"질소 도핑" 검색결과 161-180 / 183건

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  [공학] Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정

  N-type 도핑영역과 P-type 도핑영역이 같음을 볼 수 있다.B. ... 터널링 산화막은 800 상압에서 질소로 희석시킨 산소(O2:N2=7.25 /min:7.75 /min)를 사용해서 열산화시켰으며, 질화막은 785 에서 DCS와 NH3의 혼합가스(DCS ... 계산한다.도핑 농도는 Vt에 관한 함수임을 사용하여 소스와 드레인 근처의 도핑 농도 분포는 그림 4와 같다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.17

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  SOI와 TFT 기판제작방법

  대해 2 단계의 열처리 과정을 거친다. 1단계 열처리는 400 ~ 600C 에서 이루어지는데, 이때 이온 주입 부분을 경계로 하여실리콘 기판이 떨어져 나게 되며, 다음 단계로서 질소 ... 반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.2.Sputtering 공정(증착공정)Sputtering은

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

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  [디스플레이]PLED

  고분자는 금속이나 무기물질과 근본적으로 다른 것은 탄소, 수소, 질소 등과 같은 가벼운 원소들이 공유결합으로 이루어진 유기물질로서 한분자의 크기가 적어도 1만g/mol 이상이 되며 ... 도핑 된 고분자의 전기 전도 메카니즘은 준1차원 도약 전도 모형(Quasi one-dimensional hopping model)으로 설명이 되고 실온 이상에서 온도 상승에 따른 전도도의 ... 등으로 입체 장애를 받으면 작아지고 따라서 에너지가 큰 청색 쪽으로 빛을 낸다.공액 2중 결합형 고분자는 실리콘 반도체와 비슷한 크기의 띠간격을 가지며 분자 구조에 따라 p 또는n 도핑

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.11.19

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  [반도체공학]반도체의 종류와 구분

  (Doping)진성반도체에 불순물(impurity)을 집어넣는 것을 도핑(doping)이라 한다.도핑한 정도에 따라 전기전도도가 결정.이와같이 도핑된 반도체를 외인성반도체(extrinsic ... 소수캐리어라 부른다.[1] n형 반도체① 진성 반도체에 원자가(가전자)가 5가 원소인 도너 불순물을 넣은 반도체② 도너(donor) : 과잉 전자를 만드는 불순물③ 도너 불순물 : N(질소 ... 흐름전하운반자(charge carrier)두가지 형태의 전류 흐름.그림1에서 보듯이 전류에 기여하는 전하운반자는 두 개가 있다;전류 = 자유전자에 의한 전류 + 정공에 의한 전류☆ 반도체의 도핑

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2004.05.15

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  [탄소나노튜브] 탄소 나노튜브

  그리고 또 한편으로 탄소는 산소, 수소, 질소 등과 결합하여 우리 몸을 비롯한 모든 생물체의 가장 중요한 구성요으로 플러렌이라고 부름)이 처음 발견된 이래 전 세계의 많은 연구소에서 ... 이러한 밧줄형태의 튜브는 일부러 도핑을 하지 않아도 저절로 도핑한 반도체의 성질을 띠는 것을 발견하였다. ... 도핑할 필요가 없다는 것이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.08.26

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  반도체 제조공정 실험

  룰의 축소와 함께 얇아지고 있다.현재는 5~7mm수준의 극히 얇은 산화막을 필요로 하는 수준에 까지 이르고 있다.산화분위기 확산로 중에 NO2, NH3등을 혼입하여 어느 정도의 질소 ... 산화공정에 영향을 주는 변수Oixdants(산화제), 웨이퍼의 결정구조, 온도, 시간, 도핑농도, 압력, 표면상태? ... 습식과 건식산화 과정에서 산화율에 영향을 주는 다른 요소로는 압 력,결정성,불순물 도핑이 있다. 수증기는 이산화 실리콘에서 산소보 다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.01

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  [신소재]탄소재료

  또한 탄소재료의 또 다른 성능 향상을 목표로 해서는, 지금까지와는 다른 구조를 갖는 탄소재료의 개발이나 전자상태, 구조를 개질 하기 위해 보론, 질소, 실리콘, 인등의 이종원소가 도핑된 ... 이와같은 재료는 액체질소 온도 등의 저온에서만 수소를 흡착하지만 54기압에서 약 5wt.% 에 달하는 결과가 보고되고 있다.

