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CMOS 오디오앰프설계 MOSFET 다단 증폭기 flyback lna설계 TRANSISTOR

"Power FET" 검색결과 161-180 / 226건

  • 자료 표지
    Atmega8을 이용한 청소 로봇
    소리인식 센서 제어를 위한 사용6 pin : PD4 : FET와 연결되는 핀입니다.7 pin : VCC : VCC가 들어가는 핀 입니다.8 pin : GND : Ground되는 핀입니다 ... drivers◈ Optical detectors◈ Colorless transparency lens type.◈ φ3mm(T-1) all plastic mold type◈ Low power ... 연결 설명1 pin : SENSE1 : 회로도에서 보는 거와 같이 연결되는 부분이다.2 pin : OUT1B : DC 모터와 연결되는 부분이다.3 pin : VBB : Motor Power아
    리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.09.07
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  • 자료 표지
    ESD protection circuit design concepts and strategy
    frequency of the CDM)- (b)는 Io=10A,=500Mhz, Cvdd=0에서의 Req와 Clocal의 값 결정※ BJT가 CMOS보다 ESD에 강한 이유는MOS FET는 ... .- primary ESD clamp의 기능은 PAD를 통해 들어오는 ESD의 대부분의 흐름을 power rail(Vdd/Vss)로 흐르도록 유도.- Rs의 기능은 drain 전압을 ... Vdd에서 power clamp를 통해 Vss로 도착한 전류의 흐름은 다이오드를 통해 I/O pad로 이어진다.° Vss based 회로와 sanpback device- Vss-에서
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.10 | 수정일 2015.01.28
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  • 자료 표지
    원유를 대체할 에너지 조사
    단점은 아래와 같다.가솔린체 식, 접촉 연소 식, FET(field effect transistor)방식, 전해질식(전기화학식), 광섬유 식, 압전 식, 열전 식이 있다.MEMs 수소 ... 풍력발전(Wind power generation)① 풍력발전이란풍력발전이란 공기의 유동이 가진 운동 에너지의 공기력학적(aerodynamic) 특성을 이용하여 회전자(rotor)를
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.12
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  • 자료 표지
    건축전기설비 - 예비전원에 대하여
    UPS는 사이리스터라는 소자에 의해 인버터로 시작되어 고속 사이리스가 역도통사이리스터 등 고성능, 고기능화 되었다. 1980 년대에 들어 바이폴라 파워 트랜지스터, 턴오프 사이리스터, FET ... 예비전원설비에대하여..예비전원 ( stand by power supply )통상의 전원이 고장 또는 정지했을 때 유저의 시설이 만족하에 운전이 계속되도록전기의 질을 허용범위로 유지한 ... , 기계적강도약하고 싸다㉡ 알칼리축전지 : 1개당 1.2V, 5Ah, 과충방전에 강하고, 충전시간 짧고,기계적강도 강하고 비싸다· UPS 설비UPS란 Uninterruptible Power
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.29
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  • 자료 표지
    기본 논리 게이트 설계 실험
    TTL은 NPN형 트랜지스터를 중김으로 만들어졌고, CMOS는 FET(전계효과 트랜지스터)를 사용하여 만들어졌다.이 두 가지 로직의 특징을 간단히 비교하면TTL의 종류TTL은 바이폴라형 ... TTL54L33pJ33ns1mW0 ~ 3MHzSchottky TTL54/74S57pJ3ns19mW0 ~ 125MHzLow-Power Schottky TTL54/74LS19pJ95ns2mW0 ... ~ 45MHzAdvanced Schottky TTL54/74AS33pJ15ns22mW0 ~ 200MHzAdvanced Low-Power Schottky TTL54/74ALS4pJ4ns1mW0
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.11
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  • 자료 표지
    연산증폭기의 특성 실험
    *바이포올라형 (트랜지스터를 주로 사용)*bi-fet형 (입력회로 등에 fet를 사용)*bi-mos형 (입력회로 등에 mos-fet를 사용)(2) 반전 회로키르히호프의 법칙에 의해( ... AMP의 기호를 나타낸 것으로서, 반전(－), 비반전(＋) 2개의 입력과 하나 의 출력을 가지며 OP AMP는 ±5∼±15[V]의 쌍극 정전압 전원 장치(dual polarity power ... 실험원리 :(1) 연산증폭기[OP-AMP(operational amplifier)]- 연산 증폭기(operational amplifier)란, 바이폴러 트렌지스터나 FET를 사용하여
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.26
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  • 자료 표지
    RF Magnetron Sputtering
    사진에 나오듯이 상.하 조절버튼으로 양을 정하고 빨간 FLOW스위치를 누르면 그 양이 자동으로 조절되어 가스 주입 Gate Valve 잠그면서 2*10-2 torr로 분위기 조성FET ... RF의 AC POWER를 올린다.22. RF POWER CONTROL의 ON OFF중에 ON을 누른다.23. ... Substate Unit power on 기판의 온도를 설정한 뒤에 ADJUST를 돌려서 온도를 맞춘다.
