"tio2 밴드갭" 검색결과 121-140 / 217건

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  Cds 제조,분광학적 성질

  필요한 핵심기반기술로 적용될 나노기술에 대한 전반적인 이해나노세계양자이론계면활성제UV- visNano 입자의 성질화학적 특성 ☞ 큰 덩어리에서 작은 덩어리로 갈수록 표면적이↑ ex) TiO2 ... gap이 2.42eV이고 태양광하에서 투명하며 노란색. ... 전자가 conduction band로 이동 → 전류흐름 Band gap 생성나노세계양자이론계면활성제UV- visThe Bend TheoryEnergy band diagram부도체반도체도체FiledFiledFiledEmptyEmptyPartially

  리포트 | 54페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.30

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  Solar Cell

  ○화합물 반도체- 밴드-갭이 서로 다른 여러 종류의 반도체를 복합하여 접합하면 태양광의 대부분 스펙트럼을 흡수할 수 있다. ... 식물은 엽록소가 빛을 흡수하지만 염료감응형 태양전지는 나노 크기의 염료분자가 이를 대신하며 주로 TiO2가 많이 사용된다. 최대효율은 11%까지 나온다. ... 태양전지의 구조와 두께에 따라8~9%의 효율을 보이고 있다.- CdTe 또는 CdS/CdTe: CdTe는 이론적 밴드-갭이 1.45eV이고 빛흡수율이 높아 박막 태양전지의 소재로 좋다

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20

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  DSSC의 원리,효율개선방안, 용어정리

  그림에서 band gap에 해당하는 부분을 확인할수 있다.밴드갭은 부도체, 반도체, 도전체에서 각각 다르게 나타나게 된다. 각각의 밴드갭은 아래 그림과 같다. ... 금속은 밴드갭이 거의 없어서 전자가 자유로이 이동한다. 띠간격의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있다. ... 1.band gap(띠간격) : 띠간격이란 아래 그림과 같이 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지

  리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.01

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  연료감응태양전지실험

  에너지 밴드 갭2. EXPERIMENT2-1. ... TiO2 61-4. 전도성 기판 61-5. 에너지 밴드 갭 72. EXPERIMENT 82-1. 실험기구 및 재료 82-2. 실험방법 82-3. 실험시 주의사항 93. ... TiO2TiO2는 백색안료중 최고 높은 굴절율을 가지고 정확한 입도와 분산성을 가지고 있으므로, 은폐력, 착색력이 우수하다.

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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  그래핀 제조 및 응용 사례 연구

  이러한 방식으로 band gap을 증가시키는 방법을 연구하고 있지만 소자 제작에 시간이 많이 걸린다는 단점이 있다. ... 마지막으로 TiO2와 그래핀을 함께 사용하는 경우는 그래핀을 전도성 nanophase로 사용하게 된다. ... 상호작용에 의한 도핑효과 크며 Ni 위에서 만든 것 과 유사한 정도의 전자 이동도와 균일성이 가능하다전도도를 실험을 통하여 확인하면 patterning 후에 band gap이 증가한다.다음

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.01.02

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  Fe2O3와 TiO2의 특성 및 응용분야

  특히 α-Fe2O3은 전도대 (conduction band)와 가전도대 (valence band) 사이의 에너지 밴드 갭 (energy band gap)이 2.2 eV이므로 하나의 ... )로 광 여기 현상이 발생하게 되어 TiO2의energy band gap이 가시광 영역까지 확장되며, 이때 oxygen vacancy이전자와 전공쌍의 재결합을 억제하는 trap site로 ... Anatase의 기본 구조는tetragonal 구조를 하고 있으며, 광 여기 (photo-exitation)가 발생하는energy band y)이 저하된다.TiO2 구조 내에 oxygen

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.04

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  광촉매에 관한 ppt 발표자료

  Energy By doping with certain appropriate metal molecules, the band-gap energy of TiO2 will be reduced ... methods of preventing recombination cannot be implemented.Future research topicsPart 3: Reducing the Band-Gap ... NH3) : TiO2 produce hydroxy radical and superoxide anion by reaction with H2O.

