"Doping" 검색결과 161-180 / 1,274건

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  Effects of nitrogen plasma treatments on hydrogen storage capacity of microporous carbon at room temperature and its feasibility as a hydrogen storage material

  한국탄소학회 Soon Hyeong So, Seongmin Ha, Chung Gi Min, Young‑Seak Lee, Chong Rae Park

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.12.18

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  [서울시립대 반도체소자] 7단원 노트정리 - MOSFETs in ICs

  profile (= 'below-the-surface' doping):leaving the actual e path as intact(shallow junction)shorter ... decrease, but also increase, decrease ← impurity scattering increasecf.) solution:retrograde channel doping

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.03.29

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  스포츠와 도핑의 해외사례조사

  농구와 도핑해외 야구와 도핑국가적 도핑결론도핑방지를 위한 현재의 노력참고문헌서론도핑도핑이란 운동능력을 일시적으로 향상시키는 것을 목적으로 하여 각종 약물을 복용하는 것을 의미하며 doping은

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.06.26

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  이런 점들을 고려해야 한다는 근거를 기준으로 설계 과정에서 doping concentration을 변경해가면서 최종 설계할 body substrate의 doping concentration을 ... doping concentration을 높이는 방법을 생각해서 설계하였습니다. ... 줄이는 점 또는 retrograde body doping과 같은 scheme이 채택되는 점을 고려하면 body concentration을 적절히 높여야 합니다.

  리포트 | 50페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.01.07 | 수정일 2024.06.12

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  스포츠와 도핑의 국내사례조사

  도핑국내 야구와 도핑국내 배구와 도핑결론도핑방지를 위한 현재의 노력참고문헌서론도핑도핑이란 운동능력을 일시적으로 향상시키는 것을 목적으로 하여 각종 약물을 복용하는 것을 의미하며 doping은

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.06.26

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  CO detection 중심으로 분석한 TD-DFT, DFT 설계 리포트

  여기서 doping을 할 경우, BxNy@CNT는 anisotropy을 띠게 되므로 doped atom 근처에서 non-symmetric한 surface를 보인다. ... 특히 co-doping된 (p)-BN@CNT의 경우 다른 multi doped-CNT에 비해 CO gas와의 상호작용이 더 큰데, 이것도 anisotropy가 크기 때문임을 알 수 ... B@CNT는 B 근처에서 maximum, doping되지 않은 벤젠ring 중앙에서 minimum을 가지며N@CNT는 ring 중앙에서 maxima, doped N위에서 minimum을

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.11.04

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  전자회로실험 예비 1주차

  간단한 이론이번 실험은 다이오드의 전류-전압 특성을 이해하기위한 실험인데 먼저, PN접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 만드는데 P형 반도체는 acceptor doping ... 으로 만들어지고 N형 반도체는 Donor doping 으로 만들어 진다 P형에서는 정공인 hole이 majority carrier이고 N형에서는 전자인 electron이 majority

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.19

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  재료공학실험2(세라믹) 실험노트5

  실험 과정(1) Sample 전처리- SiO2 doped BaTiO3 disk에 표면 전도도를 인위적으로 인가하기 위하여 Ag Paste를 이용하여 코팅하고 지그(Jig)를 사용하여 ... Ag paste on SiO2 doped BaTiO3 disk(left)(2) Disk의 두께와 직경 측정- 버니어 캘리퍼를 이용해 sample의 두께와 직경을 측정했다.(3) 유전 ... 실험 결과(1) SiO2 doped BaTiO3의 직경, 두께 : 17.38mm / 1.73mm(2) 유전 특성 평가 결과결과 값 : 2.738516nF / 2.737655nF /

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.08 | 수정일 2022.09.09

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  반도체공학실험 보고서(Mos cap, RRAM)

  다음으로 VT는 아래와 같이 표현할 수 있으므로,VT는 doping concentration인 Na이 높을 수록 커진다는 것을 확인할 수 있다. ... 따라서 doping concentration에 따른 C-set으로, conductive path가 다시 oxide ion으로 채워지면서 끊어지는 전압이다. ... Mobile charge와 space charge는 다음과 같이 계산할 수 있다.5. p-type Si substrate doping 농도가 증가함에 따라 나타나는 high frequency

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.13

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  전기전자재료 과제2 솔루션

  True or false:(a) The step junction is an idealized doping profile used to model p+-n and n+-p junctions.Answer ... the problem, both False and True will be accepted as answers.The step junction profile means that the doping