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.28

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  나노 기술과 현재 개발된 것이나 진행중인 기술

  전자제품을 만들 수 있다.첫째, 이 반도체는 이미 도핑이 된 효과를 지니고 있어 그 응용을 위해 따로 도핑할 필요가 없다는 것이다. ... 탄소는 오랜 세월동안 인류와 친숙하게 지내온 물질이다.그리고 또 한편으로 탄소는 산소, 수소, 질소 등과 결합하여 우리 몸을 비롯한 모든 생물체의 가장 중요한 구성요소가 된다. ... 도핑을 한 반도체에는 미량의 전류가 흐를 수 있으며 이것을 외부전압을 통해 조정함으로써 반도체 소자로 이용할 수 있게 된다.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.04.13

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  [전자전기정보공학] 플라즈마

  )/C, CrN(질소화크롬)/C, AlN(질소화알루미늄) 등과 같은 초경 피막을 코팅함으로써 표면의 내마모, 내부식 성질을 개선할 수 있다. ... 특히 박막 형태로 얻어지고 있으며, 이종 기판상 반도체 소자나 청색 발광 다이아몬드 등과 같은 획기적인 이용분야가 전개될 전망이다.이 외에도 제조된 반도체 소재에 플라즈마 형태로 도핑을 ... 또한 고분자의 표면을 질소나 산소 플라즈마 등으로 처리하면 고분자의 표면에 친수성이나 소수성을 줄 수 있거나 제전성, 양색성, 심색성 등을 향상시킬 수 있으며, 금속재료를 질소나 메탄가스

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.10

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  [응용실험] N+P 다이오드 제작

  . --> 약 1.5um 정도로 확산됨6. 20분후 SCR #2 OFF 하고 furnace 내의 온도를 300 까지 식히고 질소를 끈다.7. 계속 온도를 내려서 식힌다.8. ... 예를 들어 p형쪽이 n형 쪽보다 약간 적게 도핑이 이루어져 있으면 공간전하영역은 n형보다는 p형 물찔쪽으로 더 깊이 퍼져서 같은 양의 전하가 노출되어야한다. ... 계산을 하는 데 쓸 수 없게 되기 때문이다.따라서, 이 취급방법에서는 기본적인 해에는 거의 영향이 없는 작은 효과들은 무시하면서 접합부를 수학적으로 설명할 것 이다.접합부 양쪽의 도핑의

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.22

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  [운동 영양]보충제와 약물

  체내에 질소가 많아지면 그 만큼 동화작용도 활발해져서 근육 성장률이 높아진다. ... 크레아틴은 소변을 통해 항상 조금씩은 배출되고 있기 때문에 도핑 테스트에서의 금지 약물은 아님크레아틴 부작용부작용 과다섭취시, 혹은 장기간 섭취시 근육경련, 수분 부족에 의한 열사병 ... 약물의 종류약물의 예근육강화 보충제단백질 함량이 70%이상, 탄수화물은 10-20% 단백질은 근육을 형성, 근조직을 회복 단백질에 포함된 질소는 체내에서 동화작용에 영향을 미치는 성분으로

  리포트 | 36페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.12.02

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  반도체 제조공정

  오븐의 온도는 60~100°c 로 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분 정도 건조 시킨다.5. ... 저온 저압 공정으로 반응로와 웨이퍼부터의 자동 도핑의 감소가 가능하다. 에피 성장 의 경우도 동일 웨이퍼에서나 웨이퍼간의 면저항의 균일성이 좋다.3. ... 질소로 희석된 산소와 수소 화합물을 각각 다른 노즐을 통해 바로 밑에 위치한 기판 위로 내보내는 연속 처리 장치3.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.12

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  수소 열처리 온도에 따른 AZO(Al-doped Zinc Oxide)의 구조적, 광학적, 전기적 특성 변화

  ZTO타깃은 순도 99.99%의 Al(2wt%) 도핑된ZnO 상용 2인치 타깃을 사용하였다. ... 마지막에는 증류수로 10 분 간 초음파 세척기에 담근 후 질소가스를 이용하여 건조 후 사용하였으며, 박막의 사이즈는 10 × 10 mm2의 크기로 절단하여 사용하였다.

