"i-v특성" 검색결과 121-140 / 17,222건

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  A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라. ... } =k _{n} (v _{GS} -V _{t} )v _{DS} 을 사용하여k _{n} = {I _{D}} over {(V _{GS} -V _{t} )V _{DS(ON)}} = {( ... 2.1`[rmV]`(typical`value)와Triode 영역에 해당하는 식i _{D} APPROX k' _{n} {W} over {L} (v _{GS} -V _{t} )v _{DS

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25

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  전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 예비보고서

  예비 보고서실험 06_공통 이미터 증폭기과 목 명:전자공학실험1 실험 개요-BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정한다. ... 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다.2 실험 기자재 및 부품DC파워 ... R_B에 흐르는 전류를 i_i, R_L에 흐르는 전류를 i_o라고 하고, 위의 시뮬레이션 결과를 통해 보면 i_i=-33.65uA-(-32.10uA)=0.55uA이고, v_o=11.1117mA

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.04.09

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  [알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 18. RLC_직렬회로 예비보고서 (A+)

  } 교류 정현파 인가전압을 가하면 회로에 흐르는 전류 i(t)는 페이저법에 의해서 다음과 같이 구할 수 있다I`=` {V _{G}} over {Z} `=` {V _{G}} over ... 예상 실험결과※ [표 18-1] 주파수 변화에 따른 진폭응답특성, 위상특성주파수V _{R} (t)의 출력파형 및 크기V _{R} (t)V _{R} (t)의 위상50[Hz]V _{R} ... 식으로 표현하자면,I``=` {V _{m}} over {sqrt {R ^{2} `+`(wL`-` {1} over {wC} ) ^{2}}} ` ANGLE (-tan ^{-1} {wL`

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.31

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  기초실험및설계 - opamp를 이용한 기본증폭 결과보고서

  이상적/실제적인 OP AMP의 특성이상적인 OP AMP의 특성㉠ 개회로 상태의 이득은 |A v|= ∞가 된다.㉡ 입력 저항은 R i = ∞가 된다.㉢ 출력 저항은 R o = 0이 된다 ... 수 있다.③ R 2 양단의 전압차V x - V out = - V out = I 2R 2 = I 1R 2④ 전압이득 A vA _{v} = {V _{out}} over {V _{IN ... 실제적인 OP AMP의 특성㉠ 높은 전압 이득( A v는∞가 아님)㉡ 높은 입력 저항( R i가 ∞가 아님)㉢ 낮은 출력 저항 ( R o = 0이 아님).㉣ 넓은 주파수 대역폭(BW은

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.02.24

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  충북대 전자회로실험 실험 1 다이오드 및 BJT 특성 결과

  0.000031-0.000002} =116M OMEGA ,V _{Z0} =v _{Z} -i _{Z} TIMES r _{Z} =-326mV1.2 바이폴라 접합 트랜지스터 특성(1) 의 ... BJT 특성 측정 회로를 구성한다.V _{IN}은 1.8V이고�� ��V _{CC}는 5V일 때, 전압계와 전류계를 이용하여 베이스-이미터 전압(V _{BE}), 베 이스 전류(I ... 특성을 확인해보고V _{D0}과r _{D}을 구하는 실험이었다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2023.03.14

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  전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 예비보고서

  _ DD -V_SG } over { R}I_O = I_D2= { 1} over { 2}k'_p (W/L)_2 (V_SG - LEFT | V_thp | )^2 (16.1){ I_O} ... , 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS)3 배경 이론MOSFET의 특성 구하기MOSFET은I_D = { 1} over ... {I _{O}} over {I _{REF}} = {(W/L) _{2}} over {(W/L) _{3}}I_ REF (1+ { V_O -V_GS} over {V_A2} )4 실험 회로

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09

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  [중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

  > 130(c) 측정한 데이터를 이용하여 MOSFET의i _{D} -v _{GS}특성곡선을 구하여라. (0 V ~ 측정 데이터)(d) 위의 결과를 이용하여V _{T}를 구하고 3.2 ... MOSFET 소자 특성 측정실험 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V _{T},k _{n},g _{m})을 Data Sheet를 이용하여 ... (낮은 전압부터 올리면서 측정한다.)V _{DS} =5VV _{GS} ` (V)I _{D} (mA)V _{GS} ` (V)I _{D} (mA)1.002.5141.102.625::2.7402.002.8652.112.9882.223.01092.353.11272.493.2

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.08.28

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  충북대 전자회로실험 실험 2 MOSFET 특성 결과

