"Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor-field effect tra" 검색결과 141-155 / 155건

• 

  [고분자화학] 전도성 고분자의 기술현황과 전망

  그런데 최근 테트라센을 비롯한 폴리아센 (polyacene) 계열의 고순도 유기 고체 결정을 이용하여 제작한 MIS (metal-insulator-semiconductor) 소자의 ... 뿐만 아니라 저온에서 정수 및 분수 양자 홀 효과 (quantum Hall effect) 및 Subnikov-de Haas effect도 관측했다. ... 이렇게 합성한 PA 필름은로 도핑시 12000S/cm의 높은 전기전도성을 보여준다.

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.08

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체]반도체의 원리

  effect transistor)에는 접합형 FET와 MOS (metal oxide semiconductor)형 FET가 있으며, 어느 것이나 캐리어의 이동을 전계로 제어하는 방식이다 ... 게이트 전극 아래 부분에는 수 십 [μm] 정도의 산화물 절연체를 만들어 게이트 전극의 금속(metal)-산화물(oxide)-반도체(semiconductor) 의 구조를 취하고 있다 ... (라) BJT와 FET의 비교FET(Field Effect Transistor)는 BJT와 더불어 매우 유용하게 사용되는 3단자 소자이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.09.22

  다운로드 장바구니
• 

  센서의 종류, 특징, 원리, 용도에 대하여..

  oxide semiconductor field effect transistor) 구조에서 pn접합이 광전변환과 함께 신호전하 축적 광조사에 따른 전위차 저하 주사펄스에 의한 충전전류 ... 전자빔이 주사 신호검출- 대형 크기, 정밀성 TV 카메라, 감시용 카메라, VTR 카메라 사용2) 고체 이미지 센서- MOS 이미지 센서의 원리: p형 Si기판 + n형 MOSEFT(metal ... 광센서1) 광전자 방출형 센서- 원리 : 빛의 진동수가 어떤 한계 진동수보다 커지면 금속으로 전자가 방출되는 광전자 방출효과(photoemissive effect)를 이용한 센서-

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.12.20

  다운로드 장바구니
• 

  [센서]센서의 정의 및 분류, 특성

  oxide semiconductor field effect transistor)구조에서 pn접합이 광전 변환과 함께 신호전하 축적 광조 사에 따른 전위차 저하 주사펄스에 의한 충전전류 ... 주사 신호 검출- 대형 크기, 정밀성 TV 카메라, 감시용 카메라 , VTR 카메라 사용{{고체 이미지 센서- MOS 이미지 센서의 원리 : p형 Si 기판 + n형 MOSEFT(metal ... 생물학 용어인 감각기(sensorium) 와 같은 말이며, 라틴어의 sensus에서 만들어진 공학용어이다(2) 센서의 분류{구 분센 서분류 방식구성방법조립센서 : 소자형 센서조합센서

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.28

  다운로드 장바구니
• 

  [초정밀] 초정밀 위치 결정 기구

  Piezo TubeThe piezo-tube that use horizontal effect is coating with metal in the inner and outer surface ... semiconductor is increased for 3 times during 3 years. ... Because of it, line width on semiconductor at the 21st century will be decreasing for 0.7 times per 3

  리포트 | 36페이지 | 2,000원 | 등록일 2001.12.26

  다운로드 장바구니
• 

  [공학] DNA chip

  oxide semiconductor field effect transister)를 도입하면서 400개까지 개발되었고 현재는 10,000개 이상의 전극을 올리potential을 걸어주어 ... 미세식각기술과 가공기술을 이용하여 microchip을 만들었는데, Substrate에 미세전극을 만든 것인데 그 개수가 1㎟ 당 25개에서 시작해서 CMOS (complementary metal ... (Probe array synthesis process) 각 probe sequence는 약 1 ㎠ 내외의 유리 표면 위에서 합성된다.Probe array는 위와 같은 합성 단계를

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.23

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체공정] 산화막 성장기구( Oxidation growth mechanism )

  방법으로 성장속도가 빨라 두꺼운 산화막 성장 등에 사용된다.(2) 산화막(Silicon Oxide) 용도① Isolation (field Oxide, Inter-Metallic Dielectrics ... 산화, 1000℃, 1시간) ][ 다결정 실리콘의 산화(건식식각, 900℃) ]3) Wafer Type (결정방향의 영향)조밀 충진면일수록 성장 속도가 빠르다.4) Dopant Effects ... , 층간 절연층)② diffusion Mask (Ion Implant or Diffusion)③ Surface Passivation④ Functional Insulator, 즉 Dielectrics로

