"CdS 박막" 검색결과 161-180 / 213건

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  화합물 반도체

  범위에 있는 물질이며, 어떤 온도 이상으로 온도가 높아질수록 저항률이 떨어지는 것입니다.여기에는 원소 주기율표 3-5족의 비소화갈륨 GaAs·인화갈륨 GaP, 2-6족의 황화카드뮴 CdS ... 전자의 이동속도도 실리콘 반도체에 비해 10배 이상 높아 고속동작 특성의 소자를 만드는 데 주로 이용하고 있다Fig.1 화합물 반도체 응용분야게다가 화합물 반도체는 서로 다른 반도체박막을

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.06

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  About 태양전지

  다결정이 19%정 도인 것으로 예측된 바 있다.② 비정질 실리콘 태양전지(Amorphous Silicon Cells)비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막 ... 몰리브덴(Mo) 으로 코팅된 유리기판 위에 p-type 반도체인 CIS층을 증착하고 그 위에 n-type CdS를 주로 화학적 용액성장법 (chemical bath deposition ... CdTe전지 기술은 소위 "superstrate" 구조가 제안되고 마지막으로 화학적 용액 성장법으 로 CdS를 입히는 공정이 제안되었을 때 각각 전지의 효율이 획기적으로 증가되었다.4

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.23

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  태양전지

  실용화단계에 이르지 못하고 있는 실정. 7)이용 화합물들 -III-V족 화합물계 : GaAs, InP, GaAlAs, GaInAs 등 -II-VI족 화합물계 : CuInSe2, CdS ... -기판의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술개발 -유리와 같이 값싼 기판 위에 박막형태의 태양전지를 증착 시키는 기술 개발 -기존의 박막 제조공정에서 탈피 신공정의 개발 필요결정성 태양전지의 ... 도달 한계치는 단결정이 35%, 다결정이 19%정도인 것으로 예측.Silicon solar cells(다결정)1)비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막

  리포트 | 29페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.10

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  [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리

  ): TaN, TiN, AlN, Si3N4③ Carbides (methane, acetylene, propane ) : TiC, WC, SiC④ Sulfides ( H2S ) : CdS ... , CuS, ZnS⑤ Oxycarbides and oxynitrides of Ti, Ta, Al, Si어떤 물질이든지 반응성 스퍼터링 동안 박막은 반응성 가스의 입자가 금속 박막에 ... Target으로부터 튀어나온 원자는 무질서하게 날다가 기판에 응축되기도 하는데, 이때 박막이 형성되는 것이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30

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  [물리화학]태양열전지

  CdTe전지 기술은 소위 "superstrate" 구조가 제안되고 마지막으로 화학적 용액 성장법으 로 CdS를 입히는 공정이 제안되었을 때 각각 전지의 효율이 획기적으로 증가되었다. ... 태양전지는 현재 태양전지 자체보다는 박막성장법 연구 진행중이며, 박막성장은 거의 진공상태에서 진행되므로 대단히 느린 공정이며, 양산화를 위한 고속 박막성장 기술 개발시 향후 실용화 ... DOE PV 5개년계획(1996～2000)-PVBONUS(1993～)-PVMaT(1991～)-박막 Partnership?

  리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.05.06

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  센서(sensor)란 무엇인가?

  CdS 셀, 셀렌, CCD, CPD, CID, 광전관, 포토멀, 촬상관, PSD광센서2자기?홀소자, MR소자, 자기헤드(검출 코일형 및 반도체형), 영구자석,? ... 가압도전시트(고무), 감압폴리머(중합체), PD(감압다이오드), IC압력 센서, 다이어프램(박막형 압력센서, 확산형 압력센서), 차동트랜스(토크 트랜스듀서), 토션 바(광학 위상식

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.16

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  태양전지

  것으로 예측된 바 있다.(2) 비정질 실리콘 태양전지 ( amorphous silicon solar cell )비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막 ... compound semiconductor solar cell )III-V족 화합물계 : GaAs, InP, GaAlAs, GaInAs 등II-VI족 화합물계 : CuInSe2, CdS