  실험 결과1.1 NMOS 전류-전압 특성 측정(1) 와 같이 NMOS(CD4007) 전류-전압 특성 측정 회로를 구성하고, 드레인-소스 전압(V _{DS})을10V로 고정하고, 게이트-소스 ... TIMES 10 ^{-6}1.2 PMOS 전류-전압 특성 측정(1) 와 같이 PMOS(CD4007) 전류-전압 특성 측정 회로를 구성하고, 소스-드레인 전압(V _{SD})을10V로 ... PMOS 전류-전압 특성 측정 회로V _{SG} [V]I _{D} [mA]V _{SG} [V]I _{D} [mA]V _{SG} [V]I _{D} [mA]029.7629.97.629.8129.76.229.97.829.9229.86.429.7830.0329.86.629.98.530.0429.86.829.9926.14.529.9729.59.514.4529.97.229.6103.185.529.97.429.8

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.03.08

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  [부산대 이학전자실험] 3. 트랜지스터 특성 실험

  하지만 이론 부분에서 논의하였듯{{I}} _ {{C}} {=~} { {{V}} _ {{RC}} } OVER { {{R}} _ {{C}} } {~`,`} {{I}} _ {{B}} {= ... 그리고TRIANGLE I _{B}는 컬렉터 전류의 변화량TRIANGLE I _{C} 를 만들어 낸다.TRIANGLE I _{C}의 변화량으로 인해 저항{{R}} _ {{C}} 에 걸리는 ... ~} { {{V}} _ {{RB}} } OVER { {{R}} _ {{B}} } 를 통해 계산해보면{{V}} _ {{CE}} = 6V의 경우{β}{=~} {{~} {{15-6}} OVER

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.05

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  2023 1학기 아주대학교 토질역학실험 정수두투수 시험 결과보고서 (a+ 자료)

  .- Darcy 법칙을 통한 단위유량 공식q=kiA(여기서, q=단위유량,i=동수경사, k=투수계수(수리전도도), A=전체 단면적)- 침투속도(v _{s})v _{s} =v LEFT ... 물의 유출속도에 대한 방정식을 다음과 같이 제시하였다.v=ki(여기서,v=유출속도,i=동수경사, k=투수계수(수리전도도))유출속도와 투수계수 및 동수경사의 비례관계를 확인할 수 있다 ... 실험 결과를 토대로 실제 건설 과정에서의 토양의 역학적 특성과 수문학적 특성을 예측하고 이를 토대로 공학적 설계 및 건설 과정에서의 최적화하는 방안을 모색하고자 한다.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.09.26

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  접합 다이오드의 단자 특성 실험

  PSPICE 실험 결과접합 다이오드의i-v특성제너 다이오드의i-v특성6. 고찰먼저 접합 다이오드 단자 특성을 실험해 보았다. ... v축의 마이너스 부분은 스케일을 축소하여 다시 그린 다이오드의i-v관계.2-2) 제너 다이오드의 단자 특성정방향에서는 일반 다이오드와 동일한 특성을 보이지만 역방향으로 전압을 걸면 ... 실험 결과4-1 접합 다이오드의 단자 특성 실험 결과V _{S} (V)00.10.20.30.40.50.60.70.80.91.02.03.04.05.0v _{D} (V)-1.80.980.1970.2960.3880.4550.4960.5210.550.5650.5850.620.6520.6720.687i

  시험자료 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.06.25

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  실험 16_전류원 및 전류 거울 예비 보고서

  [그림 16-6] 전류 거울[그림 16-7] 능동 부하가 있는 전류-전압 특성채널길이 변조 효과를 고려할 경우, [그림 16-4]의 공통 소오스 증폭기에서M _{2}에 흐르는 전류 ... [그림 16-8] 전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하 회로[그림 16-9] [그림 16-1]의 모의실험 결과MOSFET의 특성을 구하기 위해 [그림 16-1]의 회로를 PSpice로 ... FQP17P10(PMOS) (2개) (단，PSpice 모의실험은 FDC6322CP 사용)3 배경 이론MOSFET의 특성 구하기MOSFET은I _{D} = {1} over {2} mu

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

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  [부산대 이학전자실험] Transistor

  특성 곡선(I_C vsV_CE)을 그려라10.I_B를40 muA까지10 muA 간격으로 증가시키면서 과정 8-9를 반복하여라11. ... 실험목적- 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 이해한다.- 트랜지스터의 3가지 동작모드를 이해한다.- 트랜지스터 증폭 특성에 대하여 이해한다.2. ... 아래 회로를 구성한 후I _{B} =10 mu A SIM 40 mu A까지10 mu A씩 증가할 때, 컬렉터 특성곡선을 그려라 (R _{B}=100k,R _{C}=1.5k)8.V _