    리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.04.20
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  • 자료 표지
    [전파통신][앙기전파]Amplifier (증폭기)
    (FET는 전류가 아닌 전압에 의해 제어가 이루어지며 원리적으로 같다)Gain (이득)과 maximum output Power (최대출력전력)* 이득(gain) : 입력신호를 몇 배로 ... Amplifier, 파워앰프, 전력증폭기)PAM (Power Amp Module)LPA (Linear Power Amplifier, 선형전력증폭기) ... (Power는 P1dB라는 지표로 최대로 출력이 가능한 전력을 표시)Output power를 늘이려면, 아래와 같이 Tr을 병렬로 배치.이 경우, Gain은 전혀 늘어나지 않으며,
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.05
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  • 자료 표지
    pspice 의 사용법에 대한 예비보고서
    트랜지스터의 동작점, 과도 특성 해석 및 주파수 응답 해석 등의 전기, 전자회로에 대한 복잡하고 다양한 해석이 가능하고, 저항, 콘덴서, 인덕터 등의 수동소자와 다이오드, Tr, FET등 ... 연결되는 신호에 대한 버스라인 형성.Place junction : 배선과 배선의 접속 점 표시.Place bus entry : 버스와 일반 wire와의 연결 부분 지정.Place power
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.15
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  • 자료 표지
    HFET에 대해서(AlGaN/GaN)
    이러한 2DEG는 파워를 증폭하기 위해 이용하는 다른 FETs와 같은 구성이다. ... 오늘날 휴대전화와 같은 무선통신과 제 3세대 그리고 제 4세대 무선망의 확대는 RF(radio frequency)와 마이크로파 영역의 파워증폭기(power amplifier)에 대한 ... HFET란HFET(heterojunction field-effect transistor)는 AlGaN/GaN 나 AlGaAs/GaAs 같은 서로 다른 재료가 결합하여 만들어진 이종접합 FET를
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.10
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  • 자료 표지
    시스템모델링 및 제어 네번째
    supply: negative power supplyThe power supply pins (VS+ and VS?) ... For FET based op-amps, the positive, common drain supply is labeled VDD and the negative, common source ... Often these pins are left out of the diagram for clarity, and the power configuration is described or
    리포트 | 10페이지 | 15,000원 | 등록일 2007.09.18
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  • 자료 표지
    AND·OR·NOT 게이트 실험(예비보고서)
    .※ 실험 부품 및 장비부품 및 장비규격 및 수량부 품TTLNOT 게이트7404 1개AND 게이트7408 1개OR 게이트74321개장 비직류전원 공급장치(DC power supply ... 논리게이트를 구성한 logic이다.TTL IC : 트랜지스터로 만든 집적회로를 말한다.CMOS(Complementary Mental Oxide Semiconductor) IC : MOS-FET로
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.16 | 수정일 2015.04.04
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  • 자료 표지
    실리콘 반도체의 한계와 대안
    Si에서 critical drift velocity가 1×10cm/sec이며 전자가 channel을 통과하는 시간인 transit time은 0.1㎛ FET에서 ＝d/v＝10sec로 ... 따라서 switching energy가 thermal energy kT보다 커야 하며 현재 power supply는 1∼2 V이고 300 K에서 kT＝0.026 eV이다. ... 이렇게 scaling factors에 의해 축소된 결과 time delay는 1/S로 짧아지며 packing density는 S에 비례하고 device 1개당 power는 1/S에
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.17
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  • 자료 표지
    LED 전광판 기술
    단체가 불특정 다수의 대중을 대상으로 옥외의 특정한 장소에서 일정기간 지속적으로 시각적 자극을 주는 위한 수단으로써 적색(R),녹색(G), 청색(B)의 EN신호는 DC 전력소자인 FET ... ,SCR, Tr등의 스위칭 기능을 이용하여 전원부의 Display Power를 LED Module의 적색(R),녹색(G), 청색(B)등의 LED Common에 공급한다.LED Control