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.07.03 | 수정일 2021.07.08

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  나노구조의 합성 방법에 관한 조사

  GaN 박막이 분해하면 액체 갈륨 나노입자가 된다. 또한 승화된 GaN과는 갈 륨의 액체방울(촉매)에 다시 녹아 GaN나노와이어가 성장하기 시작한다. ... 화합물 반도체 나노와이어를 합성하는데 주로 이용되고 있다.종 류나노와이어 물질원 소Si, GeⅢ-Ⅴ 반도체GaN, GaAs, GaP, InP, InAsⅡ-Ⅵ 반도체ZnS, AnSe, CdS

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.09

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  [에너지] 태양전지

  이를 위해 n-CdS (2.45 eV) 층이 p-CdTe층과의 접합에 있어서 얇은 두께의 CdS로 충분한 접합특성이 이루어지도록 연구가 주요 관심사가 되고 있다. ... 이러한 시도는 실리콘 계열의 박막을 사용하여서 높은 안정화 효율을 달성하였기 때문에 박막형 태양전지의 실용화에 새로운 지평을 열어 놓은 연구라고 할 수 있다. ... CdTe 태양전지상용화에 가장 근접한 박막형 태양전지는 CdTe계열의 태양전지로 인식되고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.05

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  [전자]태양전지(solar cell)의 원리, 제작과정, 종류, 사용예

  지상용 태양전지 1) 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등 2) 박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등 3) 집광형 : GaAs 계열 ... compound semiconductor solar cell ) 1) III-V족 화합물계 : GaAs, InP, GaAlAs, GaInAs 등 2) II-VI족 화합물계 : CuInSe2, CdS

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.16

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  이산화티타늄(TiO2) 조사와 국내외 시장현황

  또한, 금속황화물 계통인 CdS(2.4 eV), ZnS(3.6 eV), MoS2(1.2 eV)등도 반도체 광촉매로서 연구되고 있다. ... 방오 기능을 활용TiO2광촉매의 초친수 기능은 유리나 거울, 타일 등의 기재표면에 광촉매 박막을 입혀주면 표면이 친수성을 띄게 되어 먼지나 기타 오염물질 등이 달라붙어 있지 않고 물방울과

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.09

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  [에너지공학] 대체 에너지로 기대되는 에너지원

  19%정 도인 것으로 예측된 바 있다.② 비정질 실리콘 태양전지(Amorphous Silicon Cells) : 비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막 ... compound semiconductor solar cell )III-V족 화합물계 : GaAs, InP, GaAlAs, GaInAs 등II-VI족 화합물계 : CuInSe2, CdS

  리포트 | 45페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.30

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  [공학]나노금속분말의 제조, 응용 및 특성평가 (분말공정의 현재와 미래)

  spin-coating， 혹은 용액캐스팅 (solution casting) 등에 의하여 쉽게 형상 디자인이 가능하다는 장점이 있어 IT분야에 있어서，전도성 고분자와 여러 나노크기 반도체 재 료(CdS ... cvc (Chemical Vapor Condensation)법을 개발하였다. cvc법에 의한 나노 입자 제조는 CVD 공정의 precursor 가스의 반응에 의한 금속 및 세라믹 박막 ... 현재 과학 기술의 발달은 과거의 과학 ‘기술 발전 속도에때 두 자성층의 자화배 열이 평행이냐 반평행이냐에 따라 박막의 저항 값이 변화하는 것에 기인하는 것으로 스핀의존산란(Spin-dependent

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.15

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  [계측공학실험보고서] 계측공학 실험보고서( 압전 소자를 이용한 힘측정 센서 조사)

  (PZT)계 등③ 박막: ZnO 등의 박막④ 고분자: 폴리플루오르화비닐리덴(PVDF)필름◀여러가지 압전소자◎ 압전 효과의 분류① 세로효과: 응력과 같은 방향에 전압이 발생② 가로효과 ... .◎ 압전 소자의 종류① 결정: 수정 등의 유전체, 티탄산바륨, 니오브산리튬, ADP, 황산리튬 등의 강유전체, CdS 등의 반도체② 세라믹스: 티탄산바륨계, 티탄산납계, 지르콘티탄산납