  시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.09

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  [광학] 결과발표회_이색성 염료 PPT

  Adjustment of viewing angle Using Dye-doped LC cell Beyond your dream Where did the idea originate in ... 이색성 염료와 함께 주입한다 . dye-doped LC 혼합액은 두 기판 사이에 spacer 을 끼워 넣어 12 μm 정도의 간격을 유지하도록 하였다 . ... Dye-doped LC Theoretical Frame and Methods CONTENTS A 컨텐츠에 대한 내용을 적어요 음의 액정에 RM( ReactiveMesogen ) 을

  리포트 | 58페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.09.05 | 수정일 2021.09.17

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  [서울시립대 반도체소자] 5단원 노트정리 - MOS Capacitor

  (NMOS 에서는 e를)∴ 가 낮아져야 한다.pf.)doping combination: Enhancement type devicedef.) oppositely doped between ... Threshold voltage & strong inversioninversionthreshold conditiondef.) surface e 농도 = bulk doping h 농도channel ... proportional to induced voltage)sol.)bulk p-type concentration∴ from 1), 2),∴ Si surface voltagefactors: dope

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24

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  part.1 신소재공학(재료공학) 대학원 전공 면접 (1/4)

  Si에 Al을 doping 하면 무슨 타입 반도체 형성되는가?GaAs에 Si doping 시, 페르미 준위는 어떻게 변화하는가? ... P doping, N doping 시, 페르미 준위 변화junction에서 일어나는 물리 현상 (diffusion, drift, depletion layer), 그림 숙지forward

  자기소개서 | 3페이지 | 8,000원 | 등록일 2023.05.03 | 수정일 2023.05.04

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  T-CAD를 활용한 NMOS설계 (반도체소자)

  Substrate doping concentration2. ... Source/drain doping profile3. source/drain/gate material, geometry4. oxide thickness5. gate length -

  리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.01

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  [광학] 실험계획안_이색성 염료 PPT

  Theoretical Frame and Methods CONTENTS A 컨텐츠에 대한 내용을 적어요 Dye-doped LC cell 만들기 1. ... Adjustment of viewing angle Using Dye-doped LC cell Beyond your dreamWhere did the idea originate in ... 이색성 염료와 함께 주입한다 . dye-doped LC 혼합액은 두 기판 사이에 spacer 을 끼워 넣어 12 μm 정도의 간격을 유지하도록 하였다 .

  리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.09.05 | 수정일 2021.09.17

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  T-CAD를 활용한 NMOS 설계

  Substrate Doping Concentration 2. Source/Drain Doping Profile 3. Material of Gate/Source/Drain 4. ... P-sub 농도 : 7E17 Source drain doping 농도 : 1E16 Oxide Thickness : 0.008 Gate Length : 4~6 Id : 5.994e-4 ... P-sub 농도 : 7E17 Source drain doping 농도 : 1E16 Oxide Thickness : 0.009 Gate Length : 4~6 Id : 4.911e-4

  리포트 | 38페이지 | 3,500원 | 등록일 2021.03.03

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  LG화학 기술연구원 최종 합격 자기소개서

  또한 기존의 Nitrogen doping된 graphene 이나 CNT에 대한 computation 연구들과 달리 안정한 nitrogen doping configuration을 찾은 ... 다양하고 독특한 물리적, 전기전도적 특성을 가지는 graphene을 base material로 하여 순수한 graphene과 이종 원소가 doping된 graphene이 oxygen ... 통계적인 방법을 이용해 graphene에 nitrogen이 doping 되었을 때의 안정한 N/C composition 및 구조를 찾고, VESTA (Visualization for

  자기소개서 | 2페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.17

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  MOSFET scaling down issue report

  먼저 Threshold voltage를 제어하기 위해 의도적으로 body의 doping 농도를 높게 하는 Body effect가 있다. ... Doping 농도를 높여 depletion region을 만들기 위해 제거해야 하는 carrier의 양을 늘려 threshold voltage를 높이는 방법이다. ... doping한다.Fig.11 Body effectHalo implants는 높은 drain voltage로 인해 확장되는 depletion region이 만드는 문제를 막기 위해

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  Diffusion (반도체)

  into semiconductors: Atomistic vs. phenomenological aspects of diffusion-> Form a basis for selective doping

  리포트 | 39페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.30

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  [물리전자2] 과제4 요약 과제 Zener effect부터

  tunneling of this kind occurs more effectively when the transition region is narrow, requiring high doping ... While it's possible to increase the breakdown voltage by significantly increasing the doping level on ... lower contact potential compared to silicon (Si), but the contact potential can be controlled through doping

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30

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