"VCB" 검색결과 141-160 / 268건

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  전력계통

  고압진공차단기 (VCB)21. 고압차단기 성능 비교 - (1),(2),(3) 22. 자동전환 부하 개폐기 (ALTS) 23. 부하개폐기 (LBS) 24. ... 소형 경량이고 구조가 간단하며 보수 등이 용이한 장점을 자지고 있음.심벌고압차단기 성능 비교 (1)진공 차단기 (VCB)Tank형 유입차단기 (OCB)극소유량 유입차단기 (LOCB) ... TR (1.5~2배) 일반부하 (1.5배)계기용 변압기 (PT) 역할모선전압측정전압 보호전압 값 원격통신110V1차측 전압2차측 전압전압계전압보호 계전기전압 변환계고압진공차단기 (VCB

  리포트 | 49페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.10.22

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  휘스톤 브릿지를 이용한 전기저항 측정 (레포트)

  즉 전압강하 Vca와 Vcb가 같고, Vad와 Vbd가 같다. 따라서I1R 1= IkR k , I2R 2=IxR x가 성립한다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.30

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  바이폴라 트랜지스터(BJT)

  VEB를 0이라고 하고, VCB를 어느 정도 줬다고 생각해보자. ... 트랜지스터는 증폭을 하니까 당연히 1보다 클 것이다.에너지증폭률 =출력에너지≒e(ΦD+VCB)>1입력에너지eVEB이미터에 100개의 전자가 공급되면 이중 1-2개는 재결합으로 소멸한다고

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.26

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  05.결과 Kirchhoff`s Voltahe Law(KVL)

  다중 전압원을 가지는 경우(1) 아래 회로를 구성한다.(2) 회로내의 각 점간의 전압인 VBA, VCB, VDC, VED, VFE, VGF, VAG의 값을 측 정하라.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.07

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  [워드2003]전자회로실험_사전5_8.쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성

  또 VCB가 커질수록 IE가 커지고, VCB가 커질수록 VEB가 커진다.(VCB효과는 무시되기도 한다.)⇒ VCB

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.01

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  MATLAB을 이용한 반도체 소자의 특성

  Assume active mode biasing and a VCB < 0 such that the VCB terms in Eqs. (11.47) can be neglected. ... Taking VCB = 0 so that ΔPB(W) = 0, construct a multicurve plot ofΔPB(x)/ΔPB(0) versus x/W corresponding ... 1 0 1]);% plot의 label과 이름을 붙여준다xlabel('x/w');ylabel('delta-PB(x) / delta-PB(0)');text(0.4, 0.85, '< VCB

  리포트 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.01.13

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  BJT DC Characteristic and Bias 예비보고서

  VCB = VCE - VBE → 역방향 전압다) 위 전압이 가해진 상태를 능동 상태라 하고, 증폭 작용은 이 상태를 이용한다.라) 전류의 흐름 : 능동 상태일 때마) IC는 IB에 ... 속으로 들어간 전자 중에서 C - B 접합면까지 도달하고 이어서 컬렉터 속으로 끌려 들어간 전자의 양에 상당하는 전류더) IE, IB, IC는 VBE에 의해 크게 변화한다.러) VCB

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.04

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  평형브릿지,중첩의정리-결과

  VCB이 되야한다. ... 왜냐하면, 각 가지의 전압강하는 옴의 법칙을 이용하면 VAB = I1R1 VDA = I2R2 VCB = I3R3 VDC = IxRx 이고, 브릿지가 평형을 이루기 위해서는 VAB =

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.25

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  [전자회로실험]사전5_8.쌍극성접합 트랜지스터(BJT) 특성

  또 VCB가 커질수록 IE가 커지고, VCB가 커질수록 VEB가 커진다.(VCB효과는 무시되기도 한다.)⇒ VCB

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.01

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  트랜지스터와 cmos 발표자료

  = 누설전류 이미터 측을 차단하고 컬렉터-베이스 사이에 역방향전압 VCB를 공급했을 때 컬렉터와 베이스간의 소수 반송자에 의한 컬렉터에 흐르는 전류의 크기 동형의 트랜지스터 일 때 ... 일정할 때 ∆IC/∆IE는 α VCE와 VCB가 일정한 경우 α나 β 둘 중 하나를 구하면 나머지를 구할 수 있음 α의 작은 변화는 β의 큰 변화를 일으킴 α 측정이 매우 정확해야함 ... 접지 회로에서 전류증폭도 컬렉터전압을 일정하게 유지 IB의 변화에 대한 IC의 변화의 비율(hfe)*11장 기초이론트랜지스터에서의 전류이득 VCE가 일정할 때 ∆IC/∆IB는 β VCB가