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.03.31

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  센서 조사

  , 압력, 진동, 기체 등을 다루고 있습니다.자기 광온도 압력검출대상소자 및 센서(유닛명)1광포토다이오드, PIN포토다이오드, 포토애벌란시 다이오드, 포토트랜시스터, 솔라배터리, CdS ... 양자형 적외선 센서온도센서4압력스트레인 게이지(로드셀), 압전소자, 코일 스프링, 판스프링, 가압도전시트(고무), 감압폴리머(중합체),PD(감압다이오드), IC압력 센서, 다이어프램(박막형

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.24

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  [전자물성]화합물반도체란

  범위에 있는 물질이며, 어떤 온도 이상으로 온도가 높아질수록 저항률이 떨어지는 것이다.여기에는 원소 주기율표 3-5족의 비소화갈륨 GaAs·인화갈륨 GaP, 2-6족의 황화카드뮴 CdS ... 이 회사가 실리콘 나노 결정들을 포함하는 이산화규소(SiO₂) 박막과 발광 활성층 물질로서 에르븀(Erbium) 이온들을 사용해 새롭게 개발한 LED는 지금까지의 실리콘 발광소자들에 ... 공정을 이용한 박막 패키징 등의 Hybrid Monolithic IC (HMIC) 기술이 있고 최대 한도로 소자와 수동 소자를 동일 기판 상에서 IC화한 후 패키징 하는 소위 MMIC

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.18

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  lithography

  . : positive – 빛 쪼인 부분 open negative – 빛 쪼인 부분 남음 조건 : 높은 감광성 화학적 내성 박막 형성성 부착성 고해상력 Pin hole 이 적을 것 ... Metrology and Critical Dimension Control Photolithography와 etching process를 통하여 critical dimensions (CDs

  리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  [미래소재] 광촉매

  이 효과를 이용하여 벽이나 천정의 표면에 광촉매 박막을 만들어 두면, 박막의 표면에 부착되어 오는 기름 성분의 오염물질을 광촉매가 분해하므로, 더렵혀지지 않는 표면을 만들 수 있다. ... 필요한 활성화 에너지를 낮추고 반응속도를 향상시켜 산화 환원반응을 촉진시키는 물질이다.광촉매로사용할 수 있는 물질로는 TiO2(anatase), TiO2(rutile), ZnO, CdS ... 아홉 번째로 많은 원소로, 흔히 화장품에 사용하는 백색안료나 백색페인트는을 촉매로, 빛을 에너지원으로 공기중의 각종 오염물질을 분해 및 정화하는 물질을 말한다광촉매의 원료가 되는 CdS

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.07.14

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  [태양전지]태양전지, 솔라셀 파워포인트 발표자료

  고품위의 재료 20% 이상의 고 효율을 달성 제조 비용이 높아서 고가임상대적으로 저급한 재료를 저렴한 공정으로 처리 17% 이상의 효율을 가지며 단결정 실리콘 태양전지에 비해 저가임CdS ... , CdTe, CuInSe2 계의 화 합물 반도체를 소재로 함 13% 정도의 효율을 얻음 안정성 높음 가격이 매우 비쌈제 2 세대 : 박막 태양 전지제 3 세대 : 염료 감응형유기 ... 설명태양전지의 동작 원리(3)제 1 세대 태양 전지제 3 세대 태양 전지제 2 세대 태양 전지단결정 및 다결정 실리콘 태양 전지염료 감응형 태양전지실리콘 과 화합물 반도체를 소재로 한 박막

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.01

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  LPE

  PAGE:6L P E 성장하는 물질LiO-V2O5 flux에 LiNbO3Al-Ga 혹은 주석(Tin)위에 Silicon자기 가넷Ⅲ-Ⅴ족 화합물납(Lead)에 Pb1-xSnxTeCd 에 CdS ... 근본적으로 용액성장법과는 조금 다름가장큰 차이점은 용액이 희박(dilute)하다는것인데 이는 더 느린 성장율,더 작은 자발적인 결정화, 더 좋은 화학양론적(stoichimetric)인 박막층을 ... 종(Species)을 형성하는 고체의 확산이지만, 확산 Flux와 표면 반응 시간등에 제한 받는다.확산은 등온 용액 전체에 걸쳐 일어나지만, 자유 또는 강제 대류동안 이는 얇은 박막층의

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.08

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