"MOCVD" 검색결과 161-180 / 327건

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  Sol-Gel법 (MOD, Spin Coating)

  여기서는 MOD방법 중 MOCVD방법이 가장 대표적이다.가.MOCVD (유기금속화학기상증착법)유기금속화합물의 열분해를 이용한 박막형성법으로 성장층의 조성, 특성의 정밀제어가 가능하다 ... 하나의 큰 과제로 되었다.원료로 모두 유기 금속을 사용한 MOCVD수소화물을 사용한 MOCVD에서는 부가반응을 피하는 것이 곤란하고 위에 기술한 바와 같이 감압계로 한다든가 원료공급 ... Manasevit등은 이들 원료를 사용하여 MOCVD로 최초로 절연물 기판상에 ZnSe와 ZnS 다결정의 성장 시켰다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.05.02

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  화합물 반도체

  이중에서 가장 많이 활용되는 것은 MOCVD법이다.※ MOCVD법은 III족 원료에 유기금속소스(MO源)를 사용하는 기상성장법이다. ... 현재 생산되고 있는 질화물 반도체 발광디바이스는 거의 모두 MOCVD법에 의해서 성장시킨 것이다. ... MOCVD장치는 광 또는 전자디바이스를 망라하여 현재의 질화물 반도체 디바이스에서 가장 중요한 공정으로 반드시 갖추어야할 장치이다.※ 금후 급속한 시장 확대가 기대되는 차세대 DVD용

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11

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  PVD

  Evaporation Sol-Gel Plating CVD Sputtering Electro plating Electroless -plating CVD APCVD LPCVD PECVD MOCVD

  리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24

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  양자점 분자구조의 특성 및 소자응용

  소개할 InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 분자구조는 InP (001) 기판위에서 유기금속화학기상증착법(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD

  리포트 | 11페이지 | 7,500원 | 등록일 2013.10.17 | 수정일 2019.06.19

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  발광다이오드, LED

  에피 웨이퍼 공정기초 소재인 웨이퍼 위에 유기 화학 증착번 (MOCVD) 장비를 이용해화합물 반도체를 성장시키는 작업, 기술력에 따라 수율 차이가 나는 공정? ... 이른다.따라서 일본 니치아, 미국 크리 등 칩 제조사의 영업 이익율은 30~40%에 이른다.그러나 선두 패키징 회사라도 영업 이익율은 20% 안팎이다.국내 삼성 LED가 국내에서 MOCVD

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18

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  [공학/기술] 디스플레이 LED에 대한 보고서.

  MOCVD로 밝기를 향상시켜 1990년대부터 본격 적으로 사용됨. 1990년대부터는 자동차, 메시지 사인, 교통표시기 등에 본격적으로 사용되기 시작하였다. ... InGaAlP LED는 MOCVD (Metal Oxide Chemical Vapor Deposition) 성장방법으로 소자의 구조를 개선함으로써 , 밝기를 향상시킬 수 있었다.6)

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.02.27

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  나노와이어-디스플레이에서의 적용

  .- Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD), metal organic-hydride vapor phase epitaxy(MO-HVPE)

  리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.11.21

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  나까무라 슈지의 청색 LED와 직무발명

  MOCVD는 화학 반응을 이용하여 기판상에 금속 산화막을 형성하는 박막 형성법 진공으로 된 통 안에서 가열된 기판에 증기압이 높은 금속화합물 가스를 보내어 그 금속의 막을 기판에 만드는 ... 나카무라는 GaN을 선택해 독자적인 노선의 개발을 하게된다.GaN을 통한 청색 LED개발의 가장 큰 걸림돌은 GaN의 결정화가 쉽지 않다는것 이였는데 나까무라는 이를 ‘Two flow MOCVD

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.02

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  Si wafer의 Oxidation

  사일테론(SiH₄)의 산화에 의한 증착.SiH₄와 산소, 질소 혼합 가스가 웨이퍼 위로 흐르면서 산화막이 증착된다.막의 두께는 5,000~15,000Å이다.③600°C~900°C 공정-MOCVD

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  [전자공학][공학][초전도이론][제어시스템][반도체][다이오드]전자공학의 교과과정, 전자공학과 초전도이론, 전자공학과 제어시스템, 전자공학과 반도체, 전자공학과 다이오드 분석