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.20

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  실험 8. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성

  또 기호 VEB, VCB, VCE는 각각 이미터-베이스, 컬렉터-베이스, 컬렉터-이미터 사이의 전압을 나타낸다.바이폴라 트랜지스터는 차단, 포화, 선형의 3가지 모드로 동작한다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.04

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  트랜지스터의 동작특성 예비레포트

  VEB, VCB 및 VCE를 측정하여 극성과 함께 기록하라.R2를 최대치로 두고 계기 측정 범위를 조정하여 lE, Ic, VEB, VCB 및 VCE를 측정하여 표 21-1에 기록하라.스위치를 ... 모두 개방하여 이미터-베이스 회로를 개방하라.Sl을 닫고 ICBO와 VCB를 측정하여 표 21-1에 기록하라.실험 결과 및 고찰표21-1단계IEICVEBVCBVCEIBbc10

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.22 | 수정일 2015.01.30

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  기초회로실험 키르히호프의 전류, 전압 법칙 KCL, KVL

  합성저항으로 나누어준 값에 전압을 곱해주어서 계산하였다.다음은 퍼센트 오차를 구하는 과정을 표로 나타내었다.전압 강하계산과정Vab100*|(5.119-5.0)|/5.0=2.38%Vcb100

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.11.05

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  TR(트랜지스터) 동작원리

  따라서 TR의 각 단자간 전위는 가변저항처럼 Vce = Vcb + Vbe로 해석할 수 없는 것이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.29

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  평형브릿지,중첩의정리_예비

  = IXRX브릿지가 평형을 이루기 위해서는 VAB = VCB이 되야한다. ... 이 상태에서 브릿지는 평형(balanced)을 이루었다고 한다.각 가지의 전압강하는 옴의 법칙을 이용해 구할 수 있다.VAB = I1R1 VDA = I2R2VCB = I3R3 VDC

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.25

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  전자회로실험05예비-트랜지스터의 DC 특성

  ICBO이므로,여기서 ICBO는 그림 5-5에서 표시한 바와 같이, IE = 0일때의 콜렉터 전류로서, 베이스-콜렉터 접합의 역방향 포화 전류 ICO를 가리킨다.베이스 공통 구성에서 VCB의

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.15

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  평형브릿지회로 및 중첩의 정리

  = I3R3 , VDC = IXRX VAB = VCB I1R1 = I3R3 I1/I3 = R3/R1 VDA = VDC I2R2 = IXRX I2/IX = RX/R2 I1 = I2 ... 정밀한 저항값을 측정하는데 사용된다. 3.휘이트스톤 브릿지가 평형인 상태에서, 서로 마주보는 저항의 곱은 같다.평형 브릿지 회로(이론)VAB = I1R1 , VDA = I2R2 , VCB

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.11

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  [전자회로실험] BJT 증폭기의 DC 바이어스 예비보고서

  VBE, VCB 전압도 같이 측정하여 동작영역을 확인한다.3. 같은 방법으로 Q2, Q3의 트랜지스터에 대해 과정 2를 반복 측정한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.10.05

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  TR의 입출력 특성 (에미터,컬렉터,베이스)

  second sweep으로 출력 전압 VCB 을 변화 시켰으나 출력 전압 VCB가 꽤 넓은 범위에서 변화 하더라도 곡선의 모양에 거의 차이가 나타나지 않아 잘 보이지 않는다. ... 우선 IC=0 일 때 VCB가 양의 방향으로 조금만 증가해도 급속히 올라가는 것을 볼 수 있다. VCB가 약 -0.52~0V까지는 saturation영역임을 알 수 있다. ... 이 때 출력은 VCB IC이다.트랜지스터는 npn을 사용하였다.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.27

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  [공학]트랜지스터 - 실험보고서(예비, 결과)

  IE, IC, VEE, VCB 그리고 VCE를 관찰하고 측정하여 기록한다. ... VCB를 측정하고 기록한다. 전압의 극성을 표시한다.NPN 바이어싱(5) S1을 연다. ... 데이터를 기록한다.이미터-베이스(VEB), 컬렉터-베이스(VCB), 컬렉터-이미터(VCE)전압을 측정하여 표 10-1에 기록한다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.21

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