"Al-Si-SiC" 검색결과 141-160 / 180건

• 

  Al-Cu-Si계 합금 제조 및 조직관찰

  Al-Cu-Si계 합금 제조 및 조직관찰( 81.5% Al - 4.5% Cu - 4% Si )Purpose금속, 비철재료 중에서 가장 대표적이고 주요한 합금의 하나인 알루미늄 합금을 ... 시편 : 81.5% Al - 4.5% Cu - 4% Si- 전기가열로, 융해로- 칼, 몰드(10개), Polisher, Grinder, Cutting Machine- Sandpaper ... 전력의 발전과 Al2O3를 액체금속으로 환원하는 Hall-Heroult공정으로 알루미늄은 가장 널리 이용되는 저렴한 산업재료가 되었다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.06.23

  다운로드 장바구니
• 

  내연기관[레포트]

  (Al-Sn-Si)계 합금을 사용한다. ... 또한 실린더의 내면에 고 실리콘 알루미늄합금을 전기 화학적으로 처리하거나, 실린더의 내면에 Ni-Sic의 복합도금을 하여 마찰손실을 줄이는 방법이 있다.나. ... 덧씌우기 연청동 합금에서는 내피로성이 우수한 납-안티몬-구리(Pb-Sn-Cu)계, 친화성이 우수한 납-안티몬-인디움(Pb-Sn-In)계 합금에 니켈(Ni)을 개입시켜 도금한것이 고속형

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.25

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사

  (Silicon Carbide)나 GaN(Gallium Nitride) 같은 경우에는 기판을 Si Wafer를 사용하지 않고, Insulator 위에 제작하는 경우가 많다.SiC는 ... 따라서 최근에는 GaN를 실리콘 웨이퍼위에 증착하지 않고, 사파이어(Al2O3)위에 GaN를 성장시킨 소자를 연구 및 사용중에 있다.[5][6] ... (from [1]).SOI는 스피넬(MgAl2O4)이나 사파이어(Al2O3) 같은 절연체의 기판 위에 실리콘의 집적회로(IC, Integrated Circuit)를 만든 소자를 말한다.일반적으로

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24

  다운로드 장바구니
• 

  [재료과학][재료과학]소결

  공유 물질들은 non-sinterability로 간주하였으나 Si, SiC, Si3N4와 소결 첨가제의 발견에 의하여 치밀화가 가능하여졌다.- 공유 물질의 불충분한 소결도의 여러가지 ... 치밀화의 메카니즘은 grain boundary diffusivity 혹은 carrier phase로 transport의 강화와 관계있다고 가정.- Brophy et al.은 W의 소결에 ... 예를 들면 Si와 Ge는 m.p에서 D10-9에 비교하여 상대적으로 낮다. 초기의 grain coarsening으로 인하여 neck curvature 제거 : 구동력 감소.

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.05

  다운로드 장바구니
• 

  [재료공학]AAO (Anodic Aluminum Oxide)에 대하여

  그림에서 나타난대로 양극산화된 알루미나의 세공배열을 매우 규칙적인데, 이러한 규칙성은 dry etching과 Nanolithography 방법으로 제조된 SiC 몰드를 이용 알루미늄판에 ... step anodizing process전해연마 1차 양극산화 에칭 구멍넓힘(2)Two step anodizing processSapphire / GaN / SiO2 / Ti / Al ... 같은 conductor나 Si같은 semiconductor, 그리고 sapphire같은 insulator 에 다양하게 AAO를 형성시킬 수 있으므로 pore의 사이즈를 조절하여 원하는

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

  다운로드 장바구니
• 

  재료 과학 솔루션 2장

  SiC: △EN=EN(C)-EN(Si)=2.55-1.90=0.65, 이는 단지 약 10% 이온결합에 해당하므로, 최외각전자수를 고려해야 한다. ... 이 예로는 SiO2(ΔEN=1.54), Al2O3(ΔEN=1.83), ZnO(ΔEN=1.79) 등이 있으며, 비닐과 나일론같은 대부분의 열가소성 고분자들은 일차결합과 이차결합을 동시에 ... : △EN=EN(C)-EN(H)=2.55-2.20=0.35이므로 이온결합이 아니다.