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.25

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  태양전지, 솔라셀

  ) 넓은 밴드갭을 갖는 반도체 산화물 (N형 반도체 역할, TiO2) 전해질 (P형 반도체 역할) 촉매용 상대전극 (양극) (백금, 탄소 나노 튜브 등) 태양광 투과용 투명전극(음극 ... →e-(TiO2) + D+: 전자주입 3) e-(TiO2) + C.E. ... →TiO2+ e-(C.E.) + 전기에너지 4) D++ 3/2 I-→D + ½I3- 5) ½I3-+ e-(C.E.) →3/2 I-+ C.E.

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.02.06

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  [학사 졸업 논문] 화학공학과 물분해 촉매관련 2018년도 졸업 졸업논문 작성시 참고하시면 좋습니다.

  (가시광선 파장: 400 - 800 nm) 그러므로 TiO2는 태양빛을 통한 물 분해에는 적합 하지 않다고 할 수 있다[9].넓은 밴드갭에 의 밴드갭과 반응 메커니즘 (a) 낮은 전위 ... 밴드가 존재하면서 태양빛을 흡수하기에 적합한 밴드갭을 가지고 물 분해 과정에서 안정성을 가지면서 전기적 특성이 좋고 가격이 저렴하지만[8], 밴드갭이 3.0 ~ 3.2 eV 로 넓은 ... 반도체의 띠간격과 흡수할 수 있는 빛의 최대 파장 [7]SemiconductorBand gap (eV)λbg (nm)Si1.11130GaAs1.4890CdSe1.7730Fe2O32.1590TiO23.0410ZnO3.2390SnO23.5350Ⅰ.2.1

  논문 | 38페이지 | 6,000원 | 등록일 2019.07.21 | 수정일 2020.02.04

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  반도체 및 나노물리학 과제물

  반도체 및 나노물리학 과제 #20702017 물리학과김지영[문제 1]band gap 보다 큰 에너지로 전이될 경우 band gap 을 초과하는 에너지는 반도체 격자를 진동 시키는 열로 ... 염료는 TiO2에 전달한 전자수만큼 전해질용액으로부터 공급받아 원래의 상태로 돌아가게 된다. ... 전지의 개방회로 전압은 TiO2 반도체의 페르미에너지 준위와 전해질의 산화환원 준위의 차이에 의해 결정된다.- 전지의 효율을 급속히 올릴 수 있다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.10

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  DSSC의 재료와 응용

  gap energy 3.3eV 이상(SnO2, In2O3, ZnO)그림 9. ... SEM images of Rutile, Anatase TiO2표 1. TiO2 구조그림 6. Crystal structures of TiO22. ... 개요전도성 유리TiO2전해질염료Pt그림 1. 염료감응 태양전지의 구조[1]그림 2. 실제 염료감응 태양전지2.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.28

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  DSSC결과보고서

  낮은 밴드갭의 TiO2 전도대로 넘어와서 FTO로 흐르는데 그 사이에 Pd층이 끼어서 전자를 더욱 용이하게 이동시켜주는 Bus Electrode의 역할을 시켜줄 수 없는 낮은 에너지 ... 이것으로 TiO2도 많이 사용하고 있는데 우리가 적용한 TiO2도 이 Blocking layer의 역할을 하기 위함이라고 할 수 있다. ... 우리는 TiO2를 Sputtering 하면 TiO2가 증착된다는 가정 하에 실험을 하였는데 실제로는 TiOx가 증착될 확률이 더 크다고 한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25

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  색다른 태양전지 설계

  있던 염료에 광 흡수를 원활히 하면서 TiO2의 전면에 골고루 흡착될 수있는 물질 코팅 (전해질과 무반응)*코팅 재료 요건전해질과 무반응 물질태양광 흡수 증진(밴드 갭1.5eV)TiO2에 ... (전해질과 무반응)코팅된 염료를 TiO2반도체에 Sputtering필요기술 미세 입자 코팅기술SputteringTiO2 반도체의 Nano particle화Kyonggi University기존에 ... 광 흡수를 원활히 하는 물질 코팅 및 흡착전해질기판TCOCounter전극기판코팅된 염료Nano particle화한 TiO2Kyonggi University개선 방안염료에 물질 코팅