  논문 | 1페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.07.17 | 수정일 2016.11.25

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  [전자회로] 모스캐패시터

  만드는 방법.===> 50%HF를 D.I water와 1:1:19의 비율로 혼합한다.5) D.I water에 wafer를 넣고 다시 ultra sonic에 5분간 세척한다.6) 질소 ... 대해서 알아보도록 하자.(1) 기본동작p형 Si기판 위에 n형 채널이 형성된 경우의 기본적인 MOS트랜지스터를 참고그림 1에 나타냈다. n+형 소스와 드레인영역은 비교적 저농도로 도핑된 ... 원래 표면에 있던오염물이 산화층 위로 올라가 덜 위험해지게 된다.② 확산 마스킹(Diffusion Masking)도핑방법은 산화막에 패턴을 형성하고 도펀트를 확산 또는 이온 주입시키는

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.02

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  [자연과학]박막과 MEMS

  CVD는 IC(집적회로)등의 제조공정에서 기판 위에 실리콘 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로서 실리콘 산화막, 실리콘 질소막, 아모르퍼스 실리콘 박막 등을 만드는데 쓰인다. ... 또한 매우 가파른 경계면과 두께, 도핑광 구성성분이 잘 조절되어 고순도 박막층을 만들 수 있고 이러한 고차원적 조절이 가능하기 때문에 매우 급격한 계면을 갖는 고품질의 막을 제작 가능하다

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.11

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  사진식각공정

  ① 식각하기전 하드베이크 과정을 공기분위기에서 수행해서 감광막의 얇은 막이산화되도록 함② 현상과 세척과정을 중복2.언더컷과 과도 에치3.감광막의 일어남과소 노출이나 웨이퍼 표면의 도핑에 ... 웨이퍼를 밀어서 생김)-마스크 열화-질소 세척 (산소제거 목적으로 감광막선에 틈이 생기는 결함이 있다.) ... 감광막의 산화현상: 감광막이 심하게 과소 노출되면 색띠가 육안으로 보이게 된다.원인: 노출 중의 불충분한 질소 세척 때문7.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.22

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  [반도체] 실리콘 반도체와 화합물 반도체의 차이

  도핑하면 이 질소가 전자를 포획하여 마치 direct 반도체 conduction band 처럼 행동하는 특징이 있데 이것을 이용한 것이다.* 실리콘 반도체Si은 전기적 절연성이 뛰어나고 ... Phosphorus)는 0.55㎛로서 연두색의 빛을 낸다.이 GaP는 특이하게 indirect 반도체 인데도 빛을 발생시키는데 결정 자체는 indirect 반도체이므로 빛을 낼 수 없지만 여기에 질소를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.02.22

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  [재료공학(고분자공학)] 감광성 고분자를 이용한 PR(Photoresist) 공정,고흡수성 수지를 이용한 흡수력 테스트

  잡아 당겨 늘어난 고무를 액체질소로 동결시키면 늘어난 대로 있으나 이것을 실온까지 온도를 올리면 녹아 원래의 길이로 되돌아간다. ... 이것이 복합막이 내열성을 갖는 원인이다.고분자구조도핑 물질전도도(s/cm)PolyacetyleneI2, Br2, Li, Na, AsF510,000aPolypyrroleBF4, ClO4 ... 빛에 민감한 작용기인 이중결 합의 반응성, 신남산 에스테르기에 의한 다리걸침반응, 아지드기에서 질소분자를 방출하 여 생기는 다리걸침반응, 디비닐형(形) 단위체를 함유하는 중합체의 광중합에

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.23

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  [발광 고분자] 전기발광 고분자 (ELD)2

  Surface area analyzer 질소가스의 흡탈착에 의한 BET법으로 실험 측정 6. ... 가장 이상적인 구조는 Host에 Guest를 도핑하여 발광 층을 만드는 것이다. 5) 전자 수송 및 전자 주입층용 유기 저분자 재료 1.

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.11.26

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  [반도체공학] 반도체 제조공정

  액체, 기체)을 이용하여 식각Device processSpin Rinse dry(SRD) 회전, 헹굼, 건조를 말하는 것 DI water로 세척 UHP(Ultra high pure)질소로 ... 이용 : 반도체 제조 공정중 각종 불순물 도핑(Impurity doping), 금속의 표면처리, 신재료 개발 등에 사용Device processChemical Vapor Deposition

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.02

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