  시험자료 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.17

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]creep

  , Al2O32323Melamines400-480Silicon nitride, Si3N42173Polyesters450-480Chromium2148Polycarbonates400Zirconium2125Polyethylene ... --12.78.094.992.99--13Cr-0.2Al 철-5.802.371.050.69--5.271.950.690.42-16Cr 철-5.983.521.550.840.56-4.923.161.120.63 ... KDiamond, graphite4000Silica glass1100Tungsten3680Aluminium933Tantalum3250Magnesium923Silicon carbide, Sic3110Soda

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.08

  다운로드 장바구니
• 

  세라믹 재료와 금속자료

  Si3N4), 탄화규소(SiC), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3), WC, BN 등의 단일재료(monolithics)와 Al2O3-TiC, Si3N4-TiC, Si3N4 ... -TiN, TiC-TiN, 및 SiC-SiC Fiber 등과 같은 복합재료가 있다.우리나라 구조 세라믹스 제품 생산현황은 Table 1과 같은데 아직 일반용 및 산업용만 생산되어 본격적인 ... 기타 구조 세라믹스탄화규소(SiC) 원료는 전기료가 비싸 생산되지 못하고 년 간 약 2만톤 규모를 수입하고 있다.

  리포트 | 41페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.04.21

  다운로드 장바구니
• 

  신물질 제조실험

  Al-12Si합금-목차-실험목적 → 1page이론적배경 → 1-7page실험방법 → 7-10page실험 시약 및 기구사진 → 11page실험결과 → 12page고찰 및 검토→ 13page참고문헌 ... → 13page◐실험목적◑Al-12Si합금을 열처리를 해준 것과 아닌것의 결정이 어떻게 다르게 나타나는지 조직 관찰을 이용해 비교하여 본다.또한 각종 재료의 성질, 특히 기계적 성질은 ... 연마지는 종이표면에 SiC분말을 접착시킨 것으로 SiC분말의 크기에 따라 600, 800, 1000, 1500, 2000번 등으로 분류되어 있으며 본 실험에서는 5개의 연마지를 사용하도록

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.09

  다운로드 장바구니
• 

  세라믹소결

  공유 물질들은 non-sinterability로 간주하였으나 Si, SiC, Si3N4와 소결 첨가제의 발견에 의하여 치밀화가 가능하여졌다.- 공유 물질의 불충분한 소결도의 여러가지 ... 치밀화의 메카니즘은 grain boundary diffusivity 혹은 carrier phase로 transport의 강화와 관계있다고 가정.- Brophy et al.은 W의 소결에 ... 예를 들면 Si와 Ge는 m.p에서 D10-9에 비교하여 상대적으로 낮다. 초기의 grain coarsening으로 인하여 neck curvature 제거 : 구동력 감소.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.05.19

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]물질의 종류및 구조와 특성

  (Si3N4), 탄화규소(SiC) 등2) 소결체와 용융체(제조 공정에 따른 분류)- 소결체: 성형 후 열처리 작업을 수행ex) 도자기 등- 용융체: 열처리하여 원료분말을 제조 후 성형ex ... 원자수 ⇒ 2개(8×1/8+1)*배위수 : 8개(체심에 있는 원자를 둘러싼 원자수)*충진율 : 68%*bcc 구조 금속 : Pt, Pb, Ni, γ-Fe, Cu, Al, Au, Ag ... 파인 세라믹스(fine ceramics): 기존 사용되던 천연원료를 가공 또는 인공적으로 합성한 원료를 사용한 세라믹 재료ex) 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화규소

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.09.24

  다운로드 장바구니
• 

  [신소재]세라믹 복합재료

  지금까지 SiC, TiC, Si3N4, TiN, Al2O3 위스커 등이 개발되었는데 이 중 강도와 탄성계수 및 열적, 화학적 안정성이 우수한 SiC 위스커가 가장 널리 사용되고 있다 ... ·유럽우주협회에서 우주왕복선용 복합재료를 제조하는데 사용.(3) 졸-겔법(Sol-gel method)·Sol : 석출에 의해 얻어지는 100㎚이하의 작은 입자들이 분산되어 있는 상태 ... SiC 장섬유를 알루미노규산리튬(LAS) 결정화 유리와 복합화함으로써 초경합금보다 높은 24MPa m½ 의 초인성이 달성되며 더욱이 이 재료는 약 1,000℃까지 800MPa이상의

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.03.13

  다운로드 장바구니
• 

  [세라믹스] ceramics

  : tetrahedral (정사면체) → 공유결합만으로는 안정될 수 없다.SiO44-Si2O76-Si3O96-..PAGE:27Charge neutrality 만족시키기 위한 방법① ... Zn2+ : 4면체 중심(4개)..PAGE:21(d) WurtziteHexagonal 구조를 기본S2- / Zn2+- Stable at high Temperature- SiC, BeOZn2 ... ZrO2- HfO2..PAGE:23- Cr2O3V2O3Rh2O3Fe2O3Ga2O3Ti2O3(b) Al2O3 typeO ion : HCP구조 6개Al ion : 6 fold interstices

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.02.25

  다운로드 장바구니
• 

  반도체란 무엇인가?

