"쇼트키 다이오드" 검색결과 141-160 / 247건

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  저항 다이오드 캐패시터 인덕터에 대하여

  약간의 전압만 가해도 전류가 흐르게 되고 일정전압 이상의 전압을 가하면 오히려 전류가 감소하는 부성 저항 특성을 가진다.5) 쇼트키 다이오드금속 (금, 은, 백금)과 반도체의 접합으로 ... 다이오드의 용도는 전원장치에서 교류전류를 직류전류로 바꾸는 정류기로서의 용도, 라디오의 고주파에서 신호를 꺼내는 검파용, 전류를 키고 끄고 제어하는 스위치 용도 등 매우 광범위하게 ... ) 터널 다이오드일반 다이오드 보다 수백배에서 수천배 불순물 농도를 높여 매우 좁은 공핍층을 형성하게 한 다이오드로 일반다이오드에서 나타나는 항복효과가 없음 즉 공핍층이 좁으므로 순방향으로

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.09.23

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  학습지도안-디지털전자회로

  (Varactor Diode) : 가변 정전용량 다이오드라고도 함 → 역방향 전압에 따라 정전용량 C 가 가변( )⑩ 쇼트키 다이오드 : 한쪽은 금속 다른 한쪽은 반도체( 대부분 n형 ... 항복전압 6[V]이상⑤ 다이오드 모델 ⑥ 제너다이오드 → 정전압 제어소자⑦ 터널다이오드 → 부성 저항영역을 가짐 : 불순물 농도를 대단히 크게특징 ： ㉠ 역바이어스 상태에서 훌륭한 ... 종류 및 특성학습목표여러 가지 다이오드의 특징을 안다.과 제(2) PN 접합 다이오드● 확산 전류 : 농도나 밀도에 의하여 전자가 이동●드리프트 전류 : 전계(전압)에 의하여 전자가

  시험자료 | 57페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.01.07

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  광센서의 모든것

  그래서 암전류는 적을수록 좋다.구조적으로 메사형, 플레이너형, pin형, 애벌런시(APD)형, 쇼트키 접합형 등이 있다.< 포토 다이오드의 특성과 용도 >구분특성용도쇼트키 포토 다이오드 ... 중거리)쇼트키 접합형?단파장에 고감도He-Ne 레이저 포토 센서(분석 장치)< 각종 포토 다이오드의 단면 구조 >(2) 포토 트랜지스터(Photo Transistor)ㄱ. ... > < 범용 포토 다이오드 >< 범용 포토 트랜지스터 > < 적외선용 포토 다이오드 >*광센서의 검출방식*?

  리포트 | 42페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.05

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  디지털 bjt 에대해

  (Schottky) TTL을 나타내며, 74LS는 저전력 쇼트키(low power Schottky) TTL을 례한다. ... 전력 소모를 90%정도 줄였으며, 74H는 고속(high-speed) TTL로서 저항값을 작게 함으로써 표준 TTL NAND 게이트에서의 전력 소모를 33%나 줄였다. 74S는 쇼트키 ... 점점 발달함에 따라 여러 가지 개선점들이 추가되어 현재 가장 많이 사용되는 디지털 집적회로이며, TTL의 종류는 회로에 사용되는 저항값과 트랜지스터의 종류에 의해 구분되며, 저전력 쇼트키

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.07 | 수정일 2021.10.30

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  스태핑모터, 다이오드와 트랜지스터 예비보고서

  쇼트키 다이오드란 반도체+금속의 접합으로 전압강하가 낮고, 속도가 빠르기 때문에 고주파 정류, 즉 SMPS 전원장치의 정류회로에 주로 사용됩니다. ... 다이오드와 트랜지스터① 다이오드다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체부품이다. 반도체란 원래 이러한 성질을 가지고있기 때문에 반도체라 부르는 것이다. ... 트랜지스터도반도체이지만 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽방향으로만 전류가 흐르도록 한다.② 용도 및 사용1.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.19

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  메모리의 기본원리와 첨단기술 현황

  NDR현상은 neutural donors들이 여기서 donor는 자유전자를 증가시키는 불순물을 의미하고, 이것들이 field에 의해 이온화되어 양전하가 되고, 이것의 영향으로 인한 쇼트키장벽의 ... trap-free상태에서의 전류와 절연막 내로 injection되는 전자의 농도를 나타 낸것인데, 실제로 어떤 특정한 전극표면으로부터의 거리와 단위넓이당 positive dipole의 수가 주어지면 쇼트키장벽은 ... B만 없으면 C와 E는 상대적으로 다이오드 구조와 유사하여 전류가 흐르게 될 것인데.