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.13

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 정리4

  이 금속 산화물 반도체(metal-oxide-semiconductor) 구조로 하면 게이트와 기판 사이에 외부에서 전압을 인가 할 때 전계가 채널에 영향을 미친다. ... FET(field effect transistor)전장 효과 트랜지스터는 보통 트랜지스터와는 달리 다수 반송자(carrier)에 의하여 전류가 흐르며, 특성은 5극 진공관과 비슷하다.그림 ... n형 반도체의 양 옆 면은 억셉터 원자로 진하게 도우핑되어 있으며, n형 반도체와 pn 접합을 이루고 있는데, 이 p+형 영역을 게이트라 한다.② 절연 게이트형(MOS) FET(metal-oxide-semiconductor

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.08.27

  다운로드 장바구니
• 

  [Photolithography]Lithography

  -마스크는 음양에 따라서 Dark filed와 Light field 로 나눌 수 있다.-마스크는 종류에 따라 하드마스크와 에멀젼마스크로 구분할 수 있다.2.) ... 예로써 cantilevered 구조물제작에 용이하다.4) Antireflective Coating(무반사코팅)(ARC)-Thin Film Interference Effect무반사코팅은 ... 존재한다는 뜻이다.RCA1, RCA2, RCA 는 cleaning에 사용되는 chemical의 조합비를 나타내고 있다.RCA1은 organic dirt의 제거에 사용되며 RCA2는 metal

  리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.04.07

  다운로드 장바구니
• 

  DRAM,ASIC,ROM,EPROM and MISFET

  ＝ROM writer- MISFET (metal insulator semiconductor field effect transistor) -비휘발성 MISFET는 강유전체를 gate ... insulator로 사용하여 강유전체의 잔류분극 현상에 의해 생기는 hysteresis를 이용하여 소자가 turn-on된 상태에서 전원이 나가도 소자가 on 되는 상태를 유지하는 FET소자이다 ... 따라서 수 ms(mili second : 1/1000초) 마다 똑같은 데이터를 써넣는 동작이 필요하며 이러한 동작은 자동적으로 수행되도록 회로가 구성되어 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.08.06

  다운로드 장바구니
• 

  [생물학] DNA chip

  Substrate에 미세전극을 만든 것인데 그 개수가 1㎟당 25개에서 시작해서 CMOS (complementary metal oxide semiconductor field effect ... 자동화된 pin arrayer를 통해 96-well plates로부터 glass slides 위에 직접 spot들을 찍는다. ... 지금 우리는 30여종의 유기 생명체의 DNA sequence를 완전히 밝혀 알고 있으며, 인간 DNA sequence도 genome project를 통해 밝혀내고 있다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.04.14

  다운로드 장바구니
• 

  [센서]여러가지 센서 실험

  SiO2,Al2O3,Si3N4등이 사용된다.SiO2막을 사용한 것은 특별히 MOS(metal oxide semiconductor) FET 라고 부르며 JFET에 비해 다음과 같은 ... Effect Transistor)다수 반송자의 반도체의 표면에 따라 드리 프트를 게이트 전장에 의해 제어하는 방식이며 , 소수 반송자의 주입이 없으므로 축적 효과에 의한 응답 속도의 ... 영역의 불순물 밀도의 분포를 만들어 내부의 전장에 의한 소수 반송자의 드리프트 효과를 생기게 하므로서 플레나형의 주파수 특성을 개선한 것◎ 특수 트랜지스터a 전계 효과 트랜지스터(Field

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.06.06

  다운로드 장바구니
• 

  반도체 공정기술

  ) - 반도체 (semiconductor)의 형태로 이루어졌기 때문에 나온 말- MOS 소자는 엄격히 Unipolar 소자로 분류해야 하나 워낙 널리 쓰이므로 unipolar소자의 ... * FET = unipolar transister, BJT = bipolar junction transister● Biopolar transister - npn or pnp 형의 semiconductor ... S.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.10.17

  다운로드 장바구니
• 

  [전자회로실험] FET의 특성

  {그림 1 (a) BJT (b)FETJFET와 금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET : metal-oxide-semiconductor field-effect transistor ... FET그림 1-a에서와 같이 BJT는 전류제어형 디바이스인 반면에 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET : junction field-effect transistor)는 그림 1-b에서와 ... 전극에는 드레인(D), 소스(S), 게이트(G)의 3개가 있다.

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.04.29

  다운로드 장바구니
• 

  각종 반도체의 종류와 특성 및 제조에 관한 정리

  전계효과 트랜지스터(Metal-semiconductor field-effect transistor/MESFET)는 그 전도 과정에 주로 한 종류의 운반자만이 참여하기 때문에 단극성 ... 이것은 2개의 저항성 접촉을 지닌 전도 채널로 구성되어 있다. 2개의 저항성 접촉 중에서 하나는 소스(source)로 ... 금속-반도체 전계효과 트랜지스터{그림7. 1) MESFET의 개략도2) MESFET의 전류-전압 특성3) MESFET의 전기기호 표시(S는 소스, G는 게이트, D는 드레인)금속-반도체

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2001.04.06

  다운로드 장바구니