  ), 절연막(SiO2,Si3N4), 금속박막(W,Al), 유기박막 등의 박막을 형성하는 대표적인 방법이다.*) CVD 반응의 종류- 열분해 / 환원 / 산화 / 질화 / 탄화 / 합성반응 ... CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학기상증착)은 반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는 공정으로 반도체(Si,GaAs,SiC ... 반도체에 대해---------------▲ 반도체란 무엇인가?

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.07.23

  다운로드 장바구니
• 

  조직관찰용 시편준비 및 조직관찰과 경도측정

  실험 3 조직관찰용 시편준비 및 조직관찰, 경도측정( 0.1, 0.4 탄소강, SUS, Al )목적금속 시편을 채취하여 관찰면을 균일하게 연마하고 미세한 조직을 관찰함으로써 그 곳에 ... steel), 그리고 0.6wt% 이상의 탄소량을 가진 탄소강을 고탄소강(高炭素鋼, high-carbon steel)이라고 한다. ... 한 예로 KS규격에 기계구조용 탄소강재로 규정된 SM 45C강의 공칭성분은 0.45C, 0.75Mn, 0.04P, 0.05S 및 0.22Si 이다.한편 특수강을 정확히 정의한다는 것은

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.11.19

  다운로드 장바구니
• 

  [신소재공학] LED

  GaN의 경우에는 동종 기판이 없기 때문에 주로 사파이어나 SiC 위에 성장된다. ... 우선 기판 위에 약 20∼30nm 정도의 버퍼를 성장하고 그 위에 2-4 m 정도의 n형 GaN (n-GaN)를 성장한다. n-GaN 성장시 도너로서 Si을 도핑한다. ... 이후 1952년에는 Si과 Ge의 반도체 p-n 접합에서 발광이 처음 보고가 되었고, 또한 GaP와 같은 III-V의 화합물 반도체가 LED재료로써 처음으로 제안되기도 하였다. 1955년에는

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.01.27

  다운로드 장바구니
• 

  신소재

  사용 재료로는 다이아몬드, 알루미나, CBN, Al2O3-TiC계, Al2O3-ZrO2계 등이 있다.초경 재료의 대표적인 것으로 머시너블 세라믹스가 있다. ... SiC는 내열성 및 내산화성이 우수하여 Si3N4와 더불어 고온 고강도 재료로서 유망하다. ... Si3N4, SiAION, SiC 등은 엔진 재료, 터빈 재료 등의 기계 구조용 세라믹스로서 개발되고 있으며 특히 SiC는 용광로형 내화 재료, 가마재임도구, 원자로형 재료, 복합

  리포트 | 39페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.03

  다운로드 장바구니
• 

  [조명용 LED기술]질화물 반도체를 이용한 차세대 조명용 백색 LED 기술

  우선 기판 위에 약 20-30nm 정도의 버퍼를 성장하고 그 위에 2-4μm 정도의 n형 GaN (n-GaN)를 성장한다. n-GaN 성장시 도너로서 Si을 도핑한다. ... GaN의 경우에는 동종 기판이 없기 때문에 주로 사파이어나 SiC 위에 성장된다. ... 빛을 발산하는 활성층 (active layer)은 InGaN층을 우물(well)로 하고, 벽층 (barrier layer)으로 (Al)GaN 층을 성장 함으로써 이루어 진다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.29

  다운로드 장바구니
• 

  수소 열처리 온도에 따른 AZO(Al-doped Zinc Oxide)의 구조적, 광학적, 전기적 특성 변화

  전도성 기판으로써 Si의 경우 낮은 가격 및 공정의 용이함으로 GaN 및 SiC 등의 기판에 비하여 많이 응용되고 있다. ... ZTO타깃은 순도 99.99%의 Al(2wt%) 도핑된ZnO 상용 2인치 타깃을 사용하였다. ... 유기발광소자 및 태양전지에서 전도성 투명전극으로 Indium-tin-oxide (ITO)가 일반적으로 많이 사용되고 있지만 Indium의 희소성, 유독성 및 높은 가격으로 인하여 Indium의

  논문 | 1페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.07.17 | 수정일 2016.11.25

  다운로드 장바구니
• 

  [공학]전자재료

  전자 재료의 종류① 반도체 재료-Si, GaAs, InP, ZnS, ZnSe 등과 같은 반도체적 특성을 가진 재료② 유전체 재료-세라믹 재료가 가지는 매우 높은 전기저항을 이용한 절연체 ... 사용 [예; ZrO2, MoSi2, LaCrO3, SiC]③ 압전성 재료 : 압전특성의 이용a. ... 세라믹스 재료의 전자기적 기능① 절연성 재료 : 전기를 통하지 않고 차단하는 성질IC기판 [예; Al2O3, MgAl2O4, BeO]② 도전성 재료 : 전기를 통하는 성질발열체 등으로

  리포트 | 37페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.10.02

  다운로드 장바구니