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.01.07

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  특수다이오드

  제너 다이오드 부하가 연결된 제너 조절기 광전자 소자 쇼트키 다이오드 바랙터 바리스터 자료표 읽는 법 고장수리 선택 과제제 5 장 특수 다이오드제너 다이오드 (a) 기호 (b) 다른 ... 순방향 전류가 10mA 일때 갑자기 역방향으로 바이어스 시킨다고 하면 역방향 전류가 1mA까지 감소하는데 걸리는 시간은 대략 4ns 이다.OPTIONAL TOPICE쇼트키 다이오드P형 ... Diodes)제너 다이오드와 정반대로 전류를 일정하게 유지시켜 준다.

  리포트 | 32페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.24

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  TTL NAND NOR 게이트의 정의와 동작

  즉, 포화 영역에서 베이스에 축적되는 전하를 컬렉터-베이스 간의 쇼트키 다이오드를 통해 계속 소모시킴으로써 전력 소모가 적다.포화(saturation)형 게이트 회로의 전파 지연 시간은 ... (Schottky) TTL을 나타내며, 74LS는 저전력 쇼트키(low power Schottky) TTL을 나타낸다. 74AS는 진보된 쇼트키(advanced Schottky) TTL을 ... logic)의 입력 다이오드를 트랜지스터로 대치 시킨 것이다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.11

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  LED 레포트 A+

  P-N접합 부근 혹은 활성 층에서 전자와 홀의 결합에 의해 빛을 방출한다.LED의 원리는 1907년 헨리 라운드에 의해 최초로 발견됐으며, 최초의 LED는 P-N접합구조가 아닌 쇼트키다이오드 ... Light Emitting Diode의 약자로 발광 다이오드를 뜻하며 이는 화합물 반도체의 특성 즉, n층의 전자와 p층의 정공이 결합하면서 그 에너지 차이를 이용해 전기 신호를 적외선 ... GaAs결정은 Eg가 1.4[eV]이므로 그 파장은 약 [그림 2] GaAs 발광다이오드 890nm로 된다.LED의 특징가.

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.03.09

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  어뎁터;adaptor(예비+결과)

  반도체 표면에 금속막을 증착(蒸着) ·도금 등의 방법으로 부착시켜서 만든 쇼트키형의 장벽을 통해서 반도체 속에 캐리어를 주입시킨다. ... 자기장이 약할 경우 또는 반대 방향의 자기장이 가해지면 캐리어는 재결합이 적으므로 전극 사이의 저항은 작아진다.⑦ 쇼트키 배리어형 다이오드쇼트키 배리어형 다이오드는 p-n 접합 대신 ... 실험 이론:1)다이오드다이오드는 진공관(또는 방전관) 다이오드와 반도체 다이오드가 있으며, 진공관의 경우는 2극관 또는 2극진공관이라고도 한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.17

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  엘지면접 이렇게 묻는다(면접질문)

  나이키스트이론쇼트키다이오드란?MOS 작동원리.Maxwell Equation의 식과 설명IPS, VA.우리 제품 몇인치 있는지?LCD 공정이란?

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.17

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  교류전압을 직류전압으로 변화시키는 변압기 보고서

  (스위칭용 다이오드,쇼트키 다이오드, 시그널 다이오드 등등..)예를 들어 1S1588 이란 다이오드는 스위칭용 다이오드인데 순방향으로 흐를 수 있는 최대 전류는 120mA이지만, ON ... 전압조절제너 다이오드의 전압조절다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체인데 일반 다이오드의 경우는 전류가 순방향으로만 흐르는 성질을 이용한 것이고, 제너다이오드는 역방향으로 ... 그렇기 때문에 일반 다이오드와 제너 다이오드는 전혀 다른 특성을 가지게 된다. 또한 일반 다이오드 중에서도 특성이 다른 종류가 많다.

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.07

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  기초전자회로실험/남춘우/2001년/실험2. 다이오드 특성 예비보고서.