  그러나 넓은 면적의 박막을 양산하기 위해서 유기금속화학증착법(MOCVD)이 꾸준히 연구되고 있다.수동소자 중에는 공진기, 여파기 및 도파선 등이 주요 연구개발 대상이며 이중 일부는

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.25

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  반도체공학-sollar cell

  그러나, MOCVD와 MBE 같은 박막 증착 장비의 발달로 III-V 화합물 반도체 태양전지 분야에서는 터널정션 기술 개발로 단일 접합 태양전지 사이에 금속 전극 없이 반도체 박막만으로

  리포트 | 25페이지 | 3,500원 | 등록일 2013.08.20

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  주성엔지니어링 vs 쏠리드 마케팅분석(SWOT, 재무분석, 경쟁사분석, 시장분석 및 환경분석 등)

  . - Oxide TFT MOCVD 장비와 반도체용 SDPCVD 장비를 개발하여 주고객과 테스트를 시작, 양산성 확보 시, 외형 회복에 기여할 듯.총평– 쏠리드- 무선 데이터 트래픽

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.05.03

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  화학기상증착(cvd)

  MOCVD(또는 OMCVD), HVD등 원료명을 붙인 CVD법의 명명도 이러한 사정을 반영하고 있다. ... (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)MOCVD는 화학적 기상성장법(CVD)중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체 기판상에 금속화합물을 ... (300~350C 가열)o 사용 주파수 : 50KHz(윗부분 전극을 통해 유입, 정합회로망 사용)o 잔류 가스-->균열, 박막 벗겨짐, 박막 전류 --->MOS 문턱 전압 변동4)MOCVD

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.28

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  적색 LED Review

  Multichip 및 ROY 계열 약 ~20% 유지..PAGE:3가격19*************0현재 LCD BLU용 청색과 적색Chip의 가격은 비슷함.(2000년대 초반 청/녹색용 MOCVD

  리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.14

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  국내 주요 led 기업 동향

  .- 삼성전기·삼성전자가 구매를 결정한 MOCVD 물량만 합쳐도 이미 80여대로 국내 최대 규모이며, 삼성전자가 본격 투자에 나선다면 반도체시장에서의 경험과 기술로 조기에 시장선점이 ... 또한 질화물 반도체의 MOCVD 에피 공정 및 LED 제조 공정라인을 가지고 있다.- 최근 백라이트에서 축적한 광 기술을 응용하여 조명 분야로의 사업 확대를 추진하고 있다.○ 2005년

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.27

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  [공학기술]박막

  장비구조 복잡(LDS등).MOCVD증착속도 빠름. PVD + CVD 저온화 가능.PECVD(Plasma CVD)Uniformity 양호. ... 화학 기상 증착 (CVD) ① LPCVD ② APCVD ③ PECVD ④ MOCVD 2. 물리 기상 증착 (PVD) ① 스퍼터링 ② 진공증발법 3. 원자증 증착 (ALD) 4. ... 화학 기상 증착 (CVD) ① LPCVD ② APCVD ③ PECVD ④ MOCVD 2. 물리 기상 증착 (PVD) ① 스퍼터링 ② 진공증발법 3. 원자증 증착 (ALD) 4.

  리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.23

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  열증착

  대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 ... 이때 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야 한다.2) CVDCVD에 해당하는 증착법에는 MOCVD

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.08

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  진공 및 박막의 전제척인 개념 및 박막의 3가지 성장모델, CVD & PVD 비교 정리

  예를 들어, GaN의 경우에는 MOCVD를 이용할 때 TMG라는 Ga에 methyl기를 붙인 Ga(CH3)3 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서

  리포트 | 8페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  LED 기본공정과 원리 그리고 고효율화 방안

  효율적인 재결합 내부양자효율 향상의 KeyIntroduction ◎ Epitaxial Growth 에피탁시 ( Epitaxy ) : 결정방위가 유사한 분자구조를 기판 위에 화학적 (MOCVD ... Epitaxial Growth GaN 계 화합물 반도체는 동종 기판의 부재 → 주로 사파이어기판 사용 기판과 GaN 사이의 격자 불일치 → Buffer Layer 를 삽입 보통 MOCVD

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.10

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  중소기업의 발전방향

  경쟁하고 있는 틈새시장 영역에 국내 중견기업이 진입하기 위한 제품 기획,개발 지원한다.최근 주성엔지니어링은 Aixtron(독일)과 Veeco(미국)사가 복점상태에 있는 LED용 MOCVD

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.04.23

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