  리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.01.02

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  [공업화학실험] 태양전지,연료전지 예비보고서

  State)로 변화,즉 광여기(photoexcitation)상태가 된다3) 전자 주입들뜬 전자는 TiO2의 전도대(conduction band)로 점프하게 된다.4) 전자의 확산주입된 ... 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다VOC에 관한 식은다음과 같이 주어진다.Saturation current, I0 Light generated ... 예로서 설명하자면, 얻을 수 있는 최대한의 Voc값은 p-type 반도체와 n-type 반도체 사이의 일함수 값(work function) 의 차이로 주어지며, 이 값은 반도체의 밴드갭에

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.23

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  VOC예비보고서

  또한, 이산화 티타늄은 에너지 밴드갭이 3.2eV 정도로 일반 가시광선의 높은 파장대 영역의 빛을 이용하지 못한다. ... TiO2의 장점- 저렴하고 풍부함- 산, 염기, 유기용매에 침식되지 않는 화학적인 안정성- 에너지 밴드 구조로 광촉매로서 높은 활성이 있다.- 동물실험을 통해 중독 및 발암성이 없는 ... 2. 광촉매로 TiO2 를 가장 많이 사용하는 이유, 문제점?

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.23

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  염료감응형 태양전지

  구조 및 재료TCO전극 위에 나노미터 크기의 wide band gap 반도체 미립자가 적당한 간격으로 쌓여져 있는 구조로 반도체 미립자 표면에는 염료가 흡착하여있고, 반도체 미립자와 ... 염료감응 태양전지에서 TiO2에서 전자를 받아 외부 부하에 전기에너지를 전달하는 역할을 한다. ... 반도체 소재로는 TiO2를 이용하고 염료 분자는 Ru-complex를 사용한다. 간단한 모식도로 아래 표와 같다.

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.05.27

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  염료 감응형 태양전지(DSSC)의 에너지 효율 증대 방안 연구

  gap 반도체에 이용하였다. nanorod의 길이 조절의 주 요인은 반응 시간의 간격 차이였다. current density와 cell의 특징은 nanorod의 길이에 의해 좌우되고 ... [Table-2] Pt 제조법에 따른 광전 변환 특성 비교1.2.4.5 working electrode anode반도체 conduction band 바닥상태의 전자와 전해질의 산화-환원 ... 전해질의 산화-환원 전위차와 함께 conduction band 에너지 값을 고려해야 한다.

  리포트 | 33페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.12.27 | 수정일 2020.06.05

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  광촉매 TiO2

  그리고 광촉매 효과 측면에서 상기의 두 가지 형태 중 Anatase 형이 Rutile형보다 우수하다고 보고된 바가 있는데 이는 Anatase의 가전자띠와 전도띠 사이의 밴드갭이(3.2eV ... 호수, 바다에 유입되는 폐수를 광촉매(Photocatalyst)에 환경친화적 에너지원인 빛을 조사하여 완전하게 분해시키고자 하는 노력이 계속되고 있다.광촉매는 반도체성의 물질로 밴드갭 ... )이 Rutile의 밴드갭(3.0eV)보다 커서 산화 환원력이 크며 또한 Anatase 표면의 수산기양이 Rutile상의 양보다 많기 때문인 것으로 설명되어지기도 한다.

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.30

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  나노와이어 에대한 조사보고서Total of Nanorods (or Nanowires)

  ZnO의 넓은 Band gap과 Semiconductor의 성질을 이용  다양한 분야에 응용Nanorod는 재료에 따라 물질적 특성이 결정. + 넓은 표면적과 1차원이라는 구조적 ... Porous rod 제작Ti, SiSi, TiSi substrateSiForm Zn2SiO4, Zn2TiO4 Si, TiDecompose to Zn O2HoleSi substrateZnO ... nanowireZn2SiO4, Zn2TiO4 LayerTi와 Si가 승화1300℃, 200~300 torr알루미늄 제거NaOHExperimental section4.

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.03.26

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  나노튜브

  Cells)다결정 박막CuInSe2전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로하며 약 1eV의 밴드갭을 가지고 있고 보통 0.5V이하의 open-circuit voltage(Voc) 를 ... GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭을 ... CIS의 밴드갭이 작은 편이므로 다른 종류의 전지보다 Jsc가 크고 Voc가 낮다. 최근의 경향은 Voc를 증가 시키기 위하여 Ga등의 원소를 합금시켜(e.g.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.05

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