    리포트 | 60페이지 | 3,500원 | 등록일 2009.12.01
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  • 자료 표지
    웨이퍼 제조 공정(발표자료)
    As)의 화합물로 만들어진 웨이퍼 실리콘 반도체보다 스위칭 속도가 5~6배 빠르고 온도 변화에 강하며 전력 소비가 적다는 등의 장점이 있어 차세대 반도체로 주목 용도 : GaAs FET ... 주로 사용 종류 - Low Power SRAM : 동적 속도는 좀 느리지만 기기가 동작을 하지 않는 대기모드에서 소모 전류를 극소화 해서 주로 mobile 기기의 주기억장치로 쓰임 ... DRAM가장 먼저 개발이 된 메모리로서 속도와 소모 전력에 따라서 Low Power SRAM과 High Speed SRAM으로 구분 용도 : PC의 주기억장치와 그래픽 카드의 메모리로
    리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.20
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  • 자료 표지
    BJT Amplifier Circuit
    ZTC점을 그림 1에 나타내었다.이 점에 대한 유추가 대체적으로 현상학적이지만, 온도에 크게 민감하지 않은 FET회로의 설계에 이용될 수 있다.소스와 게이트간의 전류의 흐름은 매우 ... , 20KΩ 1개, 500Ω 1개, 10KΩ 1개), Capacitor(50uF 3개), 리드선, Function Generator, Multimeter, Bread Board, Power
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.09.28
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  • 자료 표지
    OP-Amp(operational amplifier) 회로 설계
    서 론◈ OP-Amp(operational amplifier)OP-Amp (operational amplifier)란, 바이폴러 트렌지스터나 FET를 사용하여 이상적 증폭기를 실현시킬 ... offset◈ OP-Amp의 기호 및 구성반전(－), 비반전(＋) 2개의 입력과 하나의 출력을 가지며 OP-Amp는 ±5∼±15[V]의 쌍극 정전압 전원 장치(dual polarity power
    리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.01.09
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  • 자료 표지
    [전기공학] Linear versus switch-mode power supplies
    그리고나서 DC전압은 FETs 또는 트랜지스터를 사용하여 높은 주파수(typically switching at 100kHz to 500kHz)에 의해 안정되게 전환 된 후, 다시 DC출력전압은 ... 현재는 스위치모드 파워 서플라이가 power conversion 분야의 대부분을 차지하고 있으며, 리니어 파워 서플라이는 현재 wall mount linear power supply가 ... Linear versus switch-mode power supplies1.
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15
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  • 자료 표지
    BJT의 동작점과 증폭기로서의 특성
    사용기기. 2 Channel Oscilloscope, D.C Power-supply, Digital Multimeter, 저항,NPN트랜지스터, 브레드보드, 파형 발생기1. ... 동작점트랜지스터나 FET 등 전자 디바이스의 특성 곡선 상의 동작 원점으로 보통 가해지지입력 신호가 않은 때의 값을 말하지만, 입력 신호가 가해진 때의 평균값을 말하기도 한다.바.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.05
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  • 자료 표지
    ADS를 이용한 2.6GHz 위성DMB용 LNA설계
    GaAs HEMT는 MESFET나 Silicon FET보다 더 낮은 잡음지수를 제공할 수 있으므로 Agilent의 HEMT 인 ATF37066 을 사용하였으며, Substrate는 ... 155-2010-2010-20Noise figure(dB)(frequency)2.0(2GHz)1.0(4GHz)0.6(8GHz)1.0(10GHz)0.5(12GHz)4.0(12GHz)Power
    리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.11.14
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  • 아이템매니아 이벤트
  • 유니스터디 이벤트
AI 챗봇
2024년 09월 14일 토요일
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대
“EasyAI 가 작성한 문서 초안은 완벽하지 않을 수 있습니다"