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.26

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  [전자회로]실험12[1]. FET의 특성

  실험목적은 드레인전류rm I _{d}에 대한rmV _{ ds}와rm V _{gs}의 영향을 관찰해 보는 것과 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 구하는 것이다. ... JFET의 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 구한다.◈ 실험재료직류가변전원 : 0-30V직류전류계 : 0-30mA디지털멀티미터JFET : 2SK40◈ 이론JFET는 다수 반송자에 의해서만 ... 표 12-2에 기록하라.◈ 실험결과표 12-1rmV _{ ds}rm I _{d} [㎃]rm V _{gs} [V]0-0.25-0.5-0.75-1.0-1.25-1.5-1.75-2.0-

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

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  충북대 전자회로실험 실험 1 다이오드 및 BJT 특성 예비

  제너 다이오드의 전류-전압 특성은 식(1.8)과 같다.v _{Z} =V _{Z`0} +i _{Z} TIMES r _{Z} (1.8)2.2 바이폴라 접합 트랜지스터 특성바이폴라 접합 ... e ^{(v _{D1} -v _{D2} )/nV _{T}} (1.5)n= {v _{D1} -v _{D2}} over {V _{T} [ln(i _{D1} )-ln(i _{D2} )]} ... 목적(1) PN 접합 다이오드와 제너 다이오드의 동작 및 전류-전압 특성을 이해하고 측정한다.(2) BJT의 동작 및 전류-전압 특성을 이해하고 측정한다.2.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2023.03.14

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  울산대학교 예비레포트 전자10장 공통 베이스 및 콜렉터 트랜지스터 증폭기

  실험목적공통 베이스와 공통 콜렉터 증폭기 회로들의 전압증폭과 입출력 임피던스를 측정하여 회로들의 특성을 확인한다.2. ... 실험이론i)공통 베이스 증폭기의 특징-증폭기의 입력신호를 이미터 단자에 인가하고 컬렉터로 출력을 얻는다.-입력과 출력간의 위상반전이 없으므로 “-”부호가 없다. ... 콜렉터A _{V} `= {V _{out}} over {V _{i n }} `= {V _{c}} over {V _{e}} `=` {I _{c} R _{c}} over {I _{e}

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  [알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 04. 옴의_법칙 예비보고서 (A+)

  이러한 물질들을 옴성(ohmic) 물질이라고 하며, 이 옴성 물질은 전류-전압그래프에서 선형적으로 증가하는 특성을 보여준다. ... 따라서 비옴성 물질의 전류-전압 곡선은 비선형적으로 증가하는 특성을 보인다.두 개 이상의 저항들이 끝과 끝이 연결되어 있는 연결을 직렬(series)연결이라 칭한다. ... [그림 4-4]와 같이 전압이 15[V]이고 저항이 10[Ω]일 때 회로에 흐르는 전류는 몇 [A] 혹은 [mA]인가?※I= {V} over {R}이므로,

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.31

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  실험8. 쌍극성 접합 트랜지스터 특성

  I(B)에 대한 계단 함수로 10μA 사용하라.커브 트레이서에서 얻은 특성곡선을 그래프에 그려라특성곡선을 비교하고 차이를 설명하라.I(C)는 초반 V(CE)가 올라갈 때 증가하였다가 ... 일반적으로 V(CE)가 증가하면 β = I(C)/I(B)식에서 V(CE)의 영향으로 I(C)가 증가하기 때문에 β는 증가한다.트랜지스터의 특성곡선 결정커브 트레이서를 사용하여 2N3904 ... I(C)가 증가하면 β = I(C)/I(B)이기 때문에 β는 증가한다.일반적으로 V(CE)가 증가하면 β는 증가하는가 감소하는가?

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

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  [경희대 A+] 실험 18. CB 및 CC 증폭기 특성 예비결과보고서

  실험18_CB 및 CC증폭기 특성1. 실험 제목: CB 및 CC 증폭기 특성2. ... }V _{E} =`V _{B} -V _{BE}V _{C} =`V _{CC} -I _{C} R _{C}I _{E} `=` {V _{E}} over {R _{E}}* AC해석=> 이제 ... =>Z _{i} (측정값)= {V _{i}} over {(V _{sig} -V _{i} )} R _{x} `=` {7.2} over {34.7-7.2} TIMES 100` SIMEQ

  리포트 | 42페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.26 | 수정일 2024.01.08

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  4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]

  (B) PSPICE를 이용하여i _{D}-v _{DS}특성곡선을 시뮬레이션 하여라. ... (C) 위의 결과를 이용하여V _{T}를 구하고 Data Sheet값과 비교하여라i _{D}-v _{DS}특성곡선을 확인 해본 결과 Threshold전압V _{T}의 값은i _{D} ... {D}-v _{DS}특성곡선이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.05 | 수정일 2022.03.14

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