 층 제작→ co-evaporation, sputtering, 유기금속 기상성장법(MOCVD

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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  CVD method를 통한 ZnO NWs synthesis 예비보고서[1].

  MOCVD (Metal Organic CVD) : Organometallic source⑥ Precursor 공급 방법에 의한 분류.?

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  진공 및 박막 실험 최종 보고서

  -MOCVD원료로 열적으로 불안정하고 분해되기 쉬운 유기 금속화합물 (MO : metal organic)을 사용하고 비교적 저온에서 금속이나 화합물을 형성하는 CVD 를 말함MOCVD에서

  리포트 | 53페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.11.24

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