  변조용 - 가변용량다이오드가 변조용으로 많이 사용된다.믹서용 - 실리콘 쇼트키 배리허형이 많이 쓰인다.?증폭용스위칭용 - 논리연산용과 코어드라이브용이 있다. ? ... 어느 한쪽만 사용한다)밖에 할 수 없지만, 다이오드를 4개 조합하면 전파정류를 할 수 있다.4개를 조합한 것이 다이오드 브리지(diode bridge)이다.물결무늬 같은 것은 교류를 ... 배리어형 - 금속과 반도체와의 접촉면에 생기는 쇼트키 배리어를 이용이온주입형 - 반도체에 다른 극성의 불순물을 이온주입기술로 주입하여 PN접합형성10.다이오드의 용도다이오드의 주기능은

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30

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  반도체

  semiconductor전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도인 결정형 고체들.이러한 물질들을 화학적으로 처리함으로써 전류를 흐르게 할 수도 있고 전류의 흐름을 조절할 수도 있기 때문에 다이오드

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.18

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  삼성전자 반도체사업부(SYSTEM.LSI, Memory) 기술면접(PT면접)용 대비 자료모음

  만든다면, 이것을 이용하여 + 혹은 - 3V의 기준전압을 만들 수가 있다.○ 쇼트키 다이오드- 일반다이오드는 PN접합인 반면 쇼트키 다이오드는 반도체+금속으로 된 다이오드다.- 일반다이오드의 ... 의해서는 전류가 흐르기 때문에 축척효과가 없어 역회복시간이 매우 짧다.- 그렇기 때문에 쇼트키 다이오드는 저전압이면서,대전류,고속 정류등에 많이 사용된다.- 다만 쇼트키 다이오드도 ... □ Diode○ 다이오드 동작 기본원리- P형에는 정공(전자로 채워지고 싶어하는 공간)이 많고 N형에는 -(전자) 가 있는데 둘 사이가 붙으면 자연스레 전자가 정공에 채워지고 depletion

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.27

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  다이오드정의

  : 가변 용량 특성을 FM변조 AFC동조에 응용 5.터널( 에사키)다이오드: 음저항 특성을 마이크로파 발진에 응용 6.MES(쇼트키)다이오드: 금속과 반도체의 접촉 특성을 응용 7. ... 다이오드 (Diode) : 이번 실험에서의 다이오드는 한쪽 방향으로 전류를 흐르 도록 하는 것에 목적이 있다.다이오드 (diode)실험 장면다이오드 (diode)실험 결과양단 전압Diode ... R e p o r t 실습제목 : Diode 측정다이오드 (diode)다이오드란? 다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.14

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  응용 실험(adaptor제작) 예비/결과 레포트

  반도체 표면에 금속막을 증착(蒸着) ·도금 등의 방법으로 부착시켜서 만든 쇼트키형의 장벽을 통해서 반도체 속에 캐리어를 주입시킨다. ... 자기장이 약할 경우 또는 반대 방향의 자기장이 가해지면 캐리어는 재결합이 적으므로 전극 사이의 저항은 작아진다.⑦ 쇼트키 배리어형 다이오드쇼트키 배리어형 다이오드는 p-n 접합 대신 ... 실험 이론 :1)다이오드다이오드는 진공관(또는 방전관) 다이오드와 반도체 다이오드가 있으며, 진공관의 경우는 2극관 또는 2극진공관이라고도 한다.

  리포트 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.12.19 | 수정일 2015.06.12

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  LRC회로설계

  MES(쇼트키)다이오드 : 금속과 반도체의 접촉 특성을 응용7. 발광(LED)다이오드 : 발광 특성을 응용하여 광 센서로 사용8. ... 항복전압..PAGE:29다이오드 (Diode)다이오드의 종류1. ... 배리스터 다이오드 : 트랜지스터의 출력단의 온도 보상에 사용..PAGE:30다이오드 (Diode)다이오드의 용도전원장치에서 교류 전류를 직류 전류로 바꾸는 정류기로서의 용도,라디오의

  리포트 | 34페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.08

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  14주차 외부인 침입 감시장치

  infrared sensor for intruder detection , 受動型赤外線侵入感知- ]수동적인 적외선센서에는 백금 규화물(桂化物)이 적외선을 흡수하는 것을 이용한 PtSi/p-Si 쇼트키 ... 다이오드로서, 파장 3 ~ 5 ㎛의 적외선을 검출하는 센서이다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.29

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  VLSI 설계의 여러가지 현상들

  건 다이오드와 같은 마이크로파 디바이스 혹은 쇼트키 게이트 FET로서 고속 논리회로에 쓰인다.③갈륨비소로 만든 반도체는 일반 실리콘에 비해 연산속도가 빠르고, 발광(發光)ㆍ수광(受光

